-
公开(公告)号：KR1020140031556A
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：KR1020120097825
申请日：2012-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1068
Abstract: A flash memory system according to an embodiment of the present invention comprises: a flash memory; an ECC circuit which receives data from the flash memory and calculates a number of fail-bits of each page data; an abnormal word line detector which receives the number of fail-bits of each page from the ECC circuit and detects an abnormal word line by comparing the number of fail-bits of each page; and a control unit which receives a detection signal from the abnormal word line and controls the flash memory. According to the flash memory system of the embodiment of the prevent invention, a normal word line and an abnormal word line can be distinguished easily and the abnormal word line can be detected early by comparing the rate of change in fail-bits between the word lines.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的闪存系统包括：闪速存储器; ECC电路，其从闪速存储器接收数据并计算每页数据的故障比特数; 异常字线检测器，其从ECC电路接收每页的故障位的数量，并通过比较每页的故障位数来检测异常字线; 以及控制单元，其接收来自异常字线的检测信号并控制闪速存储器。 根据本发明的实施例的闪存系统，可以容易地识别正常字线和异常字线，并且可以通过比较字线之间的故障比特的变化率来提前检测异常字线 。
-
公开(公告)号：KR101309113B1
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：KR1020070085004
申请日：2007-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임재우
CPC classification number: G11C8/12 , G11C8/14 , G11C16/30 , G11C2216/22
Abstract: 리드 와일 라이트 동작 시 발생하는 리드 전압의 변동을 최소화할 수 있는 노아 플래시 메모리 장치 및 방법이 개시된다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는, 독출 전압 생성기, 기입 전압 생성기 및 스위치들을 구비한다. 독출 전압 생성기는 상기 뱅크로부터의 독출 동작에 사용되는 독출 전압을 생성한다. 기입 전압 생성기는 상기 뱅크에 대한 기입 동작에 사용되는 기입 전압을 생성한다. 스위치들은 제어 신호에 응답하여, 상기 뱅크에 인가되는 전압을 기입 전압 및 독출 전압으로 스위칭한다. 상기 기입 전압 생성기는, 상기 뱅크에 대한 기입 동작에서 독출 동작으로 전환되기 전, 상기 기입 전압을 상기 독출 전압의 전압 레벨과 동일한 전압 레벨로 생성한다. 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는, 기입 동작에서 독출 동작으로 전환하기 전에, 기입 전압을 이용하여 대응되는 뱅크에 독출 전압과 같은 레벨의 전압을 인가함으로써, 리드 와일 라이트 기능에 따른 독출 전압의 변동을 최소화할 수 있는 장점이 있다.
-
公开(公告)号：KR1020090079657A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：KR1020080005790
申请日：2008-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임재우
CPC classification number: G11C5/145 , G11C8/10 , G11C11/5642 , G11C16/08 , G11C16/30
Abstract: A flash memory device for generating a stable word line voltage is provided to improve reliability of a read operation by stably generating the word line voltage for leading a memory cell. A flash memory device(100) includes a word line voltage generator(110), a switch unit(120), a row decoder(130), and a control circuit(140). The word line voltage generator generates the word line voltage for driving a word line of a memory cell. The switch unit selectively outputs the word line voltage and the initial voltage by the switching operation. The row decoder operates the word line of the memory cell based on the output of the switch unit. The control circuit generates the control signal for controlling the switch unit. The switch unit outputs the initial voltage for at least one section in the read operation according to the control of the control circuit.
Abstract translation: 提供用于产生稳定字线电压的闪速存储器件，以通过稳定地产生用于引导存储单元的字线电压来提高读取操作的可靠性。 闪存装置（100）包括字线电压发生器（110），开关单元（120），行解码器（130）和控制电路（140）。 字线电压发生器产生用于驱动存储单元的字线的字线电压。 开关单元通过开关操作选择性地输出字线电压和初始电压。 行解码器基于开关单元的输出来操作存储器单元的字线。 控制电路产生用于控制开关单元的控制信号。 开关单元根据控制电路的控制在读取操作中输出至少一个部分的初始电压。
-
公开(公告)号：KR100719372B1
公开(公告)日：2007-05-17
申请号：KR1020050073444
申请日：2005-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/3454 , G11C2211/5621
Abstract: 본 발명은 노어 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 노어 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법은, 소스 라인을 공유하는 복수의 메모리 셀에 데이터를 프로그램하는 단계; 상기 복수의 메모리 셀에 연결된 감지 증폭기들을 인에이블하는 단계; 상기 복수의 메모리 셀에 더미 검증 전압을 인가하고 더미 검증 동작을 수행하는 단계; 더미 검증 동작의 결과 온 셀에 연결된 감지 증폭기를 디스에이블하는 단계; 및 상기 복수의 메모리 셀에 검증 전압을 인가하고 프로그램 검증 동작을 수행하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 프로그램 검증 동작 시에 소스 라인의 전압이 상승하는 것을 방지할 수 있기 때문에 정확한 프로그램 검증 결과를 얻을 수 있다.
