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    유도성장을 이용한 나노선 어레이 제조방법
    23.
    发明授权
    유도성장을 이용한 나노선 어레이 제조방법 有权
    纳米阵列的制造方法

    公开(公告)号：KR101686716B1

    公开(公告)日：2016-12-29

    申请号：KR1020140187927

    申请日：2014-12-24

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 황선용 ,  박준혁 ,  김종규

    IPC: H01L21/02 ,  B82B3/00

    CPC classification number: H01L21/02603 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/47

    Abstract: 본발명은사파이어또는실리콘기판위에시드(seed) 질화물을형성하고, 그위에유기나노와이어패턴및 이를템플릿으로한 유전체나노터널을형성하고, 이를유도성장마스크로이용하는것으로, 시드(seed) 질화물로부터질화물무기나노와이어를성장하는유도성장을이용한나노선어레이제조방법에관한것이다. 이와같은본 발명의특징은질화물선택성장이가능한물질중 어느하나로써기판을포함한베이스층상에노즐프린팅방법등을이용해유기나노선어레이를템플릿으로형성하는단계; 유기나노선어레이상에스텝커버리지가좋은방법(PECVD, 스퍼터링등)으로유전체를형성하는단계; 유기나노선을제거하여유전체나노터널을형성하는단계; 유도성장을위한시드결정을형성하는단계; 나노선유도성장을하는단계; 유전체를제거하는단계를제공하는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 提供了使用诱导生长制造纳米线阵列的方法，其中通过在蓝宝石或硅衬底上形成氮化物晶种从氮化物晶种生长氮化物无机纳米线，使用纳米线图案形成有机纳米线图案和介电纳米线 作为氮化物种子上的模板，并使用纳米隧道作为诱导生长掩模。

    유도성장을 이용한 나노선 어레이 제조방법
    24.
    发明公开
    유도성장을 이용한 나노선 어레이 제조방법 有权
    纳米阵列的制造方法

    公开(公告)号：KR1020160078569A

    公开(公告)日：2016-07-05

    申请号：KR1020140187927

    申请日：2014-12-24

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 황선용 ,  박준혁 ,  김종규

    IPC: H01L21/02 ,  B82B3/00

    CPC classification number: H01L21/02603 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/47 ,  B82B3/00

    Abstract: 본발명은사파이어또는실리콘기판위에시드(seed) 질화물을형성하고, 그위에유기나노와이어패턴및 이를템플릿으로한 유전체나노터널을형성하고, 이를유도성장마스크로이용하는것으로, 시드(seed) 질화물로부터질화물무기나노와이어를성장하는유도성장을이용한나노선어레이제조방법에관한것이다. 이와같은본 발명의특징은질화물선택성장이가능한물질중 어느하나로써기판을포함한베이스층상에노즐프린팅방법등을이용해유기나노선어레이를템플릿으로형성하는단계; 유기나노선어레이상에스텝커버리지가좋은방법(PECVD, 스퍼터링등)으로유전체를형성하는단계; 유기나노선을제거하여유전체나노터널을형성하는단계; 유도성장을위한시드결정을형성하는단계; 나노선유도성장을하는단계; 유전체를제거하는단계를제공하는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明涉及通过使用诱导生长制造纳米线阵列的方法，其中通过在蓝宝石或硅衬底上形成氮化物，从氮化物生长氮化物的无机纳米线，形成有机纳米线图案和电介质纳米线 隧道具有与其顶部上的模板相同并且使用其作为诱导生长掩模。 本发明包括以下步骤：通过使用喷嘴印刷法等在基底层的顶部形成有机纳米线阵列作为模板，所述基底层包括由能够选择性地生长氮化物的材料中的任一种构成的基板 ; 在有机纳米线阵列的顶部通过具有优异的台阶覆盖率的方法（如PECVD和溅射）形成电介质; 通过去除有机纳米线形成电介质纳米隧道; 形成诱导生长的晶种; 并进行纳米线的诱导生长; 并除去介电物质。

    플립칩 발광소자
    25.
    发明授权
    플립칩 발광소자 有权
    FLIP芯片发光器件

    公开(公告)号：KR101541368B1

    公开(公告)日：2015-08-03

    申请号：KR1020130135334

    申请日：2013-11-08

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 김동영 ,  김종규 ,  이종원

    IPC: H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/48

    Abstract: 본발명은플립칩발광소자를구성하는질화물반도체발광셀블록의 n형반도체층의일부를관통하도록형성된노출홈에삽입되어위치하도록서브마운트기판의상면에반사구조체를형성함에따라활성층의측방으로발광된빛이상방으로반사되어광추출효율을높일수 있는플립칩발광소자에관한것이다. 이를위한본 발명의플립칩발광소자는, 기판상에순차적으로적층되는 n형반도체층, 활성층, p형반도체층을포함하는질화물반도체발광셀블록과, 상기질화물반도체발광셀블록이플립칩본딩되는서브마운트기판을포함하는플립칩발광소자에있어서, 상기질화물반도체발광셀블록의 n형반도체층의일부가노출되도록상기 p형반도체층, 활성층및 상기 n형반도체층의일부가식각되어형성된노출홈; 및상기노출홈의내측에위치하도록상기서브마운트기판의상면에구비되며, 상기활성층의측방에서상기노출홈으로발광된빛을상방으로반사하도록상협하광(上狹下廣) 형상의반사구조체;를포함하여구성된다.

