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公开(公告)号：KR101503735B1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：KR1020140006778
申请日：2014-01-20
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 원자층 증착법을 이용하여 기판 상에 금속 산화물(MO
x )을 증착하는 단계 및 증착된 상기 금속 산화물을 황화시켜 금속 황화물(MS
y )을 합성하는 단계를 포함하는 금속 황화물 합성 방법에 관한 것이다.Abstract translation: 本发明涉及一种金属硫化物合成方法，其包括通过使用原子层沉积法在基底上沉积金属氧化物（MO_x）和通过使沉积的金属氧化物硫化来合成金属硫化物（MS_y）的步骤。 本发明的目的是提供合成可以通过使用原子层沉积法控制厚度的金属硫化物的方法。
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公开(公告)号：KR101493424B1
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：KR1020140002911
申请日：2014-01-09
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 본 발명은 하프늄과 디스프로슘을 포함하는 전구체 소스 가스를 기판에 제공하는 단계 및 산소 플라즈마를 환원 가스로 공급하여 디스프로슘이 도핑된 하프늄 산화물을 증착하는 단계를 포함하는 디스프로슘이 도핑된 하프늄 산화물 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及掺杂有镝的铪单晶氧化物的制造方法，包括：将含有铪和镝的前体源气体供给到基板的工序; 以及向还原气体供给氧等离子体并沉积掺杂有镝的氧化铪的步骤。 本发明具有以低成本制造掺杂有镝的铪单晶氧化物的效果。
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公开(公告)号：KR101463105B1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：KR1020140000317
申请日：2014-01-02
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: C23C16/448 , C23C16/06 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/305 , C23C16/45525
Abstract: 본 발명은 황화 텅스텐층 형성 방법 및 황화 텅스텐층 형성 장치에 관한 것으로, 황화 텅스텐층 형성 방법은, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition)에 의하여 황화 텅스텐층을 형성하는 황화 텅스텐층 형성 방법으로서, 기화된 텅스텐 클로라이드를 포함하는 전구체와 황화 수소를 포함하는 반응물을 반응시켜 기판상에 황화 텅스텐층을 형성하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及形成硫化钨层的方法和硫化钨层的形成装置。 形成能够通过原子层沉积形成硫化钨层的硫化钨层的方法包括通过使含有气化氯化钨的前体与含有硫化氢的反应物反应，在基板上形成硫化钨层的步骤。
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公开(公告)号：KR1020140080684A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020120145673
申请日：2012-12-13
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: C01B32/18 , B01J23/52 , B82B1/008 , B82B3/0038 , D01F9/12
Abstract: The present invention relates to a synthesizing method of a one-dimensional carbon nanofiber, the synthesizing method including the steps of: forming, on a substrate, a catalyst layer containing at least one of gold catalyst and platinum catalyst; and growing the one-dimensional carbon nanofiber, wherein CBr_4 gas is forced to flow on the substrate where the catalyst layer is formed and the growing temperature is set at a low temperature 350°C to 400°C.
Abstract translation: 本发明涉及一维碳纳米纤维的合成方法，其合成方法包括以下步骤：在基材上形成含有金催化剂和铂催化剂中的至少一种的催化剂层; 并生长一维碳纳米纤维，其中CBr_4气体被迫在形成催化剂层的基底上流动，并且生长温度设定在350℃至400℃的低温。
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公开(公告)号：KR101308674B1
公开(公告)日：2013-09-13
申请号：KR1020120014872
申请日：2012-02-14
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: H02G15/34 , Y02E40/648
Abstract: 다중 도체 동시 접합 방법 및 장치가 제공된다. 본 발명의 일 태양에 따른 다중 도체 동시 접합 방법은 리드 바 상의 복수의 위치에 솔더가 도포되는 단계, 각각의 상기 솔더 상에 초전도 선재가 배치되는 단계, 상기 초전도 선재가 열전도성 접착 테이프로 상기 리드 바에 고정되는 단계, 상기 리드 바가 가열되어 상기 솔더가 가열되어 용융되는 단계 및 솔더의 용융 도중 플럭스가 상기 솔더 주위에 도포되는 단계를 포함한다. 이 때, 상기 열전도성 접착 테이프는 캡톤(Kapton)테이프일 수 있으며, 상기 리드 바와 상기 초전도 선재 사이 공간의 압력을 감소시키는 단계를 포함할 수도 있다.
