公开(公告)号：KR100516782B1

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：KR1019980035404

申请日：1998-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재혁 ,  박정규

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 확산공정을 수행하는 챔버 내에 이송된 웨이퍼의 위치를 감시하는 한편, 에러 발생시 에러신호를 출력할 수 있도록 하는 반도체 제조용 확산설비의 웨이퍼 위치 감시방법 및 그 장치에 관한 것으로, 이는 스텝핑 모터와 볼 스크루가 타이밍 벨트로 체결되고, 이 볼 스크루에 나사 결합된 연장축에 파워 플랜지가 직각되게 결합되고, 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼 홀더가 지지축에 의해 파워 플랜지의 상부에 설치된 반도체 제조용 확산설비의 웨이퍼 위치 감시장치에 있어서, 이 볼 스크루의 단부에 설치되어 웨이퍼의 위치를 수치화하는 엔코더와, 이 웨이퍼의 위치와 확산공정을 수행하기 위해 지정된 지정위치를 대비하여 에러상태를 결정하고, 이에 대응하는 에러신호를 출력하는 제어수단과, 이 제어수단의 에러신호를 입력받아 웨이퍼 위치의 에러상태를 표시하는 표시수단을 구성함으로써, 확산공정을 수행하기 전에 웨이퍼가 정확한 위치로 이송되었는지를 알 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR100352765B1

公开(公告)日：2002-09-16

申请号：KR1019990054172

申请日：1999-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재혁 ,  양창집 ,  김태철 ,  한현

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/10 ,  C23C16/46

Abstract: 본발명은반도체제조용가열장치에관한것으로서, 특히로내의온도가저하되는것을방지하기위한열차단수단이구비된가열로에있어서, 상기열차단수단(30)은밀폐가이루어지는케이스(31)와, 상기케이스(31)의내측에횡방향으로위치된복수개의반사판(33)과, 상기반사판(33)을지지고정하는복수개의지지핀(34)(35)을포함한다. 따라서, 본발명에서는반사판을갖는열차단수단에의해웨이퍼보트의로딩시등에로내의열이손실됨에따라로내의온도가저하되는것을최소화함으로써웨이퍼보트의로딩후 공정이시작될때까지의로내온도를안정화시키고, 이에따라공정시간이단축됨으로써생산성이향상됨과동시에균일한품질을갖는웨이퍼를얻게된다.

公开(公告)号：KR1020010028022A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990040059

申请日：1999-09-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재혁

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A dry scrubber for manufacturing a semiconductor is provided to reduce manufacturing cost by eliminating the need for a motor and a brush, and to remarkably extend a lifetime of a filter by preventing the filter from being damaged. CONSTITUTION: A main body(20) is installed in a transverse direction. A gas inducing hole(21) is formed in a side portion of the main body. A particle exhausting hole(22) is formed in a lower portion of the main body. A filter(23) is partially mounted at an end portion of the inside of the main body. A resin storing unit(25) is detachably coupled to an end portion of the main body, wherein resin(24) is stored inside the resin storing unit and an exhaust hole(28) is installed at an end of the resin storing unit.

Abstract translation: 目的：提供用于制造半导体的干式洗涤器，以通过消除对电动机和电刷的需要来降低制造成本，并且通过防止过滤器损坏来显着延长过滤器的使用寿命。 构成：主体（20）沿横向安装。 气体导入孔（21）形成在主体的侧部。 颗粒排出孔（22）形成在主体的下部。 过滤器（23）部分地安装在主体内侧的端部。 树脂储存单元（25）可拆卸地联接到主体的端部，其中树脂（24）储存在树脂储存单元内部，排气孔（28）安装在树脂储存单元的端部。

公开(公告)号：KR1020010028021A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990040058

申请日：1999-09-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양창집 ,  김태철 ,  안재혁

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A wafer boat is provided to increase the number of loaded wafers and to prevent the wafer from being gotten out at high revolution speed by minimizing a slot pitch, and to improve a deposition rate of gas and uniformity of a layer by preventing gas induced into a tube from being disturbed. CONSTITUTION: A plurality of pillars(30) are vertically installed. A plurality of supporting pins(31) are fixed in an inside of the pillars in a longitudinal direction. A guiding pin(32) is projected in an upper part of the supporting pins. The guiding pins is formed in the supporting pin as one body.

