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    태양전지 광흡수층 제조방법
    21.
    发明公开
    태양전지 광흡수층 제조방법 无效
    太阳能光吸收层的制造方法

    公开(公告)号：KR1020140047760A

    公开(公告)日：2014-04-23

    申请号：KR1020120113480

    申请日：2012-10-12

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 손대호 ,  양기정 ,  김대환 ,  성시준 ,  박시내 ,  강진규

    IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042

    Abstract: According to one aspect of the present invention, provided is a method of manufacturing a solar cell light absorption layer which includes a step of preparing a substrate; a step of stacking a backside electrode on the substrate; a step of stacking a metal precursor on the backside electrode layer; and a step of performing a thermal process on the substrate where the backside electrode layer and the metal precursor layer are stacked in a selenium atmosphere. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Step of preparing a substrate; (S20) Step of forming a backside electrode layer on the substrate; (S30) Step of forming a metal precursor layer on a backside of electrode layer; (S40) Perform a thermal process in a selenium atmosphere

    Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供一种制造太阳能电池光吸收层的方法，该方法包括制备衬底的步骤; 将背面电极层叠在基板上的工序; 在背面电极层上层叠金属前体的工序; 以及在硒气氛中堆叠背面电极层和金属前体层的基板上进行热处理的步骤。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）准备基板的工序; （S20）在基板上形成背面电极层的工序; （S30）在电极层的背面形成金属前体层的工序; （S40）在硒气氛中进行热处理

    디지털 방사선 영상 표시 장치 및 그의 제조 방법
    22.
    发明公开
    디지털 방사선 영상 표시 장치 및 그의 제조 방법 有权
    数字放映显示及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020140028202A

    公开(公告)日：2014-03-10

    申请号：KR1020120093633

    申请日：2012-08-27

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 양기정 ,  손대호 ,  강진규

    IPC: G02F1/1334 ,  G02F1/139

    CPC classification number: G02F1/1334 ,  A61B5/742 ,  G02F1/139

    Abstract: A digital radiation image display device according to the present invention comprises a first transparent electrode of a flat plate type; a light reaction layer formed on one surface of the first transparent electrode; a second transparent electrode of a flat plate type; and a polymer dispersed liquid crystal layer which is formed between the light reaction layer and one surface of the second transparent electrode, aligns liquid crystal molecules in a liquid crystal drop located in the location where power is selectively applied by the light reaction layer in the predetermined direction or in the arbitrary direction, or aligns liquid crystal molecules in a liquid crystal drop located in the location where power is not applied in the arbitrary direction or in the predetermined direction so that a phase can be formed, wherein the light reaction layer forms a moving route of a current for only a portion where radiation is irradiated.

    Abstract translation: 根据本发明的数字放射线图像显示装置包括平板型的第一透明电极; 形成在第一透明电极的一个表面上的光反应层; 平板型的第二透明电极; 以及形成在所述光反应层和所述第二透明电极的一个表面之间的聚合物分散液晶层，将位于所述光反应层选择施加功率的位置中的液晶分子对准所述预定的 方向或任意方向，或者将液晶分子对准位于不向任意方向或规定方向上施加电力的位置的液晶分子，使得能够形成相位，其中，光反应层形成 只有辐射照射的部分的电流的移动路线。

    비휘발성 저항 변화 메모리 소자
    23.
    发明授权
    비휘발성 저항 변화 메모리 소자 有权
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：KR101283767B1

    公开(公告)日：2013-07-08

    申请号：KR1020110120208

    申请日：2011-11-17

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 손대호 ,  김대환 ,  강진규 ,  성시준 ,  황대규

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

    Abstract: 비휘발성 저항 변화 메모리 소자가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 비휘발성 저항 변화 메모리 소자는 기판 상에 형성된 하부 전극, 하부 전극 상에 형성되고 탄탈늄(Ta), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 바나듐(V) 및 이트륨(Y) 중 적어도 1종의 금속 물질을 포함하는 사원계의 산화물 반도체 박막; 및 반도체 박막 상에 형성된 상부 전극을 포함한다.

