Abstract:
본 발명은 플라즈마 표면 처리를 이용한 산화아연 나노와이어 특성 제어 방법 및 그 방법으로 제조된 산화아연 나노와이어를 구비하는 전자 소자에 관한 것으로, 기판과, 상기 기판 위에 형성되며 표면이 플라즈마 표면처리되는 산화아연 촉매층과, 상기 산화아연 촉매층 위에 성장되는 복수의 산화아연 나노와이어와, 상기 산화아연 나노와이어를 포함하여 상기 산화아연 촉매층 위에 형성되는 다층의 박막 실리콘과, 상기 산화아연 시드층 및 박막 실리콘 위에 형성되는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양전지의 구성, 이를 제조하기 위한 방법과 산화아연 나노와이어 특성 제어를 위한 방법을 개시한다.
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of zinc oxide nano-wires using metal masking and a zinc oxide nano-wire material manufactured by the method are provided to control density of growing zinc oxide nano-wires by forming metallic mask layer on a catalyst layer without a light exposure process. CONSTITUTION: A manufacturing method of zinc oxide nano-wires using metal masking comprises the following steps: preparing a substrate(10); forming a catalyst layer(20) of zinc oxide material on the substrate; forming a mask layer(30) having a plurality of growth holes(33) through a thermal process; and growing zinc oxide nano-wires(40) based on the catalyst layer part which is exposed to the plurality of growth holes. The metallic mask layer formation step comprises the following steps: forming a coating layer with 20-30 nano meters thickness by spreading aqueous solution including the metal nano-particles on the catalyst layer; and forming the metallic mask layer by heat treating the coating layer at 150-700 deg. Celsius.
Abstract:
산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법은 유연기판; 유연기판 상에 마련되는 하부전극; 하부전극 상에 수직 성장되는 산화아연 나노와이어; 및 산화아연 나노와이어를 캐핑(capping)시키는 캐핑 레이어를 포함하고, 캐핑 레이어는 폴리실라잔, 실세스퀴옥산 및 실란 화합물을 포함하는 코팅액으로 형성된다.
Abstract:
Disclosed is a method for preparing a thin film type inverse opal structure of metal oxide. The method for preparing a thin film type inverse opal structure of metal oxide according to an embodiment of the present invention includes: a first step of forming a sacrificial layer to form a thin film; a second step of forming a structure in which a first solution is filled into gaps between template particles by adding the first solution in which metal oxide nanoparticles and metal precursors are dispersed on top of the sacrificial layer and a second solution including uniform-sized spherical organic polymer particles or inorganic particles; and a third step of forming the thin film with an inverse opal structure by removing the template particles.
Abstract:
그래핀 표면을 갖는 금속선 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 금속선 제조방법은 금속선 표면에 카본 소스를 포함하는 고분자층을 코팅하는 제1 단계; 및 마이크로파 조사 및 IPL(Intensed Pulse Light) 조사 중 적어도 1이상의 열원을 통해, 상기 고분자층을 가열하여 2차원 구조를 갖는 탄소 동소체층을 형성하는 제2 단계를 포함한다.