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公开(公告)号：KR100237822B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019960020404
申请日：1996-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/203
Abstract: 반도체 웨이퍼상에 전극용 박막형성시 두께(Å) 및 농도(ppm)의 균일도(Uniformity)를 향상시키도록 된 화학기상증착장치에 관한 것이다.
본 발명의 구성은 다수매의 웨이퍼가 넣어진 튜브내에 불순물 가스를 주입하기 위한 노즐이 구비된 반도체 제조용 화학기상증착장치에 있어서, 상기 노즐(15)이 복수개 설치되고, 상기 각각의 노즐에 복수개의 가스분사구멍(15a)이 형성되며, 상기 복수개의 가스분사구멍들은 튜브내에 넣어진 다수개의 웨이퍼 전체길이에 대하여 균등한 간격으로 배치되어 이루어진다.
따라서 석영 보트에 탑재된 웨이퍼 전체에 걸쳐 동일한 량의 불순물 가스가 균일하게 분사됨으로써 공정의 균일도 및 생산성이 향상되고, 공정이 안정화되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980077717A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970014954
申请日：1997-04-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: 반도체 메모리장치의 커패시터 하부전극상에 반구형의 HSG 실리콘층을 형성하는 반도체소자 제조장치 및 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에서 반응챔버는 서로 다른 높이의 소오스가스 공급노즐이 복수개가 설치되어 챔버의 상하측에 소오스가스를 균형있게 공급하며, 웨이퍼를 적재할 수 있는 보트와 보트를 반응챔버와 로드록챔버 사이로 왕복이동시키는 엘리베이터 및 상기 보트를 회전시킬 수 있는 보트 회전수단을 구비한다. 또한, 진공시스템은 일단이 상기 로드록챔버에 연결되는 로드록챔버용 진공라인과 일단이 상기 반응챔버에 연결되는 반응챔버용 진공라인이 합류하여 공통의 제 1 진공펌프와 제 2 진공펌프를 경유하며, 상기 반응챔버용 진공라인에서 분기되고 제 3 진공펌프를 경유한 후 제 1 진공펌프 전단에서 합류하는 바이패스 진공라인을 구비한다.
따라서, 균일한 소오스가스 공급과 보트의 회전으로 공정조건이 웨이퍼의 위치에 관계없이 일정하며, 커패시터 유효면적을 충분히 확보할 수 있다는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR200121712Y1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR2019950001045
申请日：1995-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한찬희
IPC: H01L21/203
Abstract: 화학기상증착장치에 관한 것으로, 막의 두께가 고르게 되도록 하는 가스주입관가이드의 구조를 개시한다. 본 고안에 의한 가스주입관가이드는 돌출부분과 상기 돌출부분의 하면에 위치하고 상기 돌출부분과 둔각을 이루는 리세스 부분이 일체로 된 것으로, 막을 형성할 웨이퍼를 탑재하는 보우트를 로딩하기 위한 판넬의 일단이 상기 리세스부분의 측면에 접촉한다.
증착되는 박막불균일의 직접적 원인이 가스주입관가이드와 판넬사이의 유격이 없게 되어 가스주입관가이드가 고정기능을 충분히 행하고 가스주입관가이드가 제작상의 오차 및 석영류 부분의 청소시에 크기가 작아져도 막의 두께가 균일하게 된다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100392392B1
公开(公告)日：2003-07-22
申请号：KR1020000079857
申请日：2000-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한찬희
IPC: B25J19/00
Abstract: PURPOSE: A stopper is provided to reduce an impact generated when two stoppers make contact with each other by allowing a rotating member to be rotated at an angle of 360 degrees. CONSTITUTION: A stopper is provided in a robot. The robot includes a rotating member(100) and a fixing member(200) to which one end of the rotating member(100) is inserted. The rotating member(100) includes a rotating shaft(210) having a coupling rib(110a) and a pulley(130) which is coupled to the rotating shaft(210) through a bolt. The fixing member(200) is formed at a center thereof with a perforation hole(210) so that a lower end of the rotating shaft(210) of the rotating member(100) passes through the perforation hole(210). The first stopper(120) is installed in the rotating member(100). A perforation hole and the second stopper(220) are formed in the fixing member(200). The second stopper(220) makes contact with the first stopper(120) when the first member rotates.
