대전방지 기능을 갖는 기판 및 그 제조방법
    22.
    发明公开
    대전방지 기능을 갖는 기판 및 그 제조방법 有权
    具有防静电功能的基板及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020100121895A

    公开(公告)日:2010-11-19

    申请号:KR1020090040814

    申请日:2009-05-11

    CPC classification number: H05F1/00 H01B1/00

    Abstract: PURPOSE: The substrate and manufacturing method thereof having antistatic function is proceed the multifunction of the optical catalyst, antistatic, super-hydrophilicity, in-plane generation of heat, base radiation by improving the conductivity. CONSTITUTION: The substrate(10) comprises the base layer(11) and anti-static layer(12) the base layer is composed of the new glass. By coating the titanium dioxide in which the anti-static layer is doped on the base layer to impurity it is formed. The anti-static layer in advance secludes the formation of the dust or the other contamination layer by giving the conductivity to the photo catalyst substance.

    Abstract translation: 目的:具有抗静电功能的基板及其制造方法通过提高导电性,进行光催化剂的多功能化,抗静电,超亲水性,面内产生热,碱辐射。 构成:基体(10)包括基层(11)和防静电层(12),基层由新玻璃构成。 通过将其上形成有杂质的二氧化钛涂覆在基底层上的抗静电层。 通过向光催化剂物质提供导电性,防静电层预先隐藏了灰尘或其它污染层的形成。

    광전극 및 이의 형성 방법
    23.
    发明公开
    광전극 및 이의 형성 방법 有权
    电极及其形成方法

    公开(公告)号:KR1020100048664A

    公开(公告)日:2010-05-11

    申请号:KR1020080107926

    申请日:2008-10-31

    CPC classification number: H01G9/2027 H01L31/18 Y02E10/542

    Abstract: PURPOSE: A photo-electrode and a method for forming the same are provided to prevent the loss of electrons in an oxide semiconductor particle through the interface between a semiconductor and electrolyte. CONSTITUTION: An electrode(20) is formed on a glass substrate(10). An oxide semiconductor layer is formed on the electrode. The oxide semiconductor layer includes an oxide semiconductor particle on which a negative ion(60) is absorbed. A photo-resist material(30) is absorbed on the surface of the oxide semiconductor particle. An acid treatment is performed to the electrode.

    Abstract translation: 目的:提供一种光电极及其形成方法,以通过半导体和电解质之间的界面来防止氧化物半导体颗粒中的电子损失。 构成:在玻璃基板(10)上形成电极(20)。 在电极上形成氧化物半导体层。 氧化物半导体层包括其上吸收负离子(60)的氧化物半导体颗粒。 光致抗蚀剂材料(30)被吸收在氧化物半导体颗粒的表面上。 对电极进行酸处理。

    음이온이 치환된 골 시멘트
    25.
    发明授权
    음이온이 치환된 골 시멘트 有权
    阴离子取代的可注射骨水泥

    公开(公告)号:KR100981961B1

    公开(公告)日:2010-09-13

    申请号:KR1020080009815

    申请日:2008-01-30

    CPC classification number: A61L27/46 A61L24/0084 A61L2430/02

    Abstract: 본 발명은 음이온이 치환된 골 시멘트에 관한 것으로, 칼슘소스와 인산염소스로서 각각 적어도 1종의 화합물을 포함하는 건식성분, 가용성 인산염과 유화제를 물에 용해하여 얻은 경화액, 및 상기 건식성분과 경화액 중 적어도 한쪽에 더 첨가되는 음이온을 포함하는 음이온이 포함된 골 시멘트를 제공한다. 이에 따라, 주사기에 넣어서 사용할 수 있는 골 시멘트의 가장 기초적인 특성인 세팅 시간과 인젝션 시간을 동시에 쉽게 조절하여 수술 시 사용자들이 충분한 시술 시간을 가질 수 있도록 해준다.
    음이온, 골 시멘트

    Abstract translation: 公开了包含作为钙源的干成分和含有至少一种类型化合物的磷酸盐源的骨水泥,通过将磷酸盐和乳化剂溶解在水中而获得的硬化溶液,以及添加到至少一种干成分和 硬化解决方案。 本发明的骨粘固剂可用于能够容易且同时调节凝固时间和注射时间的注射器,使得在使用过程中可以向使用者提供足够的手术操作时间。

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