광 검출 소자 및 제조 방법
    22.
    发明授权
    광 검출 소자 및 제조 방법 有权
    光电及其制造方法

    公开(公告)号:KR101548681B1

    公开(公告)日:2015-09-01

    申请号:KR1020140073226

    申请日:2014-06-17

    Abstract: 본 발명은 광 검출 소자 및 제조 방법에 관한 것으로, 게이트 전극을 포함하고, 유전체 층이 형성된 기판, 유전체 층의 상부에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극을 연결하는 채널층, 채널층에 코팅된 염료 분자를 포함한다. 이때 채널층은 핵사고날 원자 물질로 구성 된 것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及光电检测器及其制造方法。 光电检测器包括:栅电极,形成介电层的基板,分别形成在电介质层上侧的源电极和漏电极,连接源电极和漏电极的沟道层; 以及涂覆沟道层的染料分子。 此时,沟道层由六方晶原子材料制成。

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