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1.发明授权
公开(公告)号：KR100360401B1
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：KR1020000013608
申请日：2000-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 박막이 형성되는 속도를 증대시킬 수 있는 반도체소자 제조장치에 관해 개시한다. 본 발명은 반도체소자 제조장치의 공정튜브에 슬릿형태로 된 공정가스 인입부를 구성하고, 복수개의 홀을 갖는 폐가스 배출부를 구성하며, 이러한 공정가스 인입부와 폐가스 배출부를 공정튜브 본체 내부에 일체형으로 구성한다.
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2.发明公开
公开(公告)号：KR1020010091670A
公开(公告)日：2001-10-23
申请号：KR1020000013608
申请日：2000-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C30B25/14
Abstract: PURPOSE: A process tube and a semiconductor manufacturing apparatus including a slit type process gas inlet part and a waste gas outlet part of a porous structure are provided to improve a deposition speed and uniformity of a film and prevent particles by using a wafer of a large-scaled diameter. CONSTITUTION: A gas pipe(130) for buffer is formed at the first side of a tube body of a process tube(100). The gas pipe(130) for buffer is connected with a slit-shaped process gas inlet part(150) and a gas inlet pipe(120). The gas inlet pipe(120) is connected with a gas control system pipe(400). A gas exhaust pipe(170) is formed at the second side of the process tube(100). The gas exhaust pipe(170) is connected with an exhaust gas outlet part(180) and a vacuum pump pipe(500).
Abstract translation: 目的：提供包括狭缝型工艺气体入口部分和多孔结构的废气出口部分的处理管和半导体制造装置，以提高膜的沉积速度和均匀性，并通过使用大的晶片来防止颗粒 标尺直径。 构成：在处理管（100）的管体的第一侧形成用于缓冲器的气体管道（130）。 用于缓冲器的气体管道（130）与狭缝状工艺气体入口部分（150）和进气管道（120）连接。 气体入口管（120）与气体控制系统管道（400）连接。 在处理管（100）的第二侧形成排气管（170）。 排气管170与排气出口部180和真空泵管500连接。
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公开(公告)号：KR1019990074153A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980007558
申请日：1998-03-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
Abstract: 본 발명은 히팅챔버 몸체의 웨이퍼 입구 부분까지 히팅코일을 확장하여 웨이퍼의 출입시 웨이퍼 입구 부분에서의 온도저하를 방지하게 하는 반도체 확산설비의 히팅챔버에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 확산설비의 히팅챔버는, 반도체 확산공정에서 웨이퍼의 불순물 확산에 필요한 고온의 환경을 만들어 주기 위하여 내부에 중공부를 형성하고, 일측에 웨이퍼입구가 형성된 히팅챔버 몸체 및 전원으로부터 전기를 공급받아 발열하고, 상기 히팅챔버 몸체에 설치된 히팅코일을 구비하여 이루어지는 반도체 확산설비의 히팅챔버에 있어서, 상기 히팅챔버 몸체의 웨이퍼입구에 상기 웨이퍼입구를 감싸는 형태의 히팅코일을 설치하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 빠른 온도보상이 가능하고, 웨이퍼의 가공불량을 방지하게 하는 효과를 갖는 것이다.-
公开(公告)号：KR1019990048104A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970066717
申请日：1997-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 반도체 커패시터 제조설비 및 이를 이용한 반도체 커패시터 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 커패시터 제조설비는 웨이퍼의 커패시터 하부전극상에 HSG 공정이 진행되는 제 1 공정챔버, 상기 HSG이 형성된 하부전극상에 커패시터 형성을 위한 후속공정들이 수행되는 제 2 공정챔버 및 상기 제 1 공정챔버와 제 2 공정챔버 사이의 로드락챔버를 구비하여 이루어지며, 본 발명에 따른 반도체 커패시터 제조방법은 상기 제 1 공정챔버 내에서 상기 하부전극 표면상에 HSG을 형성하는 단계, 상기 HSG이 형성된 웨이퍼를 상기 로드락챔버를 경유하여 상기 제 2 공정챔버로 이송하는 단계, 상기 제 2 공정챔버 내에서 상기 웨이퍼에 대하여 어닐링 공정을 수행하는 단계 및 상기 어닐링공정이 수행된 웨이퍼에 대하여 제 2 공정챔버의 공정조건을 변경한 후 인-시튜로 상기 하부전극상에 유전막을 형성시키는 단계를 구비하여 이루어지는 � ��을 특징으로 한다.
