公开(公告)号：KR101936205B1

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：KR1020170031284

申请日：2017-03-13

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  이규형

IPC: G01K11/00 ,  H01S3/16

公开(公告)号：KR1020180103279A

公开(公告)日：2018-09-19

申请号：KR1020170029985

申请日：2017-03-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  이규형 ,  김예지

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/00

Abstract: 본발명은전자화물과유기구리화합물을이용하여제조한저온소결가능한구리입자물질및 그제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는입자크기가작고분산성이높아전도성구리잉크재료로서유용하게사용될수 있구리나노입자, 및전자화물을환원제로사용하여유기구리화합물을환원시켜상기구리나노입자를제조하는방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101752267B1

公开(公告)日：2017-07-12

申请号：KR1020150158447

申请日：2015-11-11

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  송승민 ,  이규형

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/08 ,  H01B1/12 ,  H05B33/14

Abstract: 본발명은전도성고분자에의해안정화된전자화물및 그제조방법을제공한다. 본발명의안정화전자화물은, CaN 등전자가 1차원또는 2차원의공간에존재하는전자가방출되기쉬운열린구조의전자화물에대한대기중 및수증기중에서의안정성을확보할수 있다. 본발명의안정화전자화물은또한, 일함수가약 2.6 eV로상용전자방출소재인 Mo의일함수 4 eV 대비 30% 이상낮은값을나타내어전자방출특성이우수하므로, 이를 FED, LED 및형광관에적용하면기존디바이스구조의변경없이낮은구동전압에서큰 방출전류를얻을수 있어디바이스의기능향상에기여할수 있다.

公开(公告)号：KR1020170055622A

公开(公告)日：2017-05-22

申请号：KR1020150158447

申请日：2015-11-11

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  송승민 ,  이규형

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/08 ,  H01B1/12 ,  H05B33/14

Abstract: 본발명은전도성고분자에의해안정화된전자화물및 그제조방법을제공한다. 본발명의안정화전자화물은, CaN 등전자가 1차원또는 2차원의공간에존재하는전자가방출되기쉬운열린구조의전자화물에대한대기중 및수증기중에서의안정성을확보할수 있다. 본발명의안정화전자화물은또한, 일함수가약 2.6 eV로상용전자방출소재인 Mo의일함수 4 eV 대비 30% 이상낮은값을나타내어전자방출특성이우수하므로, 이를 FED, LED 및형광관에적용하면기존디바이스구조의변경없이낮은구동전압에서큰 방출전류를얻을수 있어디바이스의기능향상에기여할수 있다.

Abstract translation: 本发明提供了一种由导电聚合物稳定的电子材料及其制造方法。 本发明的稳定化是电子存储，CAN或类似物可以从空气确保电子的电子的一维或二维稳定性的易开帧的电子存储被释放，并且存在于所述空间中的水蒸汽。 本发明的稳定的电子产品也工作，因为还原为沫的uiil函数大于30％4eV的对比度2.6eV的商用电子发射材料的功能显示出低的值，电子发射特性yiwoosu，其应用到FED，LED和荧光管现有 在不改变器件结构的情况下，可以在低驱动电压下获得大的发射电流，从而有助于提高器件功能。

公开(公告)号：KR1020150000365A

公开(公告)日：2015-01-02

申请号：KR1020130072717

申请日：2013-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이규형 ,  김상일 ,  황성우 ,  김성웅 ,  이상목 ,  이영희

IPC: H01L35/02 ,  H01L35/18

CPC classification number: H01L35/32 ,  B82Y30/00 ,  H01L35/16

Abstract: 열전 구조체, 열전 구조체, 이를 포함하는 열전소자 및 열전장치가 개시된다. 개시된 열전 구조체는 그래핀층과 그래핀층 상에 형성된 열전체를 포함하며, 상기 열전체는 열전 소재로 형성된 열전막과 상기 열전막 내부에 함유된 양자점을 포함할 수 있다.

Abstract translation: 本发明公开了一种能够通过降低导热性同时提高电子导电性而提高热性能的热电结构体，包含该热电结构的热电元件及其热电元件。 所公开的热电结构包括：石墨烯层; 和形成在石墨烯层上的热电体。 热电体包括：由热电材料制成的热电膜; 并且量子包括在热电膜中。

公开(公告)号：KR1020200077042A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：KR1020180166163

申请日：2018-12-20

Applicant: 한국기계연구원 ,  연세대학교 산학협력단 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 임재홍 ,  이규형 ,  김성웅

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

公开(公告)号：KR102124975B1

公开(公告)日：2020-06-22

申请号：KR1020180011427

申请日：2018-01-30

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  이규형 ,  송준성

IPC: C30B29/10 ,  C30B29/68 ,  C30B33/00 ,  H01L43/10 ,  H01L35/14

公开(公告)号：KR102088313B1

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：KR1020180016488

申请日：2018-02-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  이규형 ,  박종호 ,  이승용

IPC: C01F17/00

公开(公告)号：KR102080027B1

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：KR1020180010599

申请日：2018-01-29

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  이규형 ,  김예지 ,  강세황

IPC: B01J27/057 ,  B01J23/72 ,  B01J35/02 ,  B01J37/02 ,  B01J37/08 ,  C25B11/04 ,  C25B1/04

公开(公告)号：KR102057963B1

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：KR1020180010598

申请日：2018-01-29

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  이규형 ,  황재열 ,  강세황

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/00 ,  H01L21/285 ,  C23C14/06