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公开(公告)号:KR2019970046730U
公开(公告)日:1997-07-31
申请号:KR2019950048863
申请日:1995-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본고안은반도체소자의제조공정웨이퍼의표면에형성된금속층을평탄화시키기위한 CMP공정에관한것으로특히장비구조를개선하므로서설비의크기를최소화한반도체소자제조용평탄화장치에대한것이다. 종래의평탄화장치는불필요한연마면적으로장비의크기를확대시키고, 작업시장비의이송거리를길게하여불필요한공간의확대와이에따르는부대비용의손실과작업효율을저하시키는문제점이있었다. 본고안은상술한문제점을극복하기위한것으로, 웨이퍼의연마를위한제1 연마테이블을도넛형으로형성하고, 제1 연마테이블의중심공간에회전중심이동일하도록원형의제2 연마테이블을배치하여작업공간의효율적인활용으로장비의최소화와아울러생산성을향상시킬수 있도록한 것이다.
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公开(公告)号:KR1019970052664A
公开(公告)日:1997-07-29
申请号:KR1019950056416
申请日:1995-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 제조공정 웨이퍼에 표면에 형성된 금속층의 면을 평탄화시키기 위한 CMP공정에 관한 것으로 특히 연마되는 기판을 균일도를 높일수 있도록 한 연마면의 균일도 개선방법 및 이를 이용한 개선장치에 관한 것이다.
종래의 평탄화 장비는 연마공정시 특정부위에 후면 공기압력이 치중되어 공정진행시 이로 인하여 웨이퍼의 연마속도 및 연마두께에 불균일을 이루는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로 웨이퍼 후면에서 공기압을 가하는 복수개의 통공이 형성된 케리어 어셈블리를 구비하고, 상기 통공중 일부가 그 이외 부위의 통공을 통한 공기압과 차등한 압력이 가해지도록 하는 압력 차등공급수단을 구비하여 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일한 연마 효과를 얻도록 한 것이다.
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