公开(公告)号：KR100673012B1

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020050081896

申请日：2005-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송기환 ,  이종덕 ,  박병국 ,  정훈

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10802 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

Abstract: A DRAM(Dynamic Random Access Memory) device and a manufacturing method thereof are provided to improve the degree of integration by using effectively the area of a substrate using dual gate type vertical channel transistors. A DRAM device includes a semiconductor substrate(100) with a cell array region, pillar type active patterns, bit lines, word lines and a gate insulating layer. The active patterns are arranged within the cell array region of the substrate. The active pattern includes a source region, a drain region on the source region, a channel region between the source and drain regions. The bit lines are arranged on the active patterns. The bit lines are capable of connecting drain regions of the active patterns with each other in one direction. The word lines(195) are arranged between active patterns. The word lines cross the bit lines. The gate insulating layer(180) is interposed between the word lines and the active patterns.

Abstract translation: 提供DRAM（动态随机存取存储器）及其制造方法，以通过有效利用双栅型垂直沟道晶体管的衬底区域来提高积分度。 DRAM装置包括具有单元阵列区域的半导体衬底（100），柱状有源图案，位线，字线和栅极绝缘层。 有源图案被布置在基板的单元阵列区域内。 有源图案包括源极区域，源极区域上的漏极区域，源极区域和漏极区域之间的沟道区域。 位线布置在活动图案上。 位线能够将活动图案的漏极区域在一个方向上彼此连接。 字线（195）布置在活动图案之间。 字线穿过位线。 栅极绝缘层（180）插入在字线和有源图案之间。

公开(公告)号：KR100242569B1

公开(公告)日：2000-03-02

申请号：KR1019970049455

申请日：1997-09-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정훈

IPC: F25D25/00

Abstract: 본 발명은 커버가 닫힐 때 선반과 부딪힘에 따라 발생되는 충격을 감소시키고, 아울러 이에 따라 발생되는 소음을 감소시키도록 한 냉장고의 특선실 커버에 관한 것으로, 본 발명의 구성은 가이드레일이 형성된 냉장실 내벽과, 상기 가이드레일에 슬라이딩 가능하도록 설치된 선반과, 상기 선반의 양측에 연장된 지지단의 곡률반경에 따라 회동되도록 상기 냉장실의 내벽에 힌지결합된 커버를 포함하는 냉장고의 특선실에 있어서, 상기 냉장실의 상부 내벽에는 상기 커버(20)의 회동 구간을 제어하도록 스토퍼(30)가 돌출된 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 커버(20)의 상부 양측 모서리부에는 원통형의 회동핀(24)이 돌출되고, 상기 스토퍼(30)는 상기 회동핀(24)과 맞물리도록 일방향이 개방된 원형의 가이드부(32)가 형성된 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 커버의 회동핀이 냉장실의 상부 내벽에 형성된 스토퍼에 의해 제어됨으로써 커버의 회동구간이 제어되므로, 커버의 선단이 선반에 부딪히는 것이 방지되어 충격 및 소음이 방지된다는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR2020000002362U

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR2019980012159

申请日：1998-07-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정훈

IPC: F25D25/02

Abstract: 본 고안은 냉장고에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 내부에 저장되는 저장물의 유동이 방지되도록 선반의 상면에 설치되는 선반용 지지구에 관한 것이다.
본 고안에 따른 냉장고의 선반용 지지구는 반구상의 내곡면을 가지는 지지부와, 지지부의 하측에 돌출된 결합구로 구성되어 결합구가 선반에 형성된 관통공에 끼워져 결합되도록 하였다. 따라서 수박이나 메론처럼 둥글고 부피가 큰 저장물이 선반에 고정된 지지구의 내곡면에 안착되게 함으로써 저장물의 구름이나 유동이 방지되는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR200151332Y1