따라서, 커패시터 제조공정에 소요되는 시간을 줄여 수율을 향상시킬 수 있고, 하부전극 상에 양질의 산화막을 형성할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100538279B1
公开(公告)日：2006-05-09
申请号：KR1019980022422
申请日：1998-06-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 확산공정설비의 웨이퍼 이송시스템 및 웨이퍼 이송방법에 관한 것이다.
본 발명의 확산공정설비의 웨이퍼 이송시스템은 다수개의 웨이퍼가 일정각도로 기울어져 안착되는 웨이퍼보트와, 상기 웨이퍼보트로 상기 웨이퍼를 이송하는 이송장치 및 상기 이송장치의 동작을 제어하도록 제어신호를 인가하는 제어부를 포함하여 이루어지고, 본 발명의 웨이퍼 이송방법은 상기 웨이퍼를 흡착하여 수평이동하는 단계와, 상기 웨이퍼보트를 향해 상기 웨이퍼를 회전시키는 단계와, 상기 웨이퍼를 회전시켜 일정각도로 기울어지게 하는 단계와, 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼보트에 안착시키는 단계 및 다른 웨이퍼를 이송하도록 준비를 하는 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서, 웨이퍼보트에 다량의 웨이퍼를 안착시키는 것이 가능하고, 경사진 웨이퍼들 사이의 공간으로 공정가스의 흐름이 원활해지므로 웨이퍼 상에 형성되는 박막층의 균일성을 향상시키며, 웨이퍼의 중심부와 주변부의 온도차에 의한 열팽창의 차이를 해소하여 웨이퍼 상에 균열이 발생하는 슬립현상을 억제하게 하는 효과를 갖는다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010053701A
公开(公告)日：2001-07-02
申请号：KR1019990054172
申请日：1999-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A heating system for manufacturing a semiconductor is provided to minimize a loss of heat of a furnace by using a thermal shielding portion formed with a reflective plate at a lower side of a wafer boat. CONSTITUTION: An outer tube(21) is located inside of an insulating material(20). A lower side of the insulating material(20) is opened. An inner tube(22) is located at inside of the outer tube(21). An upper and a lower side of the inner tube(22) are opened. A gas supply tube(23) is installed at one side of the outer tube(21). An exhaust portion(24) is installed at the other side of the outer tube(21). An elevating plate(25) is formed at a lower side of the outer tube(21). A rotary shaft(26) is formed at an upper side of the elevating plate(25). A wafer boat(27) is located at an upper side of the rotary(26). A thermal shielding portion(30) is inserted between the rotary shaft(26) and the boat(27).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的加热系统，通过使用在晶片舟皿的下侧形成有反射板的热屏蔽部分来最小化炉的热损失。 构成：外管（21）位于绝缘材料（20）的内部。 打开绝缘材料（20）的下侧。 内管（22）位于外管（21）的内侧。 内管（22）的上侧和下侧开口。 气体供给管（23）安装在外管（21）的一侧。 排气部分（24）安装在外管（21）的另一侧。 在外管（21）的下侧形成有升降板（25）。 旋转轴（26）形成在升降板（25）的上侧。 晶片舟（27）位于旋转体（26）的上侧。 热屏蔽部分（30）插入在旋转轴（26）和船（27）之间。
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公开(公告)号：KR1019990047770A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970066287
申请日：1997-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 본 발명은 반도체소자의 커패시터 제조방법 및 이에 따라 제조되는 반도체 커패시터에 관한 것이다.
