-
公开(公告)号：KR100892413B1
公开(公告)日：2009-04-10
申请号：KR1020070102934
申请日：2007-10-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0096 , H01L33/10 , H01L51/5246
Abstract: An organic light-emitting diode lighting device and a method of manufacture thereof are provided to improve the light release efficiency by reflecting the light income due to the refraction index differential between the material of substrate and the organic electroluminescent diode structure. An organic electroluminescent diode structure(110) is formed on the top of substrate(100). The organic electroluminescent diode structure comprises one or more light emission regions. A barrier rib divides the light emission regions. A reflecting structure(200) including a groove is formed. The groove has an inclined inner wall(320). The inner wall of groove and the top of substrate are welded by using the sealant(400). The inner wall of the reflecting structure is coated with the reflective film.
Abstract translation: 提供了一种有机发光二极管照明装置及其制造方法，以通过反映由于基板材料和有机电致发光二极管结构之间的折射率差异引起的光收入来提高光释放效率。 在基板（100）的顶部上形成有机电致发光二极管结构（110）。 有机电致发光二极管结构包括一个或多个发光区域。 隔壁将发光区域分开。 形成包括凹槽的反射结构（200）。 凹槽具有倾斜的内壁（320）。 通过使用密封剂（400）焊接槽的内壁和基板的顶部。 反射结构的内壁涂有反射膜。
-
公开(公告)号：KR1020060075656A
公开(公告)日：2006-07-04
申请号：KR1020040114477
申请日：2004-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786 , H05B33/00
CPC classification number: H01L51/5296 , H01L51/5203
Abstract: 본 발명은 비대칭 전극 구조를 가지는 유기 발광 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 일함수가 비대칭인 소스 전극과 드레인 전극을 형성하여 금속과 유기 발광 물질막 사이에 접촉저항을 줄여 높은 발광 효율을 갖는 소자를 구현할 수 있는 효과가 있다.
유기, 일함수, 트랜지스터, 발광-
公开(公告)号：KR1020050072956A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：KR1020040001114
申请日：2004-01-08
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/14678 , G06K9/0004
Abstract: 본 발명은 지문 인식 센서와 일체로 구동소자용 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것으로, 광투과형 기판 상부에 상호 이격된 제 1 내지 3 게이트를 형성하는 단계와; 상기 제 1 게이트의 일측 상부면을 감싸는 전극라인을 형성하는 단계와; 상기 제 1 내지 3 게이트와 전극라인을 감싸도록 광투과형 기판 상부에 절연막을 형성하는 단계와; 상기 제 1 내지 3 게이트 각각의 상부 영역에 존재하는 절연막 상부에 제 1 내지 3 비정질 실리콘층을 형성하는 단계와; 상기 제 3 비정질 실리콘층에 엑시머 레이저(Excimer laser)광을 조사하여, 제 3 비정질 실리콘층을 결정화된 다결정 실리콘층으로 변화시키는 단계와; 상기 제 1과 2 비정질 실리콘층과 다결정 실리콘층 각각의 일측 상부를 감싸는 소스(Source)를 형성하고, 타측 상부를 감싸는 드레인을 형성하며, 상기 제 1 비정질 실리콘층의 드레인과 제 2 비정질 실리콘층의 소스를 연결하는 단계와; 상기 절연막, 제 1과 2 비정질 실리콘층, 다결정 실리콘층, 소스와 드레인을 감싸는 패시베이션층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 비정질 실리콘층 상부에 존재하는 패시베이션층 상부에 광차단막을 형성하는 단계로 이루어진다.
