Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing an electric field emitting display device and an emitter is provided to uniformly maintain the light emitting luminance level by uniformly maintaining the discharging of a current. CONSTITUTION: An emitter material is deposited on the lower substrate, and then mask and etching processes are accomplished to expose a portion of the lower substrate. Edge emitters which have a predetermined interval are formed on the lower substrate. A material for a lower gate electrode is deposited on the front surface of the upper portion of the edge emitter. Lower gate electrodes which has a predetermined interval are formed. An insulating material and a material for an upper gate electrode are sequentially deposited, and an insulating layer and an upper gate electrode are sequentially formed on the upper portion of the edge emitter and the lower gate electrode.
Abstract:
본 발명은 물질의 수분, 산소 등을 포함하는 외기의 침투율을 측정하는 장치에 관한 것으로, 본 실시예에 따른 기판의 외기 침투율 측정을 위한 반응 물질 카트리지는 기판을 투과한 외기와의 접촉에 따라 반응하는 반응 물질을 포함하는 반응부; 상기 반응부를 수용하며, 상기 반응 물질의 상기 외기와의 접촉에 따른 변화를 측정하는 측정부에 탈착 가능한 카트리지 몸체; 및 상기 카트리지 몸체를 차폐하며, 상기 반응 물질과 상기 외기의 접촉을 위하여 상기 카트리지 몸체에서 박리되는 차폐수단을 포함한다. 본 발명에 따르면 카트리지화된 가스 투과도 측정 장치 및 방법을 이용함으로써 종래의 기술에 비해 정밀하고 신뢰성 있는 데이터 확보가 가능하여 플렉서블 AMOLED 등의 새로운 응용분야에 필요한 제품의 신뢰성 평가가 용이할 수 있다. 또한 기판이 수용되는 부분도 카트리지 형태로 제작하여 상대적으로 장착 및 지지가 자유롭지 않은 유연 기판을 측정하고자 할 때 장치 외부에서 간편하게 작업할 수 있어서 측정자 간의 균일도 오류를 줄일 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A reflective color display is provided to increase the amount of light incident on a display compared to an existing color filter. CONSTITUTION: An upper electrode(130) and a lower electrode(140) are formed on an upper substrate(110) and a lower substrate(120) respectively. A partition wall(170) is arranged between the upper substrate and the lower substrate. A cell is filled with charged particles(150,160). Color filters(181~183) are formed in the cell. The color filter includes at least one of a red filter, a green filter, and a blue filter. The filters have permeability which is higher than 35% in the range of 380 to 780nm.
Abstract:
높은 열전도도를 나타내어, 보다 작은 면적의 열전도성 기판으로도 효율적으로 열방출이 가능한 열전도성 기판 및 그의 제조방법이 제안된다. 제안된 열전도성 기판은 하부히트싱크층과 하부히트싱크층 상에 접촉하면서 형성되는 열전도체, 및 열전도체 사이를 충전하는 절연 접착부를 포함하는 열전도층, 그리고 열전도층 상에 형성되되, 열전도체와 접촉되어 하부히트싱크층으로 열을 방출하는 상부층을 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: A dispersion method of a dry complex within a polymer resin is provided to prevent nano particles generated from a dry complex in a process of a hot melting process from eluting by using polymer particles having a melting point higher than the one of the polymer resin. CONSTITUTION: The dispersion method of a dry complex within a polymer resin uses polymer particles having a melting point higher than the one of the polymer resin to prevent nano particles generated from a dry complex in a process of a hot melting process from eluting. The nano particle becomes a dry complex by using a high speed rotation device to the polymer particle. The melting point of the polymer particle is higher than the one of the polymer resin in a range of 5-300°C.
Abstract:
PURPOSE: A substrate unit for electronic paper is provided to form a hydrophobic polymer layer to an inner or external portion of an electronic paper substrate to prevent the absorption of dusts or foreign materials on the surface of the electronic paper substrate. CONSTITUTION: A substrate unit for electronic paper comprises: a substrate(140); an electrode(230) formed on the substrate; and a hydrophobic polymer(210a) formed on the external surface and/or the electrode.
Abstract:
PURPOSE: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to make a protective film of inorganic material excellent for blocking impurities. CONSTITUTION: An organic thin film transistor comprises a substrate(100), a buffer layer, a gate electrode(110), a gate insulating layer(120), a drain electrode(131), a source electrode(132), an organic semiconductor layer, the first protective film(150), and the second protective film. The buffer layer is formed on the substrate. The gate electrode is formed on the buffer layer. The gate insulating layer is formed on the buffer layer as surrounding the gate electrode. The drain and source electrodes are separated from each other on the gate insulating layer.