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR2019970003777

申请日：1997-02-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 백경준 ,  정훈

IPC: F25D23/00

Abstract: 본 고안은 냉장고용 도어의 일측 단부에 결합되는 냉장고용 핸들조립체에 관한 것으로서, 소정의 접촉선을 따라 막대기 접촉하여 연속된 외표면을 형성하는 제1 및 제2핸들부재와; 상기 양핸들부재의 내표면에서 상기 양 핸들부재를 상호 요철맞물림하는 수단을 포함한다. 이에 의해 내부핸들부재 및 외부핸들부재의 상호 단차없는 조립이 가능하며, 또한, 결합된 상태에서 소정의 외부 가압이나 충격등에 의해 쉽게 물림선의 가로로 상대변위되지 아니하게 된다.

公开(公告)号：KR1019990047432A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970065841

申请日：1997-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정훈

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 콘택 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 내에 n+형 불순물 영역과 p+형 불순물 영역을 갖는 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성한다. 상기 층간절연막을 식각 하여 상기 각 불순물 영역의 일부가 노출되도록 콘택홀을 형성한다. 상기 콘택홀 하부의 반도체 기판 상에 옴성 접촉층인 실리사이드막을 형성한다. 상기 콘택홀을 채우도록 도핑된 폴리실리콘막을 형성한다. 이와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 의해서, 콘택홀 필링 물질로서, 필링 특성이 좋고 힛 버짓에 강한 도핑된 폴리실리콘막을 사용함으로써, 콘택의 스텝 카버리지를 향상시킬 수 있고, n+형 불순물 영역 및 p+형 불순물 영역에 동시에 옴성 콘택을 형성할 수 있다. 또한, 후속 열처리 공정에서 콘택홀 필링 물질의 리프팅을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR200145881Y1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR2019970004644

申请日：1997-03-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정훈 ,  박석행 ,  신경만

IPC: F25C1/24

Abstract: 본 고안은 냉장고용 아이스 트레이의 배면부에 형성한 보강리브를 형상을 개선하여 아이스 트레이의 수명을 연장시키는 것으로서,
일정한 두께와 폭을 가지고 소정의 강성을 제공하는 바디와; 상기 바디에서 하부가 좁아지며 일체로 함몰되어, 상부만 개방되는 셀벽에 의해 소정 크기의 공간을 형성하는 다수의 아이스 셀과; 상기 아이스 셀에 얼려진 얼음을 인출시킬 때 상기 바디와 아이스 셀에 발생하는 파손 정도를 줄이기 위하여, 상기 바디와 아이스 셀의 셀벽에 형성한 보강리브를 구비한 냉장고용 아이스 트레이에 있어서,
상기 보강리브는 아이스 셀의 배면부와 상기 아이스 셀과 인접한 아이스 셀의 배면부에서 상기 바디의 배면부까지 연장 형성된 것을 특징으로 하는 냉장고용 아이스 트레이를 제공한다.

公开(公告)号：KR2019990013536U

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR2019970026843

申请日：1997-09-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정훈

IPC: F25D25/00

Abstract: 본 고안은 커버가 닫힐 때 선반과 부딪힘에 따라 발생되는 충격을 감소시키고, 아울러 이에 따라 발생되는 소음을 감소시키도록 한 냉장고의 특선실 커버에 관한 것으로, 본 고안의 구성은 가이드레일이 형성된 냉장실 내벽과, 상기 가이드레일에 슬라이딩 가능하도록 설치된 선반과, 상기 선반의 양측에 연장된 지지단의 곡률반경에 따라 회동되도록 상기 냉장실의 내벽에 힌지결합된 커버를 포함하는 냉장고의 특선실에 있어서, 상기 커버(20)에는 상기 선반(10)에 부딪힐 때 발생되는 충격을 감소시키도록 가스킷(30)이 고정된 것을 특징으로 한다.
이에 따른 본 고안에 의하면, 선반에 부딪히도록 커버의 선단에는 가스킷이 결합되어 있으므로 커버가 회동되어 닫힐 때에도 충격이 완화되어 파손의 우려가 없으며, 아울러 소음도 발생되지 않는다는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1019980082301A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019970017137

