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公开(公告)号：KR1020110010929A
公开(公告)日：2011-02-08
申请号：KR1020090068292
申请日：2009-07-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N27/414 , G01N33/48 , B82B3/00 , G01N27/00
Abstract: PURPOSE: A nanowire transistor sensor, a manufacturing method, and a bio molecular detecting device using the same are provided to maximize the surface area of an around domain in which nanogap is formed. CONSTITUTION: A nanowire transistor sensor comprises a gate(110), a source(140), a drain(150), and a nanowire(130). The source and drain are formed to be separated from each other on the gate. The insulating layer is formed in the interval between the gate, the source and the drain, respectively. The insulating layer comprises a channel region formed on the area in which the source and the drain are separated.
Abstract translation: 目的：提供纳米线晶体管传感器，制造方法和使用该纳米线晶体管传感器的生物分子检测装置，以使形成纳米隙的周围区域的表面积最大化。 构成：纳米线晶体管传感器包括栅极（110），源极（140），漏极（150）和纳米线（130）。 源极和漏极形成为在栅极上彼此分离。 绝缘层分别形成在栅极，源极和漏极之间的间隔中。 绝缘层包括形成在源极和漏极分离的区域上的沟道区。
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公开(公告)号：KR100972391B1
公开(公告)日：2010-07-27
申请号：KR1020080026790
申请日：2008-03-24
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 나노센서를 이용한 질병검사장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 검출 대상물에 특이적으로 반응하는 센서와 레퍼런스 센서를 이용해서 환경적 요인에 따른 노이즈 없이 검출 대상물 내의 상대적 변화를 이용하여 질병인자의 존재유무 또는 농도를 감지하여 검출 대상물에 의한 신호만 얻을 수 있는 고감도의 나노센서를 이용한 질병검사장치에 관한 것이다.
본 발명의 나노센서를 이용한 질병검사장치는 검출 대상물에 특이적으로 반응하는 제1센서; 상기 제1센서에 대해 레퍼런스 센서로 동작하는 제2센서; 상기 제1센서와 제2센서에 유체 흐름을 만들어 검사샘플을 흐르게 하기 위한 유체채널; 및 상기 제1센서와 제2센서의 상대적 저항특성 변화를 감지하는 휘트스톤 브릿지회로를 포함하는 것에 그 기술적 특징이 있다.
나노와이어, 나노센서, 바이오센서, 휘트스톤 브릿지, 질병검사-
公开(公告)号：KR100855882B1
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：KR1020060080852
申请日：2006-08-25
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명에 따른 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 어레이를 이용한 소자 및 그의 제조방법은 이질접합을 형성하기 위하여 실리콘 기판상에 불순물을 주입하는 단계, 실리콘 기판을 열산화하여 제1열산화막을 형성하는 제1열산화 단계, 제1열산화막을 식각하여 산화막 패턴을 형성하는 단계, 실리콘 기판을 식각하여 컬럼 구조를 형성하는 단계, 컬럼 구조를 이방성 식각하여 나노와이어를 형성하는 단계, 기판을 열산화하여 제2열산화막을 형성하는 제2열산화 단계 및 제2열산화막을 제거하여 릴리즈된 나노와이어를 형성하는 단계를 포함한다.
따라서, 본 발명은 불순물 주입공정과 열산화 공정의 조절을 통하여 나노와이어의 선폭을 용이하게 설정할 수 있으며, 이로 인하여 다양한 형태를 가지는 이질접합을 갖는 나노와이어를 용이하게 형성할 수 있으며, 바이오 센서, 박막 트랜지스터 소자, 나노전자소자, 광소자 등 다양한 소자에 용이하게 적용가능한 이점이 있다.
이질접합, 나노와이어, 톱-다운-
公开(公告)号：KR1020080034257A
公开(公告)日：2008-04-21
申请号：KR1020060100246
申请日：2006-10-16
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: An automation system for nano-wire transfer and a method for driving the same are provided to achieve high reproducibility with reduced misalignment errors for the mass nano-wire transfer, since the entire process is automatically controlled by a system control when a nano-wire is transferred to other substrates at the same pressure and conditions simultaneously. An automation system for nano-wire transfer(300) comprises an adhesive coating unit(310), a nano-wire transfer unit(330), a substrate moving unit(320), and a system control unit(340). The adhesive coating unit is to coat an adhesive onto a substrate(410) to be used in nano-wire transfer. The nano-wire transfer unit is to transfer nano-wire onto the substrate. The substrate moving part is installed between the adhesive coating unit and nano-wire transfer unit to move a substrate under process. The system control unit controls the adhesive coating layer, nano-wire transfer unit, and substrate moving unit.