    반도체 발광소자
    26.
    发明公开
    반도체 발광소자 无效
    半导体发光器件

    公开(公告)号：KR1020150073591A

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：KR1020130161471

    申请日：2013-12-23

    Applicant: 주식회사 포스코 ,  포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 김종규 ,  황선용 ,  박준혁

    IPC: H01L33/20 ,  H01L33/16

    CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/36

    Abstract: 반도체발광소자가개시된다. 본발명의일 측면인반도체발광소자는제 1 도전형베이스반도체층; 상기베이스반도체층상에형성되며, 개구부를갖는마스크층; 및상기마스크층의개구부를통해노출된제 1 도전형베이스반도체층에형성되며, 적어도 2종의결정성장면(facet)을갖는제 1 도전형다면구조체와, 상기제 1 도전형다면구조체표면에형성된활성층및 제 2 도전형반도체층을포함하는돌출부;를포함한다.

    Abstract translation: 公开了一种半导体发光器件。 根据本发明的一个方面，半导体发光器件包括：第一导电基底半导体层; 掩模层，形成在所述基底半导体层上并具有开口; 以及突出单元，形成在通过所述掩模层的开口暴露的所述第一导电基底半导体层上，并且包括具有至少两种类型的晶体生长面的第一导电多面体结构，形成在所述第一导电多面体结构的表面上的有源层 ，和第二导电半导体层。

    3차원 나노 구조체를 구비한 염료감응형 태양전지와 그 제조방법
    28.
    发明授权
    3차원 나노 구조체를 구비한 염료감응형 태양전지와 그 제조방법 有权
    包含三维纳米结构的DYE敏感太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR101465089B1

    公开(公告)日：2014-11-27

    申请号：KR1020130061700

    申请日：2013-05-30

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 김종규 ,  이승희

    IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/542 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

    Abstract: 본 발명은 3차원 나노 구조의 전극을 갖는 염료감응형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 3차원 나노 구조의 전극을 갖는 염료감응형 태양전지는, 하부 전극 구조체와, 상기 하부 전극 구조체 상에 물리적 증착법을 통해 형성된 3차원 나노구조 반도체 구조체와 상기 반도체 구조체에 흡착된 염료층을 포함하는 광 전극과, 상기 광 전극 상에 형성된 상부 전극 구조체와, 상기 하부 전극 구조체와 상부 전극 구조체 사이에 배치되는 전해질을 포함한다.
    본 발명에 따른 염료감응 태양전지는, 입사된 빛의 산란을 증대시켜 더 많은 빛을 흡수할 수 있게 할 수 있고, 전자들의 빠른 이동을 가능한 광 전극을 구비하게 되어, 높은 광 변환 효율을 기대할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种包含三维纳米结构电极的染料敏化太阳能电池及其制造方法。 包含根据本发明的三维纳米结构电极的染料敏化太阳能电池包括：含有下电极结构的光电极，通过物理气相沉积法形成的三维纳米结构半导体结构和吸附在 半导体结构; 形成在光电极上的上电极结构; 以及设置在下电极结构和上电极结构之间的电解质。 根据本发明的染料敏化太阳能电池可以增加入射光的散射以吸收更多的光，并且包括能够快速移动电子的光电极，从而提供高的光转换效率。

    나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 및 그 제조방법
    30.
    发明公开
    나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 및 그 제조방법 失效
    具有纳米结构的金属氧化物半导体气体传感器及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020120121511A

    公开(公告)日：2012-11-06

    申请号：KR1020110039370

    申请日：2011-04-27

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 ,  한국과학기술연구원

    Inventor： 김종규 ,  윤석진 ,  장호원 ,  황선용 ,  권현아

    IPC: G01N27/407 ,  B82B3/00

    Abstract: PURPOSE: A metal oxide semiconductor gas sensor having a nano structure and a manufacturing method thereof are provided to enhance the sensitivity of a gas sensor by allowing each contact between a target gas and a gas sensing layer because a metal oxide semiconductor having a nano structure, formed by using an oblique angle deposition method, is used as the gas sensing layer. CONSTITUTION: A metal oxide semiconductor gas sensor having a nano structure comprises a substrate(100), a first electrode(200), a gas sensing layer(300), a second electrode(400), and a controlling unit(500). The first electrode is formed on the top of the substrate. The gas sensing layer has a nano structure and is composed of a metal semiconductor. The gas sensing unit reacts with a target gas so that the electrical conductivity is changed. The gas sensing layer is formed by an oblique angle deposition method. The second electrode is formed on the top of the metal oxide semiconductor. The controlling unit measures the electrical conductivity of the gas sensing layer by letting predetermined current flow through the first and second electrodes, thereby sensing the target gas. [Reference numerals] (500) Controlling unit

    Abstract translation: 目的：提供一种具有纳米结构的金属氧化物半导体气体传感器及其制造方法，其特征在于，由于具有纳米结构的金属氧化物半导体，能够使目标气体和气体感应层之间的各接触，提高气体传感器的灵敏度， 通过使用斜角沉积法形成，被用作气体感测层。 构成：具有纳米结构的金属氧化物半导体气体传感器包括基板（100），第一电极（200），气体感测层（300），第二电极（400）和控制单元（500）。 第一电极形成在基板的顶部。 气体感测层具有纳米结构，由金属半导体构成。 气体检测单元与目标气体反应，从而改变导电性。 气体感测层通过斜角沉积法形成。 第二电极形成在金属氧化物半导体的顶部。 控制单元通过使预定电流流过第一和第二电极来测量气体感测层的电导率，从而感测目标气体。 （附图标记）（500）控制单元

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