산화 알루미늄 구형 나노 분말의 제조 방법
    1.
    发明公开
    산화 알루미늄 구형 나노 분말의 제조 방법 无效
    制备氧化铝纳米粉体的方法

    公开(公告)号:KR1020110115916A

    公开(公告)日:2011-10-24

    申请号:KR1020100035523

    申请日:2010-04-16

    Abstract: 단분산된 구형의 알루미늄 산화물의 크기 및 상을 제어하는 방법이 개시된다. 질산 알루미늄 및 황산 알루미늄을 포함하는 알루미늄 공급원 및 물을 혼합하여 가수 분해를 통해 구형의 단분산된 알루미늄 전구체를 형성한다. 알루미늄 전구체로부터 미반응 잔존 이온을 제거한다. 미반응 잔존 이온을 제거한 알루미늄 전구체를 열처리하여 알루미늄 산화물 분말을 형성한다. 질산 알루미늄 및 황산 알루미늄의 비율을 조절하여 알루미늄 산화물 구형 나노 분말의 크기를 제어할 수 있다. 또한 열처리 온도를 제어하여 알루미늄 산화물 구형 나노 분말의 상을 제어할 수 있다.

    펄스 레이저 증착을 이용한 나노 구조체의 형성 방법 및 나노 구조체를 포함하는 전극
    3.
    发明公开
    펄스 레이저 증착을 이용한 나노 구조체의 형성 방법 및 나노 구조체를 포함하는 전극 无效
    使用脉冲激光沉积法制备纳米结构的方法和具有纳米结构的电极

    公开(公告)号:KR1020120000422A

    公开(公告)日:2012-01-02

    申请号:KR1020100060774

    申请日:2010-06-25

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02P70/521 B82B3/00 H01L31/04

    Abstract: PURPOSE: A method for forming nano-structures based on pulse laser deposition and an electrode including the nano-structures are provided to obtain nano-structures of uniform thickness without organic materials. CONSTITUTION: A substrate(80) is loaded in a reaction chamber(10). The substrate is non-heated or is heated at temperature lower than 300 degrees Celsius. Laser beam is irradiated to metal oxide targets(70) to form nano-structures on the substrate. The repeating cycle of the laser beam is maintained for 500 minutes between 1 and 10 Hz at a temperature between 0 and 300 degrees Celsius. The compositions of the nano-structures are the same as those of the metal oxide targets. The targets include titanium dioxide, zinc oxide, tin dioxide, niobium oxide, or zinc tin oxide.

    Abstract translation: 目的:提供一种基于脉冲激光沉积形成纳米结构的方法和包含纳米结构的电极,以获得均匀厚度的纳米结构,无有机材料。 构成:衬底(80)装载在反应室(10)中。 基材不加热或在低于300摄氏度的温度下加热。 将激光束照射到金属氧化物靶(70)上以在衬底上形成纳米结构。 在0和300摄氏度之间的温度下,激光束的重复循环在1和10Hz之间保持500分钟。 纳米结构的组成与金属氧化物靶的组成相同。 目标包括二氧化钛,氧化锌,二氧化锡,氧化铌或氧化锡锌。

    대전방지 기능을 갖는 기판 및 그 제조방법
    5.
    发明公开
    대전방지 기능을 갖는 기판 및 그 제조방법 有权
    具有防静电功能的基板及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020100121895A

    公开(公告)日:2010-11-19

    申请号:KR1020090040814

    申请日:2009-05-11

    CPC classification number: H05F1/00 H01B1/00

    Abstract: PURPOSE: The substrate and manufacturing method thereof having antistatic function is proceed the multifunction of the optical catalyst, antistatic, super-hydrophilicity, in-plane generation of heat, base radiation by improving the conductivity. CONSTITUTION: The substrate(10) comprises the base layer(11) and anti-static layer(12) the base layer is composed of the new glass. By coating the titanium dioxide in which the anti-static layer is doped on the base layer to impurity it is formed. The anti-static layer in advance secludes the formation of the dust or the other contamination layer by giving the conductivity to the photo catalyst substance.

    Abstract translation: 目的:具有抗静电功能的基板及其制造方法通过提高导电性,进行光催化剂的多功能化,抗静电,超亲水性,面内产生热,碱辐射。 构成:基体(10)包括基层(11)和防静电层(12),基层由新玻璃构成。 通过将其上形成有杂质的二氧化钛涂覆在基底层上的抗静电层。 通过向光催化剂物质提供导电性,防静电层预先隐藏了灰尘或其它污染层的形成。

    광전극 및 이의 형성 방법
    6.
    发明公开
    광전극 및 이의 형성 방법 有权
    电极及其形成方法

    公开(公告)号:KR1020100048664A

    公开(公告)日:2010-05-11

    申请号:KR1020080107926

    申请日:2008-10-31

    CPC classification number: H01G9/2027 H01L31/18 Y02E10/542

    Abstract: PURPOSE: A photo-electrode and a method for forming the same are provided to prevent the loss of electrons in an oxide semiconductor particle through the interface between a semiconductor and electrolyte. CONSTITUTION: An electrode(20) is formed on a glass substrate(10). An oxide semiconductor layer is formed on the electrode. The oxide semiconductor layer includes an oxide semiconductor particle on which a negative ion(60) is absorbed. A photo-resist material(30) is absorbed on the surface of the oxide semiconductor particle. An acid treatment is performed to the electrode.

    Abstract translation: 目的:提供一种光电极及其形成方法,以通过半导体和电解质之间的界面来防止氧化物半导体颗粒中的电子损失。 构成:在玻璃基板(10)上形成电极(20)。 在电极上形成氧化物半导体层。 氧化物半导体层包括其上吸收负离子(60)的氧化物半导体颗粒。 光致抗蚀剂材料(30)被吸收在氧化物半导体颗粒的表面上。 对电极进行酸处理。

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