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公开(公告)号：KR102205148B1
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：KR1020190010408
申请日：2019-01-28
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L51/05 , H01L21/02 , H01L29/66
Abstract: 본발명은이중채널층을구비한박막트랜지스터및 그제조방법에관한것으로서, 일실시예에따른박막트랜지스터는기판과, 기판상에형성된게이트전극과, 게이트전극상에형성된게이트절연층과, 게이트절연층상에형성되고, 산화물반도체를포함하는제1 반도체층과, 제1 반도체층상에형성되고, 유기반도체및 유기절연물중 적어도하나와산화물반도체를포함하는제2 반도체층및 제2 반도체층상에서로이격되도록형성된소스전극및 드레인전극을포함할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102060401B1
公开(公告)日：2019-12-30
申请号：KR1020180085196
申请日：2018-07-23
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/49 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/12
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公开(公告)号：KR1020170093065A
公开(公告)日：2017-08-14
申请号：KR1020170010386
申请日：2017-01-23
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/3213 , H01L21/306 , H01L21/033 , H01L21/324
Abstract: 본발명은산화물박막트랜지스터및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판상에형성된게이트전극; 상기게이트전극상에형성된게이트절연층; 및상기게이트절연층상에형성된산화물박막을포함하고, 상기산화물박막은채널영역, 상기채널영역상에서로이격되어형성된소스영역및 드레인영역을포함하며, 상기게이트절연층으로부터확산된도펀트에의한농도프로파일을포함하고, 상기채널영역은상기농도프로파일에의해채널층으로동작한다.
Abstract translation: 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法。 根据本发明实施例的氧化物薄膜晶体管包括：形成在衬底上的栅电极; 形成在栅电极上的栅极绝缘层; 以及在所述栅绝缘层上形成的氧化物薄膜，其中所述氧化物薄膜包括沟道区，在所述沟道区上间隔开的源极区和漏极区以及由所述栅极绝缘层扩散的掺杂物的浓度分布， 并且通道区域通过浓度分布图作为通道层进行操作。
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公开(公告)号：KR102036972B1
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：KR1020170157443
申请日：2017-11-23
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/324
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公开(公告)号：KR101887299B1
公开(公告)日：2018-09-10
申请号：KR1020170010386
申请日：2017-01-23
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/3213 , H01L21/306 , H01L21/033 , H01L21/324
Abstract: 본발명은산화물박막트랜지스터및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판상에형성된게이트전극; 상기게이트전극상에형성된게이트절연층; 및상기게이트절연층상에형성된산화물박막을포함하고, 상기산화물박막은채널영역, 상기채널영역상에서로이격되어형성된소스영역및 드레인영역을포함하며, 상기게이트절연층으로부터확산된도펀트에의한농도프로파일을포함하고, 상기채널영역은상기농도프로파일에의해채널층으로동작한다.
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公开(公告)号：KR102163565B1
公开(公告)日：2020-10-12
申请号：KR1020180156553
申请日：2018-12-07
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/324 , H01L21/02
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