公开(公告)号：KR100962044B1

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：KR1020070126331

申请日：2007-12-06

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정동근 ,  이성우 ,  우지형

IPC: C08J5/22 ,  H01L21/203 ,  C08K5/54 ,  C08K5/01

CPC classification number: B05D1/62 ,  B05D3/0254

Abstract: 본 발명은 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선형 형태의 유·무기 전구체 물질을 사용하여 제조되는 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 증착과 RTA 장치를 이용한 후열처리를 통하여 상기 저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 저유전 플라즈마 중합체 박막은 열적으로 매우 안정하고 낮은 유전상수를 가지면서 뛰어난 기계적 특성을 갖는 박막 구조로 형성되어 금속 다층 박막을 제조하는데 있어서 효과적이다.
저유전, 플라즈마 중합, PECVD, RTA, 후열처리

公开(公告)号：KR100845941B1

公开(公告)日：2008-07-14

申请号：KR1020070029594

申请日：2007-03-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정동근 ,  양재영 ,  이성우

IPC: C23C16/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  B05D1/62 ,  B05D3/0254 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3122

Abstract: Plasma polymerized low-k thin films with considerably low dielectric constant values are provided, and treatment methods are provided to improve dielectric constants and mechanical strengths of the low-k thin films. A manufacturing method of a low-k thin film comprises the steps of: depositing a plasma polymerized thin film onto a substrate(1) by a plasma enhanced chemical vapor deposition process using a polymer precursor material; and performing a post-heat treatment at a temperature of 300 to 550 deg.C and a pressure of 0.5 to 1.5 atmospheric pressure in a gas atmosphere containing oxygen gas or nitrogen gas for 1 to 5 minutes by using an RTA(Rapid Thermal Annealing) apparatus. The polymer precursor material is decamethylcyclopentasiloxane or cyclohexane. The step of performing the post-heat treatment comprises injecting the substrate into a chamber(70) of the RTA apparatus, and generating heat relative to the substrate by using a plurality of halogen lamps(80) disposed within the chamber.

Abstract translation: 提供具有相当低介电常数值的等离子体聚合低k薄膜，并且提供了处理方法以改善低k薄膜的介电常数和机械强度。 低k薄膜的制造方法包括以下步骤：通过使用聚合物前体材料的等离子体增强化学气相沉积方法将等离子体聚合的薄膜沉积到基底（1）上; 并使用RTA（快速热退火）在含有氧气或氮气的气体气氛中，在300〜550℃的温度和0.5〜1.5大气压的压力下进行1〜5分钟的后热处理， 仪器。 聚合物前体材料是十甲基环五硅氧烷或环己烷。 执行后热处理的步骤包括将基板注入到RTA装置的室（70）中，并且通过使用设置在室内的多个卤素灯（80）相对于基板产生热量。