申请日：1997-05-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임만순 ,  정훈

IPC: F25D23/00

Abstract: 본 발명은, 냉장실을 형성하는 본체와, 상기 본체내벽에 전후방향을 따라 형성되는 안내레일과, 전후 슬라이딩 출입가능하도록 상기 안내레일에 접촉지지되어 저장물을 수용하는 저장용기를 갖는 냉장고에 관한 것으로서, 상기 안내레일과 상기 저장용기 중 어느 일측에 상호 접촉연부를 따라 형성되는 랙치형부와; 상기 안내레일과 상기 저장용기 중 타측의 접촉연부에 상기 랙치형부에 맞물리도록 설치되는 피니언을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 특선저장부도어의 급격한 폐쇄회동을 방지하여 충격소음 및 그에 의한 손상을 감소시킬 수 있는 냉장고가 제공된다.

公开(公告)号：KR100660910B1

公开(公告)日：2006-12-26

申请号：KR1020060002378

申请日：2006-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송기환 ,  정훈

IPC: H01L27/108

Abstract: A capacitor-less DRAM and its manufacturing method are provided to increase a charge storing capacity of a channel body and to reduce the leak of charges through a junction region between the channel body and source/drain using a pair of cylinder type auxiliary gates. An isolation layer is formed on a semiconductor substrate(100). A pair of plug nodes(120) are spaced apart from each other in the substrate. An upper surface of each plug node is exposed to the outside. A pair of cylinder type auxiliary gates(122) are connected to a lower portion of each plug node in the substrate. The cylinder type auxiliary gates are connected with each other. A source and a drain(103) are spaced apart from each other in the substrate. A channel body(104) is formed between the source and the drain. A main gate(130) is arranged on the channel body and insulated from the substrate.

Abstract translation: 提供一种无电容DRAM及其制造方法，以增加沟道体的电荷存储容量，并且减少通过沟道体与源极/漏极之间的结区域的电荷泄漏，其使用一对圆柱型辅助栅极。 隔离层形成在半导体衬底（100）上。 一对插头节点（120）在衬底中彼此间隔开。 每个插头节点的上表面暴露于外部。 一对圆柱型辅助闸门（122）连接到基板中每个插头节点的下部。 缸式辅助门相互连接。 源极和漏极（103）在衬底中彼此间隔开。 通道主体（104）形成在源极和漏极之间。 主通道（130）布置在通道主体上并与基底绝缘。

公开(公告)号：KR100466982B1

公开(公告)日：2005-01-24

申请号：KR1020020012955

申请日：2002-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정훈

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device with a capacitor is provided to prevent a bridge caused by upper sidewalls of adjacent storage nodes by making the width of the upper sidewalls of cylindrical storage nodes smaller than that of the lower sidewalls of the storage nodes. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(101) is prepared. A lower storage node(107a) is formed on a predetermined region of the semiconductor substrate. A cylindrical sidewall storage node(110b) extends toward the upper portion of the lower storage node, contacting the edge of the lower storage node. The lower storage node and the sidewall storage node constitutes a storage node(130a) wherein the sidewall storage node has a slanting profile in which the upper diameter of the sidewall storage node is smaller than that of the lower diameter of the sidewall storage node.

Abstract translation: 目的：通过使圆柱形存储节点的上侧壁的宽度小于存储节点的下侧壁的宽度，提供具有电容器的半导体器件以防止由相邻存储节点的上侧壁引起的桥接。 构成：准备半导体衬底（101）。 下存储节点（107a）形成在半导体衬底的预定区域上。 圆柱形侧壁存储节点（110b）朝下部存储节点的上部延伸，与下部存储节点的边缘接触。 下部存储节点和侧壁存储节点构成存储节点（130a），其中侧壁存储节点具有倾斜轮廓，其中侧壁存储节点的上部直径小于侧壁存储节点的下部直径的上部直径。