-
公开(公告)号：KR100706252B1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：KR1020050068561
申请日：2005-07-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/12 , G11C16/3454
Abstract: 본 발명은 노어 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 노어 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법은, 본 발명에 따른 노어 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법은, 데이터 버퍼에 저장된 데이터를 메모리 셀에 프로그램하고; 프로그램 검증 동작 시에, 상기 데이터 버퍼에 저장된 데이터에 따라 감지 증폭기로부터 상기 메모리 셀로의 전류 공급을 제어한다. 여기에서, 상기 메모리 셀에 프로그램된 데이터가 프로그램 검증을 필요로 하는 경우에, 상기 감지 증폭기로부터 상기 메모리 셀로 전류가 공급된다. 그러나 상기 메모리 셀에 프로그램된 데이터가 프로그램 검증을 필요로 하지 않는 경우에는, 상기 감지 증폭기로부터 상기 메모리 셀로의 전류 공급이 차단된다. 본 발명에 의하면, 프로그램 검증 동작 시에 소스 라인의 전압이 상승하는 것을 방지할 수 있기 때문에 정확한 프로그램 검증 결과를 얻을 수 있다.
Abstract translation: NOR闪存器件及其编程方法技术领域本发明涉及NOR闪存器件及其编程方法。 根据本发明的NOR闪存器件的编程方法是根据本发明的用于编程NOR闪存器件的方法，包括：将存储在数据缓冲器中的数据编程到存储器单元中; 并且根据在编程验证操作期间存储在数据缓冲器中的数据来控制从读出放大器到存储器单元的电流供应。 这里，当在存储单元中编程的数据需要编程验证时，从读出放大器向存储单元提供电流。 然而，如果存储器单元中的编程数据不需要编程验证，则从读出放大器到存储器单元的电流供应被中断。 根据本发明，由于在编程验证操作期间可以防止源极线的电压上升，所以可以获得正确的编程验证结果。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070018598A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：KR1020050073444
申请日：2005-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/3454 , G11C2211/5621
Abstract: 본 발명은 노어 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 노어 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법은, 소스 라인을 공유하는 복수의 메모리 셀에 데이터를 프로그램하는 단계; 상기 복수의 메모리 셀에 연결된 감지 증폭기들을 인에이블하는 단계; 상기 복수의 메모리 셀에 더미 검증 전압을 인가하고 더미 검증 동작을 수행하는 단계; 더미 검증 동작의 결과 온 셀에 연결된 감지 증폭기를 디스에이블하는 단계; 및 상기 복수의 메모리 셀에 검증 전압을 인가하고 프로그램 검증 동작을 수행하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 프로그램 검증 동작 시에 소스 라인의 전압이 상승하는 것을 방지할 수 있기 때문에 정확한 프로그램 검증 결과를 얻을 수 있다.
Abstract translation: NOR闪存器件及其编程方法技术领域本发明涉及NOR闪存器件及其编程方法。 根据本发明的NOR闪存器件的编程方法包括：将数据编程到共享源极线的多个存储器单元中; 启用耦合到所述多个存储器单元的读出放大器; 将虚拟验证电压施加到所述多个存储器单元并执行虚拟验证操作; 禁用耦合到由虚拟验证操作产生的on-cell的读出放大器; 并且将验证电压施加到多个存储器单元并执行编程验证操作。 根据本发明，由于在编程验证操作期间可以防止源极线的电压上升，所以可以获得正确的编程验证结果。
-
公开(公告)号：KR100632367B1
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020040095595
申请日：2004-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임재우
CPC classification number: G11C16/102
Abstract: 불휘발성 반도체 메모리 장치의 프로그램 비트 스캔표시회로가 게시된다. 본 발명의 프로그램 비트 스캔표시회로는 카운팅부, 설정비트수 제공부 및 비교부를 구비한다. 상기 카운팅부는 소정의 프로그램 필요 비트수를 카운팅하며, 상기 프로그램 필요 비트수를 나타내는 카운팅비트신호군을 제공한다. 상기 설정비트수 제공부는 상기 설정비트수를 나타내는 설정비트신호군을 제공한다. 상기 설정비트수은 외부에서 제어할 수 있다. 상기 비교부는 상기 카운팅비트신호군을 상기 설정비트신호군과 비교하여, 궁극적으로 상기 메모리어레이에 대한 프로그램을 제어하는 스캔종료신호를 제공한다. 상기 스캔종료신호는 상기 프로그램 필요 비트수가 상기 설정비트수에 도달함에 응답하여 천이한다. 본 발명의 프로그램 비트 스캔표시회로에 의하면, 설계자 또는 이용자가 동시에 프로그램할 비트수를 조절할 수 있게 되며, 전체적으로 프로그램 시간이 현저히 단축될 수 있다.
