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公开(公告)号：KR101623958B1
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：KR1020080096721
申请日：2008-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L27/1203
Abstract: 인버터및 그의동작방법과인버터를포함하는논리회로에관해개시되어있다. 개시된인버터는부하트랜지스터와구동트랜지스터를포함하고, 상기부하트랜지스터와구동트랜지스터중 적어도하나는더블게이트구조를갖는다. 상기더블게이트구조에의해상기부하트랜지스터또는상기구동트랜지스터의문턱전압이조절될수 있고, 따라서상기인버터는 E/D(enhancement/depletion) 모드일수 있다.
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公开(公告)号：KR101603768B1
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020090129127
申请日：2009-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는적어도일면이플라즈마처리된게이트절연체를포함할수 있다. 상기게이트절연체의플라즈마처리된면은채널층과접촉된계면일수 있다. 상기계면은불소(F) 함유기체를사용하여플라즈마처리되어불소를포함할수 있다. 상기플라즈마처리된계면은광에의한트랜지스터의특성변화를억제하는역할을할 수있다.
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公开(公告)号：KR1020160018271A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020140102626
申请日：2014-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14632 , H01L27/14696
Abstract: 본발명의일 실시예에따른방사선검출기는, 공통전극; TFT 어레이; 공통전극및 TFT 어레이사이에배치되는광도전성물질층; 및공통전극및 TFT 어레이사이에서공통전극이바이어스전압원과연결되는연결부에대응되는위치에배치되는확산방지막;을포함하며상기확산방지막은상기연결부에포함된금속이상기광도전성물질층으로확산되는것을방지할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，辐射检测器包括：公共电极; 薄膜晶体管（TFT）阵列; 设置在公共电极和TFT阵列之间的感光体材料层; 以及扩散停止层，其设置在所述公共电极和所述TFT阵列之间的对应于所述公共电极连接到偏置电压源的连接部分的位置处，其中扩散阻挡层防止所述连接部分中包含的金属扩散 到感光体材料层。
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公开(公告)号：KR101584664B1
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020090040323
申请日：2009-05-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1225 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H01L27/14689
Abstract: 단위화소내에서포토다이오드의면적을증가시키고포토다이오드의수광면적을확대할수 있는구조를갖는 CMOS 이미지센서가개시된다. 개시된 CMOS 이미지센서는포토다이오드위에트랜스퍼트랜지스터가형성되고, 나머지리셋트랜지스터, 소스팔로우어트랜지스터및 선택트랜지스터는다른층에형성된다. 이러한구성을갖는 CMOS 이미지센서의경우, 단위화소내에서포토다이오드의면적을넓혔기때문에, 단위화소의크기를감소시키는동시에화소의감도를향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101539667B1
公开(公告)日：2015-07-28
申请号：KR1020080057488
申请日：2008-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03K19/01714
Abstract: 충분한출력전압을제공하면서도신호전송시간이짧은인버터소자및 그동작방법이제공된다. 이러한인버터소자에서, 제 1 트랜지스터는제 1 게이트, 제 1 소오스및 제 1 드레인을포함하도록제공된다. 상기제 1 드레인에전원전압이인가되고상기제 1 소오스에서출력전압이출력된다. 제 2 트랜지스터는제 2 게이트, 제 2 소오스및 제 2 드레인을포함하도록제공된다. 상기제 2 게이트에입력전압인인가되고상기제 2 드레인은상기출력전압이출력되도록상기제 1 소오스에연결된다. 제 3 트랜지스터는제 3 게이트, 제 3 소오스및 제 3 드레인을포함하도록제공된다. 상기제 3 게이트및 상기제 3 드레인에상기전원전압이인가되고상기제 3 소오스가상기제 1 게이트에연결된다. 상기제 1 게이트및 상기제 1 소오스는분리된커패시터를이용하지않고상기제 1 트랜지스터내부적으로용량결합된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150053159A
公开(公告)日：2015-05-15
申请号：KR1020130134990
申请日：2013-11-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H02M3/1584 , G01T1/247 , H02J1/10 , H02M2003/1586
Abstract: 전압획득장치는전하패킷(charge packet)들각각을전압으로변환하는서로병렬로연결된복수의변환부들; 및상기복수의변환부들각각에상기전하패킷이입력되는시점을제어하는제어부;를포함하고, 상기제어부는제 n-1 변환부의동작이완료되는시점에상기전하패킷이제 n 변환부에입력되도록상기시점을제어하고, 상기 n은상기복수의변환부들의개수를의미한다.
