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公开(公告)号：KR1020120061731A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：KR1020110101550
申请日：2011-10-06
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0445
Abstract: PURPOSE: A thin film deposition apparatus and a thin film deposition method thereof are provided to reduce manufacturing costs without using a tray for loading a substrate in the thin film deposition apparatus. CONSTITUTION: A process chamber(110) comprises a substrate transfer unit which transfers a substrate while being connected to the substrate. A thin film deposition process for depositing a thin film on the substrate is performed inside the process chamber. An insertion load lock chamber(120) is connected to one side of the process chamber while arranging a first entrance between the insertion load lock chamber and the process chamber. An insertion substrate transfer unit is arranged inside the insertion load lock chamber. An ejection load lock chamber(130) comprises an ejection substrate transfer unit for transferring the substrate while being connected to the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜沉积设备及其薄膜沉积方法以降低制造成本，而不用在薄膜沉积设备中使用用于加载基板的托盘。 构成：处理室（110）包括基板传送单元，其在连接到基板的同时传送基板。 在处理室内进行用于在基板上沉积薄膜的薄膜沉积工艺。 插入负载锁定室（120）连接到处理室的一侧，同时在插入负载锁定室和处理室之间布置第一入口。 插入基板转印单元布置在插入装载锁定室的内部。 喷射装载锁定室（130）包括用于在连接到基板的同时传送基板的喷射基板传送单元。
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公开(公告)号：KR101073834B1
公开(公告)日：2011-10-14
申请号：KR1020090085469
申请日：2009-09-10
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
Abstract: 본발명은공정챔버의세정주기를연장시켜생산성을향상시킬수 있도록한 플라즈마처리장치및 처리방법에관한것으로, 플라즈마를이용하여기판에박막을형성하기위한반응공간을제공하는공정챔버; 상기공정챔버내에설치되어상기기판을지지하는기판지지수단; 상기공정챔버내에설치되어상기반응공간에공정가스를분사하는가스분사부재; 및상기가스분사부재에전기장을형성하여상기박막이상기공정챔버에형성되는것을방지하기위한바이어스전원을포함하여구성되는플라즈마처리장치를제공하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR102205349B1
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：KR1020200009663
申请日：2020-01-28
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 본발명은공정챔버, 상기공정챔버에회전가능하게설치되고, 복수의기판이탑재지지되는기판지지부, 상기기판지지부에대향되도록상기공정챔버의상부를덮는챔버리드, 및상기챔버리드에일정한간격으로설치된복수의전극모듈을포함하는기판처리장치에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101929405B1
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：KR1020170148022
申请日：2017-11-08
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
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公开(公告)号：KR101946312B1
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：KR1020180129689
申请日：2018-10-29
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101927296B1
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：KR1020110147714
申请日：2011-12-30
Applicant: 주성엔지니어링(주)
Abstract: 본 발명의 플라즈마 발생 장치, 전극 구조체, 및 플라즈마 발생 방법을 제공한다. 이 플라즈마 발생 장치는 외부로부터 가스를 공급받아 분배하는 가스 확산 공간을 포함하는 가스 분배판, 가스 확산 공간 상부에 배치되고 외부 RF 전원으로부터 전력을 공급받아 분배하는 제1 배선, 가스 확산 공간 하부에 배치되고 제1 배선으로부터 전력을 공급받아 재분배하는 제2 배선, 가스 확산 공간을 관통하여 제1 배선과 제2 배선을 전기적으로 연결하는 콘택 플러그들, 및 가스 분배판 하부에 배치되고 제2 배선에 전기적으로 연결되어 플라즈마를 형성하는 복수의 전원 전극들을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101604844B1
公开(公告)日：2016-03-18
申请号：KR1020090125273
申请日：2009-12-16
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/302