프로그램, 불휘발성, 메모리, 설정비트Abstract translation: 发布非易失性半导体存储器件的程序位扫描显示电路。 本发明的程序位扫描显示电路包括计数单元，设定位计算器和比较器。 计数单元对预定数量的编程所需位进行计数，并提供指示编程所需位数的计数位信号组。 设定位数提供单元提供指示设定位数的设定位信号组。 设定的位数可以从外部控制。 比较单元将计数位信号组与设定的位信号组进行比较，以提供最终控制存储器阵列的程序的扫描结束信号。 扫描结束信号响应于达到设定位数的程序所需位数而转换。 根据本发明的编程位扫描显示电路，可以调节由设计者或用户同时编程的位数，并且整个编程时间可以显着缩短。
-
公开(公告)号：KR1020060032507A
公开(公告)日：2006-04-17
申请号：KR1020040081465
申请日：2004-10-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임재우
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/10 , G11C7/1096 , G11C16/0483 , G11C16/3454
Abstract: A nonvolatile memory device is programmed by selectively scanning input data bits to detect data bits to be programmed, and programming the detected data bits. The detected data bits may be programmed in predetermined units. The input data bits may be selectively scanned by combining input data bits in groups, thereby generating combinational information, and generating address information in response to the combinational information.
Abstract translation: 这里公开的非易失性存储器件和编程方法将从外部输入的多个数据位组合成多个组。 然后，选择性地执行用于根据组合结果检测要实际编程的数据位的数据扫描以及用于检测到的位的地址计算。 在本发明中，不是扫描所有数据位，而是根据数据位的组合选择性地执行数据扫描，从而减少了数据扫描所需的时间和编程时间。
-
29.发明公开
公开(公告)号：KR1020170085774A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：KR1020160005318
申请日：2016-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/3495 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3459
Abstract: 본발명에따른플래시메모리장치의프로그램방법에있어서, 플래시메모리장치는다수의페이지들을포함하는비휘발성메모리장치의프로그램방법에있어서, 상기다수의페이지들중 선택워드라인에프로그램전압을인가하여프로그램동작을실시하고, 상기선택워드라인에프로그램검증전압을인가하여프로그램검증동작을실시하는제 N 프로그램루프를수행하는단계, 상기선택워드라인에연결된메모리셀들중 문턱전압이상기프로그램검증전압이상인메모리셀들의개수를카운팅하는단계, 상기카운팅결과및 상기제 N 프로그램루프동작조건을기반으로전압보정값을생성하는단계및 상기제 N 프로그램루프이후에수행되는프로그램루프의프로그램전압에상기전압보정값을합산하는단계를포함한다.
Abstract translation: 在根据本发明的闪存装置的程序的方法，所述闪速存储器件中用于非易失性存储装置的编程方法进行操作，其包括多个页，所述编程电压施加到多个页面编程的所选字线 该实施例和的，所述N个程序步骤，移相器程序的阈值电压的存储器单元验证电压不大于连接到所选字线的存储器单元更小来执行环路用于执行程序通过施加编程验证电压施加到所选字线验证操作 基于计数结果和第N编程循环操作条件生成电压校正值，并且将电压校正值添加到在第N编程循环之后执行的编程循环的编程电压 等等。
-
公开(公告)号：KR1020150095442A
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：KR1020140016742
申请日：2014-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/14 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/3459
Abstract: 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법은 커맨드 라인을 통해 시작 명령을 수신하고, 어드레스 라인을 통해 어드레스를 수신하고, 어드레스 라인을 통해 설정 값을 수신하고, 커맨드 라인을 통해 시작 명령에 대응되는 확인 명령을 수신하고, 시작 명령, 설정 값의 개수 및 확인 명령에 기초하여 설정 값을 비휘발성 메모리 장치의 파라메터로 설정하고, 설정된 파라메터에 기초하여 어드레스에 상응하는 메모리 셀에 대해 시작 명령에 상응하는 동작을 수행한다.
Abstract translation: 一种操作非易失性存储器件的方法包括以下步骤：通过命令行接收启动命令; 通过地址线接收地址; 通过地址线接收设置值; 通过命令行接收与启动命令对应的确认命令; 基于所述启动命令，所述设定值的数量以及作为所述非易失性存储器件的参数的所述确认命令来设置设定值; 并且基于所设置的参数，对与所述地址相对应的存储单元执行对应于所述启动命令的操作。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.024 seconds)