따라서, 본 발명은 지문 인식 센서와 구동소자용 박막 트랜지스터를 일체로 광투과형 기판 상에 형성할 수 있으므로, 지문 인식 시스템의 소형화를 달성할 수 있고, 제조 경비를 낮출 수 있으며, 제작 공정을 단순화시킬 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020050035618A
公开(公告)日：2005-04-19
申请号：KR1020030071327
申请日：2003-10-14
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134309 , H01L31/1884
Abstract: 본 발명은 전자장치용 투명전극에 관한 것으로, 본 발명의 투명전극은, Mg, Ba와 Ca 중 선택된 어느 한 물질로 이루어진 제 1 금속층과; 상기 제 1 금속층 상부에 형성되며, Ag 또는 Al로 이루어진 제 2 금속층으로 형성하거나, 또는, Ca＼CaOx＼Ag, CaOx＼Ag, CaOx＼Ag＼AgOx, Ca＼AgOx, CaOx＼AgOx와 Ca＼Ag＼AgOx 중 선택된 어느 하나의 적층막으로 형성한다.
따라서, 본 발명은 투명전극 증착시 하부층에 손실을 주지 않고, 전기 전도도가 우수하며, 두께를 얇게 형성하여도 투과도를 우수하게 할 수 있으며, 기존의 ITO막에 비하여 저가의 재료, 장비와 공정으로 우수한 품질의 투명 전극을 얻을 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020040013969A
公开(公告)日：2004-02-14
申请号：KR1020020047121
申请日：2002-08-09
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H05B33/26
CPC classification number: H01L51/5206 , H01L51/0002 , H01L51/0021 , H01L2251/5315
Abstract: PURPOSE: A method is provided to reduce costs and allow for ease of dry or wet etching, while achieving improved characteristics of hole injection. CONSTITUTION: A method comprises a step of forming an anode electrode pattern(20) through a photo lithography process by depositing a nickel on a glass substrate(10); a step of depositing a material to be used as a hole injection layer on the anode electrode pattern, wherein the material includes a poly(3,4-ethylenedioxythiophene) doped with polystyrene sulfonated acid(30); a step of depositing a high/low molecular organic light emitting layer(40) on the hole injection layer; and a step of forming a cathode electrode pattern on the high/low molecular organic light emitting layer, wherein the cathode electrode pattern includes an electron injection thin film(50-1) and a transparent conductive layer(50-2).
Abstract translation: 目的：提供一种降低成本并允许干蚀刻或湿蚀刻的方法，同时实现改进的空穴注入特性。 构成：一种方法包括通过在玻璃基板（10）上沉积镍而通过光刻工艺形成阳极电极图案（20）的步骤; 在阳极电极图案上沉积要用作空穴注入层的材料的步骤，其中所述材料包括掺杂有聚苯乙烯磺酸的聚（3,4-亚乙基二氧噻吩）（30）; 将高/低分子有机发光层（40）沉积在空穴注入层上的步骤; 以及在高/低分子有机发光层上形成阴极电极图案的步骤，其中阴极电极图案包括电子注入薄膜（50-1）和透明导电层（50-2）。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140017967A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020120085040
申请日：2012-08-03
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0102 , G02F2202/32
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a photonic crystal device using a photonic crystal particle capable of expressing an electrically variable photonic crystal structure color in a non-polarized solvent while having the modified surface using a hydrophobic positive charge silane derivative. The photonic crystal device has one or more cells by the steps of synthesizing suspension using a surface modified nanoparticle of hydrophobic positive charge; and manufacturing a photonic crystal device cell. The step of synthesizing suspension comprises the steps of generating a nanoparticle dispersion solution by adding the nanoparticle in a dispersion solvent; adding the silane derivative in the nanoparticle dispersion solution to be stirred and modifying the surface of the nanoparticle; separating the surface modified nanoparticle from the dispersion solution; cleaning the surface modified nanoparticle separated by a cleansing solution; and adding the surface modified nanoparticle in a medium to synthesize the suspension. The step of manufacturing a photonic crystal device cell comprises the steps of composing a cell by having a partition between an upper electrode and a lower electrode; and injecting the suspension into the cell.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用能够在非极化溶剂中表现电可变光子晶体结构颜色的光子晶体微粒制造光子晶体器件的方法，同时具有使用疏水性正电荷硅烷衍生物的改性表面。 光子晶体器件通过以下步骤合成一个或多个电池：使用疏水正电荷的表面改性纳米粒子合成悬浮液; 并制造光子晶体器件单元。 合成悬浮液的步骤包括以下步骤：通过将纳米颗粒加入分散溶剂中产生纳米颗粒分散液; 将硅烷衍生物加入到纳米颗粒分散液中进行搅拌和改性纳米颗粒的表面; 将表面改性的纳米颗粒与分散液分离; 清洁由清洁溶液分离的表面改性纳米颗粒; 并将表面改性的纳米颗粒加入到介质中以合成悬浮液。 制造光子晶体器件单元的步骤包括通过在上电极和下电极之间具有隔板来构成单元的步骤; 并将悬浮液注入细胞中。
-
公开(公告)号：KR101332023B1
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020110052337
申请日：2011-05-31
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 유기 발광 다이오드 조명 장치에서, 기판 위에 형성되는 유기 발광 다이오드를 보호하기 위한 봉지 부재에 유기 발광 다이오드의 애노드 전극과 캐소드 전극의 저항을 감소시키기 위한 보조 전극을 형성한다.