Abstract translation: 电压获取装置包括： 多个转换单元，其将每个电荷分组转换成电压并并联连接; 以及控制单元，其控制当所述充电分组被输入到每个所述转换单元的时间点。 当第（n-1）^转换单元的操作完成时，控制单元控制时间点，使得电荷包被输入到第n个转换单元。 n表示转换单位的数量。 根据本发明，可以提高光子计数检测（PDC）装置的处理速度。
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公开(公告)号：KR1020150027677A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：KR1020140049450
申请日：2014-04-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F21/30
Abstract: 본 발명은 데이터 프로세싱 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 데이터 프로세싱 시스템은, 메모리, 중앙 처리부, 그리고 키 관리자를 포함한다. 키 관리자는, 커맨드를 저장하는 제1 레지스터, 사용자 설정 값을 저장하는 제2 레지스터, 고유값을 출력하는 고유값 저장부, 그리고 커맨드에 응답하여, 사용자 설정 값 및 고유값을 이용하여 키를 생성하는 메인 컨트롤러로 구성된다. 고유값은 키 관리자의 외부로 출력되지 않고 키 관리자의 내부에서만 사용된다. 키 관리자는, 동일한 사용자 설정 값들을 이용하여 동일한 키들을 생성하고, 서로 다른 사용자 설정 값들을 이용하여 서로 다른 키들을 생성한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种包括密钥管理器的数据处理系统，其具有改进的安全性并且管理用于加密和解密的密钥以及密钥管理器的操作方法。 数据处理系统技术领域本发明涉及数据处理系统。 数据处理系统包括存储器，中央处理单元和密钥管理器。 密钥管理器包括配置为存储命令的第一寄存器，被配置为存储用户设置的第二寄存器，被配置为输出唯一值的唯一值存储单元，以及被配置为使用用户设置和唯一值生成密钥的主控制器。 唯一的值仅在密钥管理器中使用，而不输出到密钥管理器的外部。 密钥管理器使用相同的用户设置生成相同的密钥，并使用不同的用户设置生成不同的密钥。
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公开(公告)号：KR101344483B1
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020070063826
申请日：2007-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 박막트랜지스터에관해개시되어있다. 개시된본 발명의박막트랜지스터는게이트절연층을사이에두고형성된게이트전극및 채널층, 및상기채널층의양단과각각접촉된소오스전극및 드레인전극을포함하되, 상기채널층은전이금속이도핑된 IZO(Indium Zinc Oxide)를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020120095151A
公开(公告)日：2012-08-28
申请号：KR1020110014649
申请日：2011-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L31/115 , G01T1/24
CPC classification number: H01L27/14659 , H01L27/14632 , H01L27/14676 , G01T1/24 , H01L31/115
Abstract: PURPOSE: An X-ray detector including a diffusion preventing layer is provided to prevent the deterioration of a photo conductor by preventing a contact between a pixel electrode and the photo conductor. CONSTITUTION: A transistor and a signal storage capacitor are serially arranged on a substrate. An insulation layer covers the transistor and the capacitor on the substrate. A pixel electrode(111) is connected to a top electrode of the capacitor on the insulation layer. A first diffusion preventing layer(112) covers the pixel electrode on the insulation layer. A photoconductor(110) is formed on the first diffusion preventing layer. A common electrode is formed on the photo conductor. A signal processing unit(150) is connected to a drain electrode of the transistor.
Abstract translation: 目的：提供包括防扩散层的X射线检测器，通过防止像素电极和光导体之间的接触来防止光导体的劣化。 构成：晶体管和信号存储电容串联设置在基板上。 绝缘层覆盖晶体管和基板上的电容器。 像素电极（111）连接到绝缘层上的电容器的顶部电极。 第一扩散防止层（112）覆盖绝缘层上的像素电极。 在第一扩散防止层上形成光电导体（110）。 在光导体上形成公共电极。 信号处理单元（150）连接到晶体管的漏电极。
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公开(公告)号：KR1020100121256A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020090040323
申请日：2009-05-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1225 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H01L27/14689
Abstract: PURPOSE: A CMOS image sensor is provided to reduce the size of a unit pixel and improve the sensitivity of the unit pixel at the same time by increasing the area of a photodiode within the unit pixel. CONSTITUTION: A plurality of photo diodes(102) is arranged in two dimension array. An inter-layer insulating film(110) is formed on the photo diode. A first metal layer(120) is formed on the inter-layer insulating film. A first inter-metal insulator(130) is formed on the first metal layer. An oxide semiconductor transistor layer(140) is formed on the first inter-metal insulator.
Abstract translation: 目的：提供CMOS图像传感器，通过增加单位像素内的光电二极管的面积来减小单位像素的大小，同时提高单位像素的灵敏度。 构成：多个光电二极管（102）被布置成二维阵列。 在光电二极管上形成层间绝缘膜（110）。 第一金属层（120）形成在层间绝缘膜上。 第一金属间绝缘体（130）形成在第一金属层上。 在第一金属间绝缘体上形成氧化物半导体晶体管层（140）。
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