公开(公告)号：KR102082697B1

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：KR1020180053530

申请日：2018-05-10

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김동우 ,  김영규

IPC: H01L31/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L27/146 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0328

公开(公告)号：KR102060401B1

公开(公告)日：2019-12-30

申请号：KR1020180085196

申请日：2018-07-23

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  나재원 ,  이이삭

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

公开(公告)号：KR102036971B1

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：KR1020170149446

申请日：2017-11-10

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김원기 ,  김영규 ,  이희수 ,  박정우 ,  유혁준

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR101963008B1

公开(公告)日：2019-03-27

申请号：KR1020160162988

申请日：2016-12-01

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  정정화

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/10 ,  H01L33/02

公开(公告)号：KR1020170093065A

公开(公告)日：2017-08-14

申请号：KR1020170010386

申请日：2017-01-23

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  나재원

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/033 ,  H01L21/324

Abstract: 본발명은산화물박막트랜지스터및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판상에형성된게이트전극; 상기게이트전극상에형성된게이트절연층; 및상기게이트절연층상에형성된산화물박막을포함하고, 상기산화물박막은채널영역, 상기채널영역상에서로이격되어형성된소스영역및 드레인영역을포함하며, 상기게이트절연층으로부터확산된도펀트에의한농도프로파일을포함하고, 상기채널영역은상기농도프로파일에의해채널층으로동작한다.

Abstract translation: 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法。 根据本发明实施例的氧化物薄膜晶体管包括：形成在衬底上的栅电极; 形成在栅电极上的栅极绝缘层; 以及在所述栅绝缘层上形成的氧化物薄膜，其中所述氧化物薄膜包括沟道区，在所述沟道区上间隔开的源极区和漏极区以及由所述栅极绝缘层扩散的掺杂​​物的浓度分布， 并且通道区域通过浓度分布图作为通道层进行操作。

公开(公告)号：KR1020160122902A

公开(公告)日：2016-10-25

申请号：KR1020150052497

申请日：2015-04-14

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  탁영준 ,  김시준 ,  윤석현

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02631 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24

Abstract: 본발명은산화물박막리페어방법및 산화물박막소자에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른산화물박막리페어방법은, 산화물박막의결함부분에산화물을포함하는리페어링물질을형성하여상기산화물박막을리페어하는단계;를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR101562932B1

公开(公告)日：2015-10-26

申请号：KR1020140168445

申请日：2014-11-28

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김영규 ,  박지훈 ,  윤석현 ,  홍성환

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 본발명은산화물반도체소자및 이의제조방법에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른산화물반도체소자는, 기판; 상기기판상의산화물반도체층;을포함하고, 상기산화물반도체층은두께방향으로산소공공(oxygen vacancy)의농도가상이할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种氧化物半导体器件及其制造方法。 根据本发明的一个实施方案的氧化物半导体器件包括在衬底上形成的衬底和氧化物半导体层。 在氧化物半导体层上，氧空位的浓度在厚度方向上是不同的。

公开(公告)号：KR101512728B1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：KR1020140120810

申请日：2014-09-12

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  박성표 ,  윤두현 ,  탁영준 ,  이희수

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L27/11507

Abstract: 본발명은적층구조의메모리층을갖는저항스위칭메모리및 그제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른저항스위칭메모리는, 제 1 전극; 상기제 1 전극상에형성된메모리층; 및상기메모리층상에형성된제 2 전극;을포함하며, 상기메모리층은제 1 메모리층및 제 2 메모리층을포함하고, 상기제 1 메모리층과상기제 2 메모리층의산소함량이서로다를수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及包括层叠结构的存储层的电阻随机存取存储器及其制造方法。 根据本发明实施例的电阻随机存取存储器包括第一电极; 形成在第一电极上的存储层; 以及形成在存储层上的第二电极。 存储层包括第一存储层和第二存储层。 第一存储层的氧含量与第二存储层的氧含量不同。

公开(公告)号：KR101513245B1

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：KR1020080098644

申请日：2008-10-08

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 황태형 ,  김현재 ,  김도경 ,  정태훈 ,  정웅희 ,  이충희

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  G02F1/13

Abstract: 비정질 실리콘의 국부적인 결정화가 가능한 결정화 장치를 개시한다. 결정화 장치는 외부로부터 발열 소스를 제공받아 열을 발산하는 발열부, 발열부를 지지하고, 발열 소스를 발열부로 제공하는 지지부, 및 발열부를 내부에 수납하고, 복수의 개구부가 형성되어 열을 대상물에 제공하는 롤러를 포함한다. 따라서, 기판의 손상없이 국부적으로 결정화를 할 수 있다.

公开(公告)号：KR101512726B1

公开(公告)日：2015-04-20

申请号：KR1020130122872

申请日：2013-10-15

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  최의현 ,  윤두현 ,  윤석현 ,  탁영준

IPC: H01L21/31 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02192 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78606

Abstract: 본발명은패시베이션층조성물, 패시베이션방법, 박막트랜지스터및 박막트랜지스터를제조하는방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른패시베이션층조성물은, 이트륨; 및패시베이션층을도핑하기위한 1가, 2가, 3가또는 4가의금속;을포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及钝化层，钝化方法，薄膜晶体管和制造薄膜晶体管的方法的复合材料。 根据本发明实施方案的钝化层的复合物可以包括钇以及用于掺杂钝化层的一价，二价，三价和四价金属。