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公开(公告)号：KR1020040047261A
公开(公告)日：2004-06-05
申请号：KR1020020075408
申请日：2002-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A retainer ring of a CMP(chemical mechanical polishing) apparatus is provided to minimize deformation of horizontality of the bottom surface according to the fastened state of a screw by improving the structure of a retainer ring of a polishing head. CONSTITUTION: A manifold(144) disperses the air supplied from the outside to the inside of the polishing head. A carrier(146) is disposed under the manifold. A recess for receiving a semiconductor wafer is formed in the retainer ring(160) so that the retainer ring is disposed under the carrier and is coupled to the carrier. A bearing(170) is inserted into the retainer ring to planarize the bottom surface of the retainer ring.
Abstract translation: 目的：提供CMP（化学机械抛光）装置的保持环，通过改善抛光头的保持环的结构，根据螺钉的紧固状态使底面的水平度的变形最小化。 构成：歧管（144）将从外部供应的空气分散到抛光头的内部。 载体（146）设置在歧管下方。 用于容纳半导体晶片的凹部形成在保持环（160）中，使得保持环设置在载体下方并且耦合到载体。 将轴承（170）插入保持环中以平坦化保持环的底表面。
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公开(公告)号：KR2019970046732U
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR2019950048873
申请日：1995-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본고안은반도체소자의제조공정웨이퍼에표면에형성된금속충을평탄화시키기위한 CMP공정에관한것으로특히장비의구조를개선한평탄화장치에대한것이다. 종래의평탄화장치는연마기와세척기의시스템구조가별도로구성되어공정이복잡하여기본사이즈가크며, 향후웨이퍼의사이즈도커질추세이므로이에따르는장비의확대로작업공간을확보하는데커다란어려움을직면하게되는문제점이있었다. 본고안은상술한문제점들을극복하기위한것으로연마기와세척기가하나를장비내어서작업할수 있도록제1, 제2 연마패드와크린스테이션을동일한중심을갖도록배치하여웨이퍼의작업공간의이동거리를짧게하고, 아암이홀더와세척및 패드컨디셔너기능을병행하고, 로디언로드부분을하나로통합하므로서장비의작업공정수및 크기를축소시킴으로서장비의가동효율및 작업시간을단축시킬수 있도록하였다.
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公开(公告)号：KR1019970052672A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950059249
申请日：1995-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 기판으로 이용되는 웨이퍼의 연마공정에 있어서, 상기 웨이퍼를 연마하기 위한 연마제내의 불순물 이온을 제거하는 웨이퍼 연마제내의 불순물 이온 제거장치 및 그 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 연마제를 담고 있는 연마조와; 상기 연마조의 연마제내로 투입된 두개의 전극판과; 상기 두개의 전극판을 양극판 및 음극판으로 대전시키기 위해 상기 두개의 전극판과 연결된 전원부와; 사상기 연마조내의 연마재를 교반시키는 역할을 맡는 회전날개로 이루어진 구성과, 웨이퍼 연마재를 담고 있는 연마조와, 이 연마조내에 설치된 두개의 전극판과, 상기 연마재를 교반하기 위해 상기 연마조내에 설치된 회전날개를 구비한 웨이퍼 연마제의 불순물 제거장치의 불순물 제거방법에 있어서, 상기 두개의 전극판이 양극과 음극으로 대전되도록 전원을 공급하는 공정을 포함하고 있다. 이 장치 및 방법에 의해서 웨이퍼 연마제내의 금속 불순물 이온을 제거하여 사용함으로써, 반도체 장치 제조공정중 약액세정 처리공정을 수행하지 않을 수 있고, 이에 따라 반도체 장치의 제조공정을 단순화시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170011868A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020150105288
申请日：2015-07-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L25/065 , H01L25/18 , H01L25/07 , H01L23/28
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/13025 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2225/1088 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/15331 , H01L2924/1815 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 반도체패키지형태의솔리드스테이트드라이브인솔리드스테이트드라이브패키지및 이를포함하는데이터저장시스템을제공한다. 본발명에따른솔리드스테이트드라이브패키지는하부패키지기판, 하부패키지기판상에실장되는컨트롤러칩, 및컨트롤러칩을덮도록하부패키지기판의상면상에형성되는하부몰드층을포함하는하부패키지및 하부패키지상에서로이격되도록배치되며, 하부패키지와패키지-온-패키지방식으로각각연결되는적어도하나의비휘발성메모리패키지와적어도하나의제1 개별전자부품을가지는개별전자부품패키지로이루어지는복수의상부패키지를포함하되, 적어도하나의제1 개별전자부품의두께는하부몰드층의두께보다큰 값을가진다.