본 발명은, 패턴이 형성된 반도체기판 상에 산화막을 최상층에 포함하는 소정의 절연막들을 순차적으로 형성시킨 후, 콘택홀이 형성되도록 상기 소정의 절연막들을 제거시키는 단계; 상기 콘택홀을 포함하는 반도체기판의 산화막 상에 커패시터의 하부전극물질층을 형성시키는 단계; 상기 산화막의 소정의 영역이 노출되도록 상기 하부전극물질층을 제거시키는 단계; 상기 하부전극물질층의 제거로 노출되는 산화막을 언더컷시키는 단계; 상기 산화막의 언더컷에 의해 노출되는 상기 하부전극물질층의 하부표면을 포함하는 표면을 세정시키는 단계; 및 상기 산화막의 언더컷에 의해 노출되는 하부전극물질층의 하부표면을 포함하는 표면적이 증가되도록 헤미스페리컬그레인공정을 수행하는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 하부전극물질층의 표면적의 안정적인 증가를 통하여 커패시터의 용량을 극대화시킴으로써 반도체소자의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980015715A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035151
申请日：1996-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 웨이퍼를 반도체 소자 제조공정이 진행되는 공정챔버로 옮겨주는 반도체 웨이퍼 보트에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 웨이퍼가 안착되는 내부링과 상기 내부링을 둘러싸는 외부링이 소정의 위치에서 복수의 연결부에 의해서 연결되어 일체가 된 복수개의 웨이퍼 받침부가 상기 외부링 상에 형성된 복수의 수직지지보에 의해서 일정한 간격으로 서로 이격되며 적층되어짐을 특징으로 한다.
따라서, 웨이퍼 및 수직지지보의 휘어짐이 방지되어 웨이퍼의 표면이 찢어지는 공정불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100536586B1
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：KR1019990001161
申请日：1999-01-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 반도체 제조 공정이 수행되는 공정 챔버로 일군의 반도체 웨이퍼들을 로딩시키기 위한 반도체 제조 장치의 보우트에 관한 것으로, 본 발명에 따른 보우트는 일군의 반도체 웨이퍼들과 모니터링 웨이퍼들 그리고 더미 웨이퍼들이 적재되는 복수개의 슬롯들이 형성된 반도체 제조 장치의 보우트에 있어서: 더미 웨이퍼들이 적재되는 슬롯들상에 형성되는 그리고 공정 진행시 공정 가스를 여과하고 공정 가스의 불안정에 의한 일군의 반도체 웨이퍼들의 균일성 저하를 방지하기 위한 필터들을 포함하되; 필터들은 더미 웨이퍼와 동일한 형상으로 이루어진다.
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公开(公告)号：KR100253094B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019970066287
申请日：1997-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/84
Abstract: PURPOSE: A method for forming a capacitor of a semiconductor device and the capacitor formed by the method are provided to improve reliability of the device by increasing capacitance of the capacitor through a stable increase in a surface area of a lower electrode material layer. CONSTITUTION: In the method, insulating layers(22) with an uppermost oxide layer(24) are formed in sequence on a semiconductor substrate(20) with a pattern formed thereon, and then a portion of the insulating layers(22) is removed to form a contact hole. Next, the lower electrode material layer(28) of the capacitor is formed over the oxide layer(24) and in the contact hole. The lower electrode material layer(28) is then removed to expose a certain portion of the oxide layer(24), and the oxide layer(24) is undercut from the exposed portion. Next, after cleaning a surface including a lower surface of the lower electrode material layer(28) exposed by undercut of the oxide layer(24), a hemispherical grain process is performed to increase the surface area. Thus, the resultant capacitor has a lower electrode with a hemispherical-shaped surface.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的电容器和由该方法形成的电容器的方法，以通过增加下电极材料层的表面积的稳定增加电容器的电容来提高器件的可靠性。 构成：在该方法中，在其上形成有图案的半导体衬底（20）上依次形成具有最上部氧化物层（24）的绝缘层（22），然后将一部分绝缘层（22）去除 形成接触孔。 接下来，电容器的下电极材料层（28）形成在氧化物层（24）上和接触孔中。 然后去除下电极材料层（28）以暴露氧化物层（24）的某一部分，并且氧化物层（24）从露出部分切下。 接下来，在清洁包括由氧化物层（24）的底切露出的下电极材料层（28）的下表面的表面之后，进行半球形晶粒加工以增加表面积。 因此，所得电容器具有具有半球形表面的下电极。
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