Abstract translation: 提供了一种用于纳米线转移的自动化系统及其驱动方法，以实现高重现性并减少了大量纳米线转移的失准误差，因为当纳米线为 在相同的压力和条件下同时转移到其他基材。 一种用于纳米线转移（300）的自动化系统包括粘合剂涂覆单元（310），纳米线转移单元（330），基底移动单元（320）和系统控制单元（340）。 粘合剂涂布单元将粘合剂涂覆到用于纳米线转移的基底（410）上。 纳米线转移单元将纳米线转移到基底上。 基板移动部分安装在粘合剂涂布单元和纳米线转移单元之间以移动正在处理的基板。 系统控制单元控制粘合剂涂层，纳米线转移单元和基底移动单元。
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公开(公告)号：KR1020080023398A
公开(公告)日：2008-03-14
申请号：KR1020060087229
申请日：2006-09-11
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01L1/205 , B82B3/0009 , G01L1/18 , H01L21/3065 , H05K2201/05
Abstract: A force sensor using a Si nanowire and a method for manufacturing the same are provided to adjust resistance of a sensing element conveniently by controlling the amount of impurity doped in the Si nanowire. A force sensor using a Si nanowire comprises a membrane(110), a Si nanowire(120), and a plurality of electrodes(130). The membrane, a flexible plate, is mechanically changed by external force. The Si nanowire changes resistance according to the mechanical change of the membrane. The electrodes are installed at two sides of the Si nanowire. The Si nanowire is doped with impurities.
Abstract translation: 提供使用Si纳米线的力传感器及其制造方法，以通过控制在Si纳米线中掺杂的杂质的量来方便地调节感测元件的电阻。 使用Si纳米线的力传感器包括膜（110），Si纳米线（120）和多个电极（130）。 膜是柔性板，通过外力机械地改变。 Si纳米线根据膜的机械变化而改变电阻。 电极安装在Si纳米线的两侧。 Si纳米线掺杂有杂质。
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公开(公告)号：KR101834049B1
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：KR1020150188468
申请日：2015-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/146 , H01L29/06
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14689 , H01L29/4916 , H01L31/022408 , H01L31/035227
Abstract: 본발명의나노와이어를이용한이미지센서는기판, 입사광을감지하여입사광의세기에따라크기가변화하는광전류를생성하는광검출소자, 광전류의발생여부및 크기에기초하여, 입사광의발생여부및 세기정보를포함하는광검출전류를출력하는신호처리모듈및 광검출소자와신호처리모듈을전기적으로연결하며, 광검출소자와신호처리모듈상에형성되는전극을포함하며, 광검출소자와상기신호처리모듈은동일한기판상에형성되며, 광검출소자는적어도하나이상의실리콘나노와이어로형성된다.
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公开(公告)号：KR101809359B1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：KR1020160039482
申请日：2016-03-31
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 휴대용분자진단시스템이제공된다. 본발명의실시예에따른진단시스템은, 타겟물질이포함된용액이담겨지는제1 용기, 제1 용기에서타겟물질을포획하는스트립, 스트립에포획된타겟물질을용리하기위한용액이담겨지는제2 용기및 제2 용기가안착되며제2 용기의용액에광을조사하는거치대를포함한다. 이에의해, 현장에서간단하고빠르게핵산을추출하고분석까지가능하게된다.
Abstract translation: 提供便携式分子诊断系统。 根据本发明实施例的诊断系统包括：第一容器，容纳含有目标材料的溶液;条带，捕获第一容器中的目标材料;第二容器，容纳用于洗脱捕获在条带中的目标材料的溶液; 2容器和用于保持第二容器并且将光照射到第二容器的溶液的保持器。 因此，可以在现场简单快速地提取核酸并进行分析。
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公开(公告)号：KR101800515B1
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：KR1020150188462
申请日：2015-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/06 , G01D21/00 , H01L21/8238 , H01L21/02 , H01L27/04
Abstract: 본발명의일실시예는, 나노와이어센서의제조공정과 CMOS 회로의제조공정을통합하여, 하나의기판상에나노와이어센서및 CMOS 회로를동시에집적함으로써, 제조공정이간단하고, 잡음성능이개선되며, 신뢰성이향상되는 CMOS 회로가집적된나노와이어센서칩의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例中，通过集成在生产过程的生产步骤和纳米线传感器的CMOS电路和通过集成纳米线传感器，并在同一时间在一个衬底上的CMOS电路，和制造工艺被简化，从而提高噪声性能 并且提供一种制造纳米线传感器芯片的方法，所述纳米线传感器芯片与具有提高的可靠性的CMOS电路集成。
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