Abstract translation: 目的：提供晶圆舟以增加加载的晶片数量，并且通过最小化槽间距来防止晶片被高速旋转，并且通过防止气体诱导来提高气体的沉积速率和层的均匀性 进入管被扰乱。 构成：垂直安装多个支柱（30）。 多个支撑销（31）沿纵向方向固定在柱的内部。 引导销（32）突出在支撑销的上部。 引导销作为一体形成在支撑销中。

公开(公告)号：KR1019970018335A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950032522

申请日：1995-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽희수 ,  안재혁 ,  조은환 ,  석종규

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체 제조용 로더 스테이션내에 구비된 카세트 스테이지의 안착부상에 카세트가 안착될 때 카세트의 안착불량을 검출하는 장치에 관한 것으로, 상기 카세트 스테이지(...21)의 양측 안착부(22)에 홈(22a)을 각각 형성하고, 상기 각각의 홈부위에 안착부를 관통하는 수직방향의 관통구멍(22b)을 형성하며, 이 관통구멍을 관통하여 일부가 상기 홈으로 노출되도록 감지센서(23)를 설치하고, 상기 감지센서와 대응하는 위치인 카세트(24)의 저면에는 안착시 감지센서를 각각 동작시키는 돌기(24a)를 양측에 형성된 구성이다. 따라서 카세트 안착불량을 더욱 정확하게 검출할 수 있고, 이로써 오동작으로 인한 웨이퍼의 손상이 방지되어 수율을 높일 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100549944B1

公开(公告)日：2006-02-07

申请号：KR1019990040066

申请日：1999-09-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양창집 ,  김태철 ,  안재혁

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 보트에 관한 것으로서, 특히 세워 설치된 복수 개의 기둥(20)과, 상기 기둥(20)의 내측에 고정된 지지판(31)과, 상기 지지판(31) 상에 세워 설치되어 웨이퍼(W)를 지지하는 복수 개의 지지핀(32) 및 웨이퍼(W)의 가장자리에 위치되는 안내핀(33)을 포함한다.
따라서, 본 발명에서는 가스를 분사하는 분사구 및 배출하는 배기홀을 평행하게 설계하는 것이 가능하여 가스의 흐름이 균일하게 되고 각 슬롯마다에 독립적인 막질의 증착이 이루어짐으로써 가스의 증착율 및 막질의 균일성이 현저하게 향상됨과 동시에 보트의 고속 회전 시에 웨이퍼가 이탈되는 것을 방지하게 된다.
웨이퍼, 보트, 지지판, 안내핀, 지지핀

公开(公告)号：KR1020050074241A

公开(公告)日：2005-07-18

申请号：KR1020040009272

申请日：2004-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  가부시키가이샤 아루박

Inventor： 이광명 ,  윤기영 ,  김일경 ,  박성욱 ,  채승기 ,  허노현 ,  김재욱 ,  안재혁 ,  김우석 ,  김명진 ,  장경호 ,  야나기사와신지 ,  츠츠미켄고 ,  타카하시세이이치

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/3065

Abstract: 본 발명의 과제는 다수의 처리 대상물의 고속 처리가 가능하고, 또한 처리 후의 처리 대상물의 면내 균일성을 확보하는 것이 가능한 에칭 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 에칭 장치는 진공 처리조(3)와, 래디컬 상태의 제1 처리 가스를 진공 처리조(3) 내로 도입하여 반도체 웨이퍼(10)로 유도하도록 구성된 제1 가스 도입부(30)와, 제1 처리 가스와 반응하는 제2 처리 가스를 진공 처리조(3) 내로 도입하여 반도체 웨이퍼(10)로 유도하도록 구성된 제2 가스 도입부(40)를 구비한다. 제2 가스 도입부(40)는 제1 가스 도입부(30)에 설치된 도입관(41)을 협지하는 위치에 설치된 2개의 샤워 노즐(41, 42)을 가지고 있다.

公开(公告)号：KR100443121B1

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：KR1020010075019

申请日：2001-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재혁

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67276 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/54 ,  H01L21/31116 ,  Y10S414/139

Abstract: A method of manufacturing a semiconductor device includes first and second processes, the latter requiring more processing time. An apparatus for performing the semiconductor manufacturing process includes a first reactor, and a plurality of second reactors for each first reactor. A first group of wafers are subjected to the first process within the first reactor, and are then transferred into a second reactor as isolated from the outside air. The first group of wafers is subjected to the second process within the second reactor. At the same time, a second group of wafers are subjected to the first process within the first reactor. After the first process is completed, the second group of wafers is transferred into an unoccupied one of the second reactors as isolated from the outside air. There, the second group of wafers is subjected to the second process. Accordingly, process failures otherwise due to the exposure of the wafers are minimized, and productivity is high despite the difference in the processing times.