Abstract: 본발명에따른챔버세정방법은챔버내에세정가스를공급하고, 기판지지부에전류를인가하는단계, 기판지지부에인가되는전류를실시간으로검출하여, 시간경과에따른전류변화를검출하는단계, 시간경과에따른전류값을미분하는단계및 미분된값이최소가되는시점을판독하여, 상기시점을세정종료기준점으로설정하는단계를포함한다. 따라서, 본발명에의하면정확하게검출된세정종료기준점을기준으로세정공정이종료되는공정종료시점을정확하게결정할수 있다. 따라서, 챔버내부에잔류하는불순물에의한소자의불량이발생하는것을줄일수 있다. 또한, 챔버내부의세정이과도하게이루어져, 세정공정에이용되는세정가스및 전력이과도하게소비되거나세정공정을위한공정시간이길어지는문제를방지할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130141409A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020130134833
申请日：2013-11-07
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/0273 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/30621 , H01L21/31116 , H01L21/76825 , H01L21/76826
Abstract: The present invention relates to a substrate processing apparatus capable of easily controlling the layer quality of a thin film and improving the uniformity by separating a plasma space from a source gas injection space and a substrate processing method. According to the present invention, the substrate processing apparatus includes a process chamber; a substrate support part supporting a substrate in a chamber; a plasma formation space for injecting plasma onto the substrate; a source gas injection space for injecting a source gas; and a space formation member for preparing the source gas injection space and the plasma formation space and formed on the upper part of the process chamber.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够容易地控制薄膜的层质量并通过从源气体注入空间分离等离子体空间和基板处理方法来提高均匀性的基板处理装置。 根据本发明，基板处理装置包括处理室; 支撑室中的基板的基板支撑部; 用于将等离子体注入到所述衬底上的等离子体形成空间; 用于喷射源气体的源气体注入空间; 以及用于制备源气体注入空间和等离子体形成空间并形成在处理室的上部的空间形成构件。
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公开(公告)号：KR1020130081369A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：KR1020120002289
申请日：2012-01-09
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A thin film depositing apparatus, a plasma generating apparatus, and a thin film depositing method are provided to form a thin film with high quality by separating a plasma region from a reaction region by using a linear multiple electrode. CONSTITUTION: A plasma region (107) generates plasma by using a first gas. The first gas is supplied between a ground electrode and a power electrode through a first gas supply line. A reaction region (109) interacts with the plasma by using a second gas. The second gas is supplied through a second gas supply line via the ground electrode. A substrate holder is arranged on the reaction region. [Reference numerals] (AA) First gas; (BB) Second gas; (CC) First direction; (DD) Second direction; (EE) Third direction
Abstract translation: 目的：提供薄膜沉积设备，等离子体产生设备和薄膜沉积方法，通过使用线性多电极从反应区域分离等离子体区域，从而形成高质量的薄膜。 构成：等离子体区域（107）通过使用第一气体产生等离子体。 第一气体通过第一气体供给管路在接地电极和功率电极之间供给。 反应区域（109）通过使用第二气体与等离子体相互作用。 第二气体经由接地电极通过第二气体供给管线供给。 在反应区域上设置衬底保持器。 （附图标记）（AA）第一气体; （BB）二气; （CC）第一方向; （DD）第二方向; （EE）第三方向
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公开(公告)号：KR101073833B1
公开(公告)日：2011-10-14
申请号：KR1020090085428
申请日：2009-09-10
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
Abstract: 본발명은플라즈마밀도의좌우대칭성을향상시킬수 있도록한 플라즈마처리장치에관한것으로, 반응공간을제공하는공정챔버; 상기공정챔버내에설치되어기판을지지하는기판지지수단; 상기기판지지수단과마주보도록상기공정챔버에설치되어 RF 전력을이용해상기반응공간에플라즈마를발생시키기위한적어도하나의안테나; 및상기반응공간에발생되는플라즈마밀도의좌우대칭성을밸런싱하기위해상기적어도하나의안테나를감싸는전도성재질로형성된밸런스부재를포함하여구성되는플라즈마처리장치를제공하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及能够改善等离子体密度的对称性的等离子体处理设备，包括：用于提供反应空间的处理室; 衬底保持装置，安装在处理室中以支撑衬底; 至少一个天线，设置在处理室中以面对衬底支撑装置并使用RF功率在反应空间中产生等离子体; 并且由围绕所述至少一个天线的导电材料形成的平衡构件平衡反应空间中产生的等离子体密度的对称性。
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