Abstract translation: 固态驱动器（SSD）封装类型具有下封装，其包括下封装基板，安装在下封装基板上的控制芯片以及设置在下封装上彼此间隔开的多个上封装。 多个上包装包括至少一个非易失性存储器和至少一个第一单独的电子部件。 上封装电连接到下封装，使得封装类型是封装封装（PoP）型。 第一单独电子部件的高度大于下部封装与每个上部封装之间的间隔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102171211B1
公开(公告)日：2020-10-28
申请号：KR1020130112340
申请日：2013-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B24B53/017 , B24B37/20 , H01L21/306
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公开(公告)号：KR1020150034866A
公开(公告)日：2015-04-06
申请号：KR1020130114143
申请日：2013-09-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B21/002 , B24B9/065 , B24B37/02
Abstract: 본발명의연마장치는주연부가노출된웨이퍼가탑재할수 있는척과, 상기웨이퍼의주연부를연마할수 있는연마헤드와, 상기웨이퍼의연마시에상기웨이퍼상부에설치되고, 상기연마액을분사시켜상기척의상부에상기웨이퍼를보호하도록액체커튼을형성할수 있는연마액공급어셈블리를포함한다.
Abstract translation: 本发明的研磨装置包括：夹持露出周边部分的晶片的卡盘，抛光晶片的周边部分的抛光头和安装在晶片的上部的抛光液供给组件 晶片抛光晶片并形成液幕以扩散抛光溶液并保护夹头上部的晶片。
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公开(公告)号：KR1020150009881A
公开(公告)日：2015-01-27
申请号：KR1020130084377
申请日：2013-07-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L23/5383 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/06135 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2224/49175 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 기판 상에 적층된 복수의 제 1 반도체 칩들; 및 상기 복수의 제 1 반도체 칩들 상에 배치된 제 2 반도체 칩을 포함하고, 상기 복수의 제 1 반도체 칩들은 제 1 반도체 칩 그룹과 제 2 반도체 칩 그룹을 포함하고, 상기 제 1 반도체 칩 그룹은 상기 제 2 반도체 칩과 제 1 채널을 통하여 전기적으로 연결되고, 상기 제 2 반도체 칩 그룹은 상기 제 2 반도체 칩과 제 2 채널을 통하여 전기적으로 연결되고, 상기 제 1 채널 및 상기 제 2 채널 중 적어도 하나는 상기 제 2 반도체 칩의 직접 하부에 배치된 제 1 반도체 칩의 상부 표면을 따라 연장되는 반도체 패키지에 관한 것이다. 본 발명은 동작 속도가 빠르면서도 소비전력이 적고 두께도 얇은 반도체 패키지를 저렴하게 제공할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及半导体封装。 更具体地，本发明包括堆叠在基板上的第一半导体芯片; 以及布置在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。 第一半导体芯片包括第一半导体芯片组和第二半导体芯片组。 第一半导体芯片组通过第一通道电连接到第二半导体芯片。 第二半导体芯片组通过第二通道电连接到第二半导体芯片。 第一通道和第二通道中的一个沿着直接布置在第二半导体芯片的下部的第一半导体芯片的上表面延伸。 本发明提高了操作速度，降低了功耗，并且以低成本提供了薄的半导体封装。
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公开(公告)号：KR1020050073891A
公开(公告)日：2005-07-18
申请号：KR1020040002004
申请日：2004-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/04 , B24B37/013
Abstract: 본 발명은 화학적 기계적 연마 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 웨이퍼의 막질을 연마하는 화학적 기계적 연마 방법에 있어서, 엔드 포인트 검출(EPD) 방식에 의해 상기 막질을 연마하는 단계와; 상기 엔드 포인트 검출(EPD) 방식에 의해 연마된 후 잔류하는 막질의 두께 데이터를 측정하는 단계와; 폐루프 제어 방식(CLC)에 의해 상기 두께 데이터에 대응하는 연마 시간을 계산하는 단계와; 상기 계산된 연마 시간동안 상기 잔류 막질을 연마하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 화학적 기계적 연마(CMP) 공정후 두께 산포를 종래에 비해 더 잘 관리할 수 있으며, 언더 CMP된 경우 필요한 경우 자동적으로 재연마 공정을 진행할 수 있다. 또한, 오퍼레이터에 의하여 CMP 진행 레시피(recipe)를 설정할 필요도 없으며, 결과적으로 완전 자동 시스템(Full Auto System)을 구현할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020040074269A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：KR1020030009793
申请日：2003-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A CMP apparatus is provided to improve polishing uniformity of a wafer by expanding uniformly a membrane in a polishing process. CONSTITUTION: A polishing pad is installed on an upper surface of a platen. A polishing head(200) is used for polishing a semiconductor substrate by pressing the semiconductor substrate on the polishing pad. The polishing head includes a support plate(224) installed on a bottom of the polishing head, a membrane(240) having a pressing part, the first fixing part, and the second fixing part, and a clamp(226) for fixing the membrane. A plurality of holes are formed on the support plate. A plurality of holes are formed on the pressing part.
Abstract translation: 目的：提供一种CMP设备，以通过在抛光过程中均匀地扩展膜来提高晶片的抛光均匀性。 构成：抛光垫安装在压板的上表面上。 抛光头（200）用于通过将半导体衬底压在抛光垫上来研磨半导体衬底。 抛光头包括安装在抛光头底部的支撑板（224），具有按压部分的膜（240），第一固定部分和第二固定部分，以及用于固定膜 。 在支撑板上形成多个孔。 在按压部上形成有多个孔。
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