Abstract:
PURPOSE: A nanoparticle-containing anisotropy light transmission material is provided to reduce light loss out of a light transfer material by forming a clad layer having a low refractivity or high reflectivity. CONSTITUTION: A nanoparticle-containing anisotropy light transmission material (10) has at least one of nanofluorescent materials converting the wavelength and nanoquantum dots dispersed in the anisotropy light transmission material. The body has a fibrous form. One of the nanofluorescent materials and the nanoquantum dots are mixed and dispersed in a transparent polymer resin. The diameters of the nanofluorescent materials and nanoquantum dots are smaller than 100 nm. The nanoparticle-containing anisotropy light transmission material additionally includes a clad layer which is coated to surround the body. The clad layer is formed of a material which is smaller than the body.
Abstract:
PURPOSE: A transparent optical multilayer and a transparent photovoltaic cell having the same are provided to achieve conductivity which is similar to that of metal and optically transparent by forming a transparent cathode. CONSTITUTION: An anode(120) is formed on a substrate(110). A photoactive layer(130) is formed on the anode. A metal buffer layer(140) is formed on the photoactive layer. A first electrode layer(150) is formed on the metal buffer layer. A second electrode layer(160) is formed on the first electrode layer.
Abstract:
본 발명은 상부 및 하부 게이트 구조를 이용한 박막 트랜지스터 인버터 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 동시에 연결된 상부 게이트 구조의 TFT 소자와 하부 게이트 구조의 TFT 소자를 포함하고, 상기 소자들 중에서 어느 하나의 소자를 driver 트랜지스터로, 나머지 하나의 소자를 load 트랜지스터로 작동시키는 것을 특징으로 하며, 상기 상부 게이트 구조의 TFT 소자는 기판 상에 증착된 소스 및 드레인 전극; 상기 소스 및 드레인 전극 상에 증착된 반도체층; 상기 반도체층 상에 증착된 유전층; 및 상기 유전층 상에 증착된 게이트 전극을 포함하고, 상기 하부 게이트 구조의 TFT 소자는 기판 상에 증착된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 증착된 유전층; 상기 유전층 상에 증착된 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 증착된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 인버터 소자에 관한 것이다. 박막 트랜지스터, 인버터 소자, 상부 및 하부 게이트
Abstract:
PURPOSE: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to form a monocrystal organic semiconductor thin film with a printing method by selectively controlling the surface energy of a substrate and then controlling an organic semiconductor solution. CONSTITUTION: A gate electrode is formed on a substrate. A gate insulating layer(30) is formed on the gate electrode. A source and a drain electrode(40) are formed on the gate insulating layer. The gate insulating layer is surface-treated by a self-assembly monolayer. A surface-treated self-assembly monolayer is removed from a channel area. A monocrystal organic semiconductor(50) is formed in the channel area, from which the self-assembly monolayer is removed, by a solution process.
Abstract:
PURPOSE: A thin film transistor inverter element and manufacturing method thereof are provided to improve a side surface of a space utility by having the same channel dimension such as two unit element without an additional doping process. CONSTITUTION: An inverter element(100) includes as follows. A source and a drain electrode(20,30) is deposited on a substrate. A semiconductor layer(40) is deposited on the source and the drain electrode. An dielectric layer(50) is deposited on the semiconductor layer. A gate electrode(70) is mounted on the dielectric layer.
Abstract:
PURPOSE: A nano complex and a manufacturing method thereof are provided to remove a united nano particle on the complex surface by dispersing the dry complex into a solution dissolving only the nano particle. CONSTITUTION: The manufacturing method of the nano complex includes following steps.(i) A daughter particle, a nano particle is combined into a polymer particle, a mother particle, and a first dry complex is manufactured.(ii) The first dry complex is dispersed into a solution dissolving only the nano particle. The nano particle united on the first dry complex surface is removed.(iii) The nano particle is combined into the first dry complex, in which the nano particle is eliminated from the united surface, and a second dry complex is manufactured.(iv) And, the second dry composite is dispersed into a solution dissolving only the nano particle. The nano particle united on the second dry complex surface is removed.
Abstract:
PURPOSE: An anisotropic particle arranged structure and a manufacturing method thereof are provided to repetitively compress two electrode having fine pitch. CONSTITUTION: An elastic conductor or an elastic thermal conductor(110) is located within an elastic polymer layer(120) in order to expose the upper part and the lower part of the conductor. The particle shape of the elastic conductor or the elastic thermal conductor is a globular shape. The elasticity conductor or the elasticity thermal conductor is formed within an elasticity polymer layer. The elastic polymer layer is formed into the silicon.
Abstract:
본 발명은 물질의 수분, 산소 등을 포함하는 외기의 침투율을 측정하는 장치에 관한 것으로, 본 실시예에 따른 기판의 외기 침투율 측정을 위한 반응 물질 카트리지는 기판을 투과한 외기와의 접촉에 따라 반응하는 반응 물질을 포함하는 반응부; 상기 반응부를 수용하며, 상기 반응 물질의 상기 외기와의 접촉에 따른 변화를 측정하는 측정부에 탈착 가능한 카트리지 몸체; 및 상기 카트리지 몸체를 차폐하며, 상기 반응 물질과 상기 외기의 접촉을 위하여 상기 카트리지 몸체에서 박리되는 차폐수단을 포함한다. 본 발명에 따르면 카트리지화된 가스 투과도 측정 장치 및 방법을 이용함으로써 종래의 기술에 비해 정밀하고 신뢰성 있는 데이터 확보가 가능하여 플렉서블 AMOLED 등의 새로운 응용분야에 필요한 제품의 신뢰성 평가가 용이할 수 있다. 또한 기판이 수용되는 부분도 카트리지 형태로 제작하여 상대적으로 장착 및 지지가 자유롭지 않은 유연 기판을 측정하고자 할 때 장치 외부에서 간편하게 작업할 수 있어서 측정자 간의 균일도 오류를 줄일 수 있다.
Abstract:
용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치이 개시된다. 본 자외선 램프 장치는 샘플탑재부와 내부에 챔버 공간을 가지고 샘플탑재부를 에워싸는 구조를 갖는 하우징을 구비하되, 챔버 공간의 상부에는 샘플탑재부와 대향되게 형성되어 하부로 자외선을 조사하기 위한 자외선 램프부를 포함하고, 하우징의 일영역에는 상기 샘플탑재부의 탑재된 샘플에 상기 불활성가스를 주입하기 위한 불활성가스 주입부를 구비한다.