-
公开(公告)号：KR101285590B1
公开(公告)日：2013-07-12
申请号：KR1020110016585
申请日：2011-02-24
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/1333 , G02F1/13 , G02F1/1335
Abstract: 본 발명은 액정표시장치의 기판 분리 및 재생 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 액정표시장치에 포함되어 있는 기판을 재사용할 수 있도록 액정표시장치를 분해여 액정을 제거하고 컬러 필터 기판(상부 기판) 및 TFT-어레이 기판(하부 기판)상에 적층되어 있던 컬러 필터, 투명 전극, 편광 필름 등을 포함하는 여러 부품층 및 필름을 제거함으로써 상부 및 하부 기판을 분리 및 재생하는 방법에 관한 것이다.
상부 기판의 일면에는 편광 필름이 에폭시로 부착되고 다른 면에는 컬러 필터와 공통전극이 적층되어 구성되는 컬러 필터 기판(상부 기판)과, 게이트 전극과 실리콘 질화막과 액티브 층과 소스 및 드레인 전극과 화소 전극이 하부 기판의 일면에 적층되고 다른 면에는 편광필름이 에폭시로 부착되어 구성되는 TFT-어레이 기판(하부 기판)과, 상기 컬러 필터 기판(상부 기판)과 상기 TFT-어레이 기판(하부 기판) 사이에 채워져서 실란트에 의해 보존되는 액정으로 구성되는 액정표시장치에 있어서, 본 발명에 따르는 액정표시장치의 기판 분리 및 재생 방법은, 액정표시장치를 컬러 필터 기판 및 TFT-어레이 기판으로 각각 분리하는 단계; 분리된 상기 컬러 필터 기판(상부 기판)과 상기 TFT-어레이 기판(하부 기판)의 잔여 액정을 제거하는 단계; 상기 상부 기판 및 하부 기판의 일면에 부착된 편광 필름을 떼어내고 상부 기판 및 하부 기판상의 잔여 에폭시를 제거하는 단계; 상기 상부 기판의 다른 면에 구성된 컬러 필터 및 투명 전극층을 제거하는 단계; 및 상기 하부 기판의 일면에 배치된 실리콘 질화막을 용해하여, 액티브 층과 소스 및 드레인 전극과 화소 전극(투명 전극)을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
29.发明公开
公开(公告)号：KR1020120116659A
公开(公告)日：2012-10-23
申请号：KR1020110034234
申请日：2011-04-13
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A collecting method for indium tin oxide and valuable resources from a liquid crystal display device and collected indium tin oxide by the method are provided to collect indium tin oxide and valuable sources from a liquid crystal display device using a simple process. CONSTITUTION: A collecting method for indium tin oxide and valuable resources from a liquid crystal display device comprises the following steps: separating liquid crystal display(s110); separating an upper plate from a lower plate of a liquid crystal display(s120); removing polaroid film and liquid crystal residue of the upper plate(s130); removing a color filter of the upper plate and separating a glass substrate from the upper plate(s140); and heat treating and pulverizing the residual indium tin oxide(s150); and post-treating indium tin oxide(s160). In the first step, a sealed part of the upper and lower plates is cut by being scribed. The Polaroid film is removed by using an organic solvent. The color filter is removed by dissolving the color filter using alkaline solution. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Decomposing product and separating liquid crystal display; (S120) Separating an upper plate from a lower plate of a liquid crystal display; (S130) Removing Polaroid film and liquid crystal; (S140) Removing a color filter and separating a glass substrate; (S150) Heat treating and pulverizing the residual indium tin oxide; (S160) Post-treating indium tin oxide
