公开(公告)号：KR100962044B1

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：KR1020070126331

申请日：2007-12-06

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정동근 ,  이성우 ,  우지형

IPC: C08J5/22 ,  H01L21/203 ,  C08K5/54 ,  C08K5/01

CPC classification number: B05D1/62 ,  B05D3/0254

Abstract: 본 발명은 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선형 형태의 유·무기 전구체 물질을 사용하여 제조되는 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 증착과 RTA 장치를 이용한 후열처리를 통하여 상기 저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 저유전 플라즈마 중합체 박막은 열적으로 매우 안정하고 낮은 유전상수를 가지면서 뛰어난 기계적 특성을 갖는 박막 구조로 형성되어 금속 다층 박막을 제조하는데 있어서 효과적이다.
저유전, 플라즈마 중합, PECVD, RTA, 후열처리

公开(公告)号：KR1020100020501A

公开(公告)日：2010-02-22

申请号：KR1020100005202

申请日：2010-01-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정동근 ,  이성우 ,  우지형

IPC: C08J5/22 ,  C08K5/54 ,  C08K5/01 ,  H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A plasma polymer thin film with low dielectric constant is provided to ensure thermal stability and excellent mechanical property and to reduce a complex process for pre- and post- processing generated in a spin casting method. CONSTITUTION: A plasma polymer thin film with low dielectric constant is prepared by a linear precursor material represented by chemical formula 1 and a linear precursor material represented by chemical formula 2. In chemical formula 1, R1-R6 are independently selected from the group consisting of a hydrogen atom and a substituted or unsubstituted C1-C5 alkyl group; X is oxygen atom or C1-C5 alkylene group.

Abstract translation: 目的：提供具有低介电常数的等离子体聚合物薄膜，以确保热稳定性和优异的机械性能，并减少在旋转浇铸法中产生的预处理和后处理的复杂工艺。 构成：通过由化学式1表示的线性前体材料和由化学式2表示的线性前体材料制备具有低介电常数的等离子体聚合物薄膜。在化学式1中，R 1 -R 6独立地选自 氢原子和取代或未取代的C 1 -C 5烷基; X是氧原子或C1-C5亚烷基。

公开(公告)号：KR1020090076107A

公开(公告)日：2009-07-13

申请号：KR1020080001867

申请日：2008-01-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정동근 ,  이후정 ,  이성우 ,  문미란 ,  우지형

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545

Abstract: An organic thin film transistor manufacturing method and the thin film transistor manufactured by the same method are provided, which improve the interface property of the organic thin film transistor. The gate electrode(2) and gate isolation layer(3) are equipped at the upper part of the substrate(1). The surface processing layer is formed into the PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) method by using the precursor material on the gate isolation layer. The organic semiconductor layer(5) is formed on the surface processing layer(4). The source(6)/drain(7) electrode is formed on the organic semiconductor layer. The precursor within the foam generator is evaporated. The evaporated precursor is flowed in the reactor for the plasma vapor deposition. By using the plasma of the reactor, the thin film polymerized by plasma on the substrate within the reactor is deposited.

Abstract translation: 提供了通过相同方法制造的有机薄膜晶体管制造方法和薄膜晶体管，其改善了有机薄膜晶体管的界面性质。 在基板（1）的上部配备有栅电极（2）和栅极隔离层（3）。 通过在栅极隔离层上使用前体材料，将表面处理层形成为PECVD（等离子体增强化学气相沉积）方法。 有机半导体层（5）形成在表面处理层（4）上。 源极（6）/漏极（7）电极形成在有机半导体层上。 泡沫发生器内的前体蒸发。 蒸发的前体在反应器中流动用于等离子体气相沉积。 通过使用反应器的等离子体，沉积在反应器内的基板上由等离子体聚合的薄膜。

公开(公告)号：KR100987183B1

公开(公告)日：2010-10-11

申请号：KR1020100005202

申请日：2010-01-20

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정동근 ,  이성우 ,  우지형

IPC: C08J5/22 ,  C08K5/54 ,  C08K5/01 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선형 형태의 유·무기 전구체 물질을 사용하여 제조되는 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 증착과 RTA 장치를 이용한 후열처리를 통하여 상기 저유전 플라즈마 중합체 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 저유전 플라즈마 중합체 박막은 열적으로 매우 안정하고 낮은 유전상수를 가지면서 뛰어난 기계적 특성을 갖는 박막 구조로 형성되어 금속 다층 박막을 제조하는데 있어서 효과적이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种低介电的等离子体聚合物薄膜及其制造和的方法更具体地，在油＆middot形式线性;低介电等离子体聚合物膜使用无机前体材料以及PECVD（等离子体增强化学气相沉积）沉积产生并 以及使用RTA装置通过热处理来制造低介电等离子体聚合物薄膜的方法。 根据本发明的低介电等离子体聚合物薄膜，同时具有非常稳定的和低介电常数具有优异的机械性能的薄膜结构的构成是在金属多层薄膜的制造热有效。

公开(公告)号：KR1020090059462A

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：KR1020070126331

申请日：2007-12-06

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정동근 ,  이성우 ,  우지형

IPC: C08J5/22 ,  H01L21/203 ,  C08K5/54 ,  C08K5/01

CPC classification number: B05D1/62 ,  B05D3/0254

Abstract: A low dielectric plasma-polymerized thin film is provided to effectively prepare metal multilayer thin film due to excellent thermal stability, low dielectric constant and excellent mechanical property. A low dielectric plasma-polymerized thin film is prepared by using precursors represented by chemical formula 1 and 2. In chemical formula 1, R1-R6 are selected from the group consisting of hydrogen atom, substituted or unsubstituted C1-C5 alkyl group; and X is oxygen atom or C1-C5 alkylene group. In the chemical formula 2, R1-R6 are selected from the group consisting of hydrogen atom, substituted or unsubstituted C1-C5 alkyl group.

Abstract translation: 提供低介电等离子体聚合薄膜，以有效地制备金属多层薄膜，由于优异的热稳定性，低介电常数和优异的机械性能。 通过使用由化学式1和2表示的前体制备低介电等离子体聚合薄膜。在化学式1中，R 1 -R 6选自氢原子，取代或未取代的C 1 -C 5烷基; X为氧原子或C 1 -C 5亚烷基。 在化学式2中，R 1 -R 6选自氢原子，取代或未取代的C 1 -C 5烷基。