Abstract:
무선랜망 및 광대역 무선 통신망과 통신 가능한 단말기에서 이종망간 핸드오프 결정 장치 및 방법에 관한 것으로서, 상기 무선랜과 송수신하는 신호의 전송속도정보를 이종망간 핸드오프 결정모듈에 제공하는 MAC(Medium Access Control)계층과, 상기 MAC계층으로부터 제공받은 상기 전송속도정보를 이용하여 상기 이종망간 핸드오프 여부를 결정하는 상기 이종망간 핸드오프 결정모듈을 포함하여, 상기 무선랜에 접속된 다른 노드들의 성능을 고려하여 성능 이형현상(Performance Anomaly)을 방지해준다. 또한, 상기 무선랜의 AP(Access Point)와 상기 노드와의 거리에 따른 전송속도의 변화량을 이용하여 상기 노드의 끊김 없는 연결성(Seamless Connectivity)을 보다 확실하게 보장해주는 이점이 있다. 이종망간 핸드오프, 비컨 메시지, 광대역 무선 통신시스템, 무선랜
Abstract:
PURPOSE: A megasonic cleaning method and device are provided to improve a surface washing effect by creating micro-cavities with high power which is offered from a bubbling creating part and to prevent the generation of faults in a pattern which is formed in a substrate. CONSTITUTION: A cleaning object is loaded(S10). A micro cavity for washing the cleaning object is created(S12). Micro cavities which have stable vibration by the cleaning object are only transferred to a loaded space(S14). Micro cavities which have unstable vibration are destroyed or eliminated when the cleaning object is transferred to the loaded space. Second power for maintaining the vibration of the micro cavity is provided(S16). The surface of the cleaning object is washed using micro cavities of the stable vibration(S18).
Abstract:
A regioselectively lateral nanowire growth process is provided to improve integration degree of device by selecting desired location when nano device is manufactured and growing nanowire. A regioselectively lateral nanowire growth process comprises steps of: forming the first oxide silicon thin film on a silicon substrate; forming two or more long grooves; removing the remaining first oxide silicon thin film; forming a silicon core surrounded by the second oxide silicon thin film(3); etching perpendicularly a predetermined part of both sides of a silicon core surrounded by the second silicon thin film by patterning and removing it; forming a hollow channel of which the both sides are opened; depositing a catalyst metal layer on one end of the hollow channel; forming a protective film on a top surface of the catalyst metal layer; and growing nanowire in the hollow channel from the catalyst metal layer(7) to the silicon substrate in horizontal direction.
Abstract:
전압변환회로는 전압측정장치에 있어서, 고전압을 적절하고 안정된 저전압으로 변환시킴으로써 정확한 측정을 위한 것이다. 이를 위하여 고전압에 비례한 출력펄스열을 발생시켜 줌과 동시에 입출력을 상호 절연시켜 주는 전압제어발진회로와 전압제어발진회로로부터 출력된 주파수를 원하는 전압값으로 변환시켜주는 주파수-전압변환회로를 포함한다. 따라서 고전압의 경우에 안정되고 정확한 전압측정을 가능케할 수 있고 또한 오실로스코프의 경우 설치된 프로브에 대한 조건에 관계없이 고전압측정이 가능하므로 프로브를 구비하는 비용을 절감시킬 수 있는 효과가 있다.