Abstract translation: 目的：提供一种通过该方法从液晶显示装置和收集的氧化铟锡中的氧化铟锡和有价值的资源的收集方法，以使用简单的工艺从液晶显示装置中收集氧化铟锡和有价值的源。 构成：从液晶显示装置获得的氧化铟锡和有价值的资源的收集方法包括以下步骤：分离液晶显示器（s110）; 从液晶显示器的下板分离上板（S120）; 去除所述上板的偏光片和液晶残渣（s130）; 去除上板的滤色片并将玻璃基板与上板分离（s140）; 并对残留的氧化铟锡进行热处理和粉碎（s150）; 和后处理氧化铟锡（s160）。 在第一步骤中，通过划刻切割上板和下板的密封部分。 通过使用有机溶剂除去偏光片。 通过使用碱性溶液溶解滤色器除去滤色器。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）分解产品并分离液晶显示器; （S120）从液晶显示器的下板分离上板; （S130）去除偏光片和液晶; （S140）去除滤色器并分离玻璃基板; （S150）对残留的氧化铟锡进行热处理粉碎; （S160）后处理氧化铟锡
-
公开(公告)号：KR1020120097181A
公开(公告)日：2012-09-03
申请号：KR1020110016585
申请日：2011-02-24
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02F1/1333 , G02F1/13 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/1309 , G02F1/133514 , G02F1/1368 , G02F2203/68
Abstract: PURPOSE: A method for separating and recycling a substrate of a liquid crystal display device is provided to eliminate several layers from a substrate without breaking the liquid crystal display device, thereby separating and recycling upper/lower substrates of the liquid crystal display device. CONSTITUTION: Polarization films attached to one-sides of upper/lower substrates are eliminated. Remaining epoxy is eliminated from the upper/lower substrates. A color filter and a transparent electrode layer are eliminated from the other side of the upper substrate. A silicon nitride film is dissolved while the silicon nitride film is arranged on the lower substrate. An active layer, source and drain electrodes, and a pixel electrode are eliminated. [Reference numerals] (AA) Disassembling products and separating TFT-LCDs; (BB) Cutting the edge and separating upper/lower substrates; (CC) Removing polarization films of the upper/lower substrates and epoxy; (DD) Removing a color filter and a transparent electrode of the upper substrate; (EE) Removing SiNx, a pixel electrode and residues of the lower substrate; (FF) Forming a recycled substrate; (GG) Treating the surface of the substrate for reinforcement
Abstract translation: 目的：提供一种分离和再循环液晶显示装置的基板的方法，从而从液晶显示装置中分离和再循环上下基板，从而从基板上除去多层而不破坏液晶显示装置。 构成：消除了附着在上/下基板一侧的极化膜。 剩余的环氧树脂从上/下基板上消除。 从上基板的另一侧排出滤色器和透明电极层。 氮化硅膜被溶解，而氮化硅膜被布置在下基板上。 消除有源层，源极和漏极以及像素电极。 （附图标记）（AA）拆卸产品和分离TFT-LCD; （BB）切割边缘并分离上/下基板; （CC）去除上/下基板和环氧树脂的偏振膜; （DD）去除上基板的滤色器和透明电极; （EE）去除SiNx，像素电极和下基板的残留物; （FF）形成再生基材; （GG）处理基材的表面进行加固
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.019 seconds)