Abstract translation: 目的：提供一个止动器，以减少当两个止动器通过允许旋转构件以360度角旋转而彼此接触时产生的冲击。 构成：机器人装有塞子。 机器人包括旋转构件（100）和旋转构件（100）的一端插入其中的固定构件（200）。 旋转部件（100）包括具有连接肋（110a）的旋转轴（210）和通过螺栓连接到旋转轴（210）的滑轮（130）。 固定构件200在其中心形成有穿孔210，以使旋转构件100的旋转轴210的下端穿过穿孔210。 第一止动器（120）安装在旋转构件（100）中。 穿孔和第二止动件（220）形成在固定构件（200）中。 当第一构件旋转时，第二止动件（220）与第一止动件（120）接触。
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公开(公告)号：KR1020010027011A
公开(公告)日：2001-04-06
申请号：KR1019990038567
申请日：1999-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: An apparatus capable of depositing a metal and etching the deposited metal in a plasma manner is provided to attain more reliable cleaning and preliminary depositing processes and thereby to prevent any undesirable defects due to particles. CONSTITUTION: The apparatus is on standby during an intermediate interval of time between consecutive fabricating processes for a semiconductor device. When a signal informing the start(22) of the next process is inputted into the apparatus in a standby state(21), the apparatus counts a standby time(23). Then, the apparatus sequentially performs the cleaning process(24) and the preliminary depositing process(25) during an appropriate time according to the counted standby time. After the preliminary depositing process(25) is complete, a wafer is loaded into a chamber of the apparatus(26) and then a regular depositing process is carried out(27).
Abstract translation: 目的：提供能够沉积金属并以等离子体方式蚀刻沉积的金属的装置，以获得更可靠的清洁和初步沉积工艺，从而防止由于颗粒引起的任何不期望的缺陷。 构成：在半导体器件的连续制造工艺之间的中间间隔期间，该装置处于待机状态。 当通知下一个处理的开始（22）的信号在待机状态（21）中被输入到装置中时，装置对待机时间进行计数（23）。 然后，根据计数的待机时间，在适当的时间内，依次进行清洗处理（24）和预备处理（25）。 在初步沉积工艺（25）完成之后，将晶片装入设备（26）的腔室中，然后执行常规沉积工艺（27）。
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公开(公告)号：KR100247931B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970019862
申请日：1997-05-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/84
Abstract: 본 발명의 반도체 장치의 제조방법은 비정질 실리콘막이 형성된 반도체 기판을 챔버에 로딩한 후 상기 챔버를 570∼600℃의 제1 온도로 승온시킨는 단계를 포함한다. 이어서, 상기 제1 온도에서 상기 챔버에 실리콘 소오스 가스를 주입하여 상기 비정질 실리콘막 상에 선택적으로 제1 실리콘 결정핵을 형성한다. 다음에, 상기 챔버를 550∼590℃의 제2 온도로 감온하면서 상기 챔버에 실리콘 소오스 가스를 주입하여 상기 제1 실리콘 결정핵의 크기보다 큰 제2 실리콘 결정핵을 형성한다. 이어서, 상기 결과물을 어닐링함으로써 상기 제2 실리콘 결정핵을 성장시켜 반구형의 그레인을 갖는 다결정 실리콘(HSG-Si)막을 형성한다. 상기 어닐링은 상기 제2 온도, 상기 제2 온도보다 낮은 제3 온도, 또는 상기 제2 온도에서 제3 온도로 감온하면서 수행한다. 본 발명의 반도체 장치의 제조방법에 의하면 실리콘 결정핵을 2 단계로 나누어 형성함으로써 실리콘 결정핵의 밀도를 향상시켜 셀 커패시턴스를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980005385A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960020404
申请日：1996-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/203
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公开(公告)号：KR2019960027781U
公开(公告)日：1996-08-17
申请号：KR2019950001045
申请日：1995-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한찬희
IPC: H01L21/203
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