또한, 본 발명의 다른 태양에 따른 다중 도체 동시 접합 장치는 다면체 리드 바의 복수의 측면에 도포된 솔더를 동시에 용융시키도록 동작하는 솔더링부, 상기 솔더링부의 동작을 제어하는 제어부 및 솔더의 용융 도중 상기 리드 바의 일 측면에 플럭스를 제공하는 플럭스 주입부를 포함하되, 상기 리드 바의 각각의 상기 솔더 상에 초전도 선재가 배치되며, 상기 초전도 선재는 열전도성 접착 테이프로 상기 리드 바에 고정된다. 이 때, 상기 열전도성 접착 테이프는 캡톤(Kapton)테이프일 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130093347A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：KR1020120014872
申请日：2012-02-14
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: H02G15/34 , Y02E40/648
Abstract: PURPOSE: A simultaneous bonding method and device for multiple conductors are provided to bond a plurality of superconducting wires through the same work, thereby improving the bonding quality. CONSTITUTION: Solder is applied at a plurality of positions (300). The plurality of positions is provided on a lead bar (100). A superconducting wire (200) is arranged on each solder. The superconducting wire is fixed to the lead bar. The solder is melted by the heat.
Abstract translation: 目的：提供多个导体的同时接合方法和装置，以通过相同的工件粘合多根超导线，从而提高接合质量。 构成：在多个位置施加焊料（300）。 多个位置设置在引导杆（100）上。 在每个焊料上布置超导线（200）。 超导线固定在引线上。 焊料被热量熔化。
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公开(公告)号：KR1020130071936A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：KR1020110139429
申请日：2011-12-21
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28556 , H01L21/28518 , H01L21/324
Abstract: PURPOSE: A self-formation method of nickel silicide (NiSi) by atomic layer deposition (ALD) is provided to form nickel silicide through a simple process without thermal burden. CONSTITUTION: A method for making nickel silicide through plasma enhanced atomic layer deposition comprises the steps of: putting a silicon film into a reactor; putting a nickel source together with argon carrier gas into the reactor; removing redundant nickel source except for the nickel source physically or chemically deposited on the silicon film by putting argon purging gas; reducing the deposited nickel source by putting ammonia plasma or ammonia; and forming the nickel silicide. [Reference numerals] (AA) Nickel source; (BB) Argon gas purge; (CC,DD,GG,HH) Silicone layer; (EE) Argon gas purge; (FF) NH_3 plasma or NH_3
Abstract translation: 目的：提供通过原子层沉积（ALD）的硅化镍（NiSi）的自生成方法，通过简单的工艺无热负荷形成硅化镍。 构成：通过等离子体增强的原子层沉积来制造硅化镍的方法包括以下步骤：将硅膜放入反应器中; 将镍源与氩载气一起放入反应器中; 通过放置氩气吹扫气体去除物理或化学沉积在硅膜上的镍源的重复镍源; 通过放置氨等离子体或氨来减少沉积的镍源; 并形成硅化镍。 （附图标记）（AA）镍源; （BB）氩气吹扫; （CC，DD，GG，HH）硅胶层; （EE）氩气吹扫; （FF）NH_3等离子体或NH_3
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公开(公告)号：KR101250751B1
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：KR1020100103243
申请日：2010-10-22
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 다중 형광 정도 이용 세포 분리 장치에 관한 것으로서, 세포의 특성에 따라 정밀한 다중분류를 가능하도록 하기 위하여, 유전영동기술을 이용하여 개량된 다중 형광 정도 이용 세포 분리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 의하면, 미세입자가 포함된 시료가 주입되는 시료 주입구; 상기 시료의 유로를 형성하기 위한 시스 유체가 주입되는 유체 주입구; 상기 미세입자가 분리되어 유출되는 복수의 배출구; 상기 시료 및 유체가 흐르는 공간인 채널; 상기 채널 내에서 나란히 배치되는 복수의 미세전극을 포함하는 유체 흐름 제어부; 상기 채널 내의 시료에 입력 레이저를 조사하여 형광 정도를 검출하는 유광조사부; 상기 검출된 형광정도에 따라 상기 미세전극에 제어전압을 인가하여 상기 미세입자를 분리유출시키는 전자제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 형광 정도 이용 세포 분리 장치가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020110117321A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020100036705
申请日：2010-04-21
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B82B3/0071 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B2202/22
Abstract: The present invention relates to a method for separating a semiconducting carbon nanotube and a metallic carbon nanotube by using a magnetic nanoparticles surface-modified with an amine group and the like selectively binded to a carboxyl group of a semiconducting carbon nanotube. It is possible to separate carbon nanotubes without additional expensive equipment at low cost.
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公开(公告)号：KR102260968B1
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：KR1020190048208
申请日：2019-04-25
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: C23C16/455 , C23C16/30 , C23C16/36
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