Abstract translation: 制造半导体器件的方法包括第一和第二工艺，后者需要更多的处理时间。 用于执行半导体制造工艺的装置包括第一反应器和用于每个第一反应器的多个第二反应器。 第一组晶片在第一反应器内经受第一过程，然后在与外部空气隔离的情况下被转移到第二反应器中。 第一组晶片在第二反应器内经受第二过程。 同时，第二组晶片在第一反应器内经受第一过程。 在第一过程完成之后，第二组晶片被转移到与外部空气隔离的未被占据的第二反应器中。 在那里，第二组晶片经受第二过程。 因此，由于晶片的暴露而导致的工艺失败被最小化，并且尽管处理时间不同，生产率也很高。

公开(公告)号：KR100394571B1

公开(公告)日：2003-08-14

申请号：KR1019990040069

申请日：1999-09-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양창집 ,  김태철 ,  안재혁

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/455

Abstract: A chemical vapor deposition apparatus includes a processing chamber formed by an external tube, and an internal tube installed inside the external tube, a wafer boat securable within the processing chamber, and a single gas diffusing nozzle extending vertically within the processing chamber. The gas diffusing nozzle includes an outer tubular member having a closed top end, a diaphragm dividing the interior of the tubular member into two regions disposed side by side, and columns of gas diffusing openings extending through the tubular member on opposite sides of the diaphragm, respectively. The gas infused through the gas diffusing nozzle is forced by the diaphragm to rise up one side region of the tubular member and then descend through the other side region. In this way, the gas is evenly distributed to the wafers situated in the boat. Accordingly, the reaction time necessary for the gas to form identical layers on the wafers is minimized, the quality and reliability of the wafers is improved, and the production rate is increased.

Abstract translation: 化学气相沉积设备包括由外管形成的处理室和安装在外管内部的内管，可固定在处理室内的晶片舟和在处理室内垂直延伸的单个气体扩散喷嘴。 气体扩散喷嘴包括：具有封闭顶端的外管状部件;将该管状部件的内部分成并排设置的两个区域的隔膜;以及在隔膜的相对侧上延伸穿过管状部件的气体扩散开口的列， 分别。 通过气体扩散喷嘴注入的气体受到隔膜的作用而升高到管状部件的一侧区域，然后通过另一侧区域下降。 通过这种方式，气体均匀地分布在位于船上的晶片上。 因此，气体在晶片上形成相同层所需的反应时间被最小化，晶片的质量和可靠性得到改善，并且生产率提高。

公开(公告)号：KR1020010081624A

公开(公告)日：2001-08-29

申请号：KR1020000007532

申请日：2000-02-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재혁

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A semiconductor manufacturing system for performing a process by supplying a process gas into a tube is provided to form uniformly thickness of a layer formed on a wafer by supplying constantly a process gas. CONSTITUTION: An LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) system(10) has an internal tube(30) and an external tube(20). A boat(40) is installed within the internal tube(30) in order to load a wafer. A nozzle(50) and an outlet tube(60) are installed at a lower portion of the LPCVD system(10). A process gas is provided to the LPCVD system(10) through the nozzle(50). The outlet tube(60) exhausts the process gas from the LPCVD system(10) to the outside. A projection(36) is formed at an inner wall(32) of the internal tube(30). A flow direction of the process gas is controlled by the projection(36).

Abstract translation: 目的：提供一种用于通过向管中提供处理气体来进行处理的半导体制造系统，以通过不断地供给处理气体来形成在晶片上形成的层的均匀厚度。 构成：LPCVD（低压化学气相沉积）系统（10）具有内管（30）和外管（20）。 为了加载晶片，在内管（30）内安装船（40）。 喷嘴（50）和出口管（60）安装在LPCVD系统（10）的下部。 通过喷嘴（50）将工艺气体提供给LPCVD系统（10）。 出口管（60）将处理气体从LPCVD系统（10）排出到外部。 在内管（30）的内​​壁（32）形成突起（36）。 处理气体的流动方向由投影（36）控制。