    반도체 소자 제조 방법
    25.
    发明授权
    반도체 소자 제조 방법 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR101041866B1

    公开(公告)日：2011-06-15

    申请号：KR1020090069032

    申请日：2009-07-28

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 손대호 ,  김대환 ,  성시준 ,  강진규

    IPC: H01L29/786

    Abstract: 본 개시는 다이오드 및 전계효과 트랜지스터와 같은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 활성화 영역을 위한 산화물 반도체층의 형성 시, 적어도 가스 분위기를 포함한 공정 조건을 조절하여 상기 산화물 반도체층의 전기적 특성을 조절하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 가스 분위기는 캐리어 가스에서 산소의 비율을 조절하는 것일 수 있으며, 상기 산화물 반도체층 상에 쇼트키 접합 특성 또는 오믹 접합 특성을 갖는 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하여, 반도체 소자의 특성을 향상하고, 기존의 공정을 통하여 금속 전극의 선택 사용을 용이하게 하며, 소자의 소형화에 따른 단채널 등의 문제를 해결하고, 기존의 실리콘 기반 전자소자를 탈피할 수 있다.
    산화물 반도체, 활성화 영역, 쇼트키 접합, 오믹 접합, 가스 분위기

    황화아연 버퍼층을 적용한 CZTS계 박막 태양전지 제조방법
    28.
    发明公开
    황화아연 버퍼층을 적용한 CZTS계 박막 태양전지 제조방법 审中-实审

    公开(公告)号：KR1020170036604A

    公开(公告)日：2017-04-03

    申请号：KR1020160113101

    申请日：2016-09-02

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 심준형 ,  손대호 ,  양기정 ,  김영일

    IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본발명은후면전극에황화아연버퍼층을적용한 CZTS계박막태양전지제조방법에관한것으로, 더욱자세하게는후면전극과금속전구체층사이에황화아연버퍼층을도입하여광흡수층을형성함으로써후면전극과광흡수층사이의계면제어를통해광전환효율및 전지특성이향상된박막태양전지및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에따른박막태양전지제조방법은후면전극과금속전구체층사이에황화아연버퍼층을형성시킴으로써계면에발생하는공극(void)을감소시켜보다균일하고조밀한박막을가질수 있으며, 광흡수층금속전구체의구성원소(Cu, Zn, Sn)와 VI족원소(Se,S)가몰리브덴후면전극으로확산하는것을억제함으로써광흡수층과후면전극의전기적접합을향상시켜광전환효율이우수한이점을갖는다.

    CZTS 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS 박막 태양전지
    30.
    发明授权
    CZTS 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS 박막 태양전지 有权
    CZTS CZTS CZTS型薄膜太阳能电池和CZTS型薄膜太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号：KR101646556B1

    公开(公告)日：2016-08-09

    申请号：KR1020150110499

    申请日：2015-08-05

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 양기정 ,  심준형 ,  손대호 ,  강진규

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/046 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본발명은 CZTS 박막태양전지의제조방법및 이에따라제조되는 CZTS 박막태양전지에관한것으로, 구체적으로는기판상에후면전극을형성하는단계(단계 1); 상기단계 1의후면전극상에에너지빔을조사하여후면전극을재결정화하는단계(단계 2); 및상기단계 2의후면전극상에 CZTS(CuZnSn(S,Se)) 광흡수층을형성하는단계(단계 3);를포함하는 CZTS 박막태양전지의제조방법에관한것이다. 본발명에따른 CZTS 박막태양전지의제조방법에따르면, 후면전극을재결정화함으로써후면전극과 CZTS 박막사이에발생할수 있는계면화합물을억제할수 있어, 후면전극장벽을낮춰서정공의흐름을향상시키고, 소자의직렬저항을개선해서충진률(Fill Factor)을향상시켜전체적인소자의효율이향상되는효과가있다. 또한, 후면전극의재결정화가에너지빔을통하여저온에서수행되므로, 소다석회유리와같이광흡수층의특성을향상시킬수 있는기판을사용할수 있는장점이있다.

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