-
公开(公告)号：WO2013191309A1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：PCT/KR2012/004799
申请日：2012-06-18
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 김종규 , 권현아 , 황선용
CPC classification number: G01N5/00 , G01N27/12 , G01N27/127 , G01N33/0009
Abstract: 본 발명은 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서는, 기판; 상기 기판 상부에 형성된 제1전극; 상기 제1전극의 상부에 구비되고, 나노구조를 가지며 감지 대상의 가스와 반응하여 전기전도도가 변화하는 금속산화물반도체로 이루어지고, 경사각 증착법을 통해 형성된 가스감지층; 다공성 구조를 가지며, 상기 금속산화물반도체의 상부에 형성된 제2전극; 및 상기 제1ㆍ제2전극을 통해 소정의 전류를 흘려 상기 가스감지층의 전기전도도를 측정함으로써 상기 가스를 감지하는 제어부;를 포함한다. 본 발명에 의하면, 제2전극이 감지 대상의 가스가 출입할 수 있도록 다공성 구조로 구비됨으로써, 가스와 반응하여 전기전도도가 변화하는 가스센서의 가스감지층을 경사각 증착법을 이용하여 나노 구조로 형성할 수 있고, 이에 따라 가스감지층의 제조가 용이해지며, 그 나노 구조의 형상도 가스와의 반응을 극대화할 수 있는 형상으로 자유롭게 형성할 수 있으므로, 나노 구조의 금속산화물반도체를 한 쌍의 전극 사이에 개재되는 가스감지층으로 활용하면서도 나노 구조의 금속산화물반도체가 갖는 가스와의 반응성 극대화 등의 장점을 그대로 살릴 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有纳米结构的金属氧化物半导体气体传感器及其制造方法。 根据本发明的具有纳米结构的金属氧化物半导体气体传感器包括：基板; 形成在所述基板的上部的第一电极; 气体检测层，其设置在具有纳米结构的上述第一电极的上部，并且包含与来自被检测体的气体反应时电力变化的金属氧化物半导体，并且根据 斜角沉积技术; 第二电极，其具有多孔结构并形成在所述金属氧化物半导体的上部; 以及控制部分，用于通过施加预定量的电流通过第一和第二电极来检测气体，以便测量气体检测层的电导率。 根据本发明，通过具有多孔结构的第二电极，使得来自被检测体的气体能够流入和流出，气体传感器的气体检测层（其电导率随气体变化而变化） 可以通过使用斜角沉积技术制成纳米结构形式。 结果，可以使气体检测层的制造变得容易，并且可以将纳米结构的形状自由地操作成能够使与气体反应最大的形状，从而能够利用具有纳米结构的金属氧化物半导体作为气体检测 其间插入一对电极之间，同时保持具有纳米结构的金属氧化物半导体的优点，例如最大化与气体的反应性。
-
公开(公告)号：KR1020130132115A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020120056244
申请日：2012-05-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/36
Abstract: A semiconductor light-emitting device with an electron blocking layer is disclosed. The semiconductor light-emitting device includes a n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, an activation layer between the n-type and p-type semiconductor layers, and an electron blocking layer between the activation layer and the p-type semiconductor layer. Here, negative charges are formed due to polarizability difference on the interface of the lower activation layer towards the activation layer while positive charges are formed on the interface of the upper activation layer towards the p-type semiconductor layer. Therefore, the semiconductor light-emitting device can effectively block out electrons and improve hole injecting efficiency by reducing the barrier energy of holes.
Abstract translation: 公开了一种具有电子阻挡层的半导体发光器件。 半导体发光器件包括n型半导体层，p型半导体层，n型和p型半导体层之间的活化层，以及活化层和p型半导体层之间的电子阻挡层 半导体层。 这里，由于在下活化层的界面朝向活化层的极化率差异形成负电荷，而在上活化层朝向p型半导体层的界面上形成正电荷。 因此，半导体发光元件能够有效地阻挡电子，通过降低空穴的势能来提高空穴注入效率。
-
公开(公告)号：KR1020150130596A
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：KR1020140057053
申请日：2014-05-13
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은비용및 시간을최소화하면서유전체개구부를통해성장한질화물구조체를웨이퍼크기수준의전사가가능하며, 나노미터수준의리소그래피를수행할수 있는나노임프린트몰드및 그제조방법에관한것이다. 본발명의나노임플린트몰드는기판; 상기기판상에형성된질화물층; 상기질화물층상에형성되며복수의개구부가형성된마스킹층; 및상기개구부상으로노출된질화물층을통해성장되어상기마스킹층상으로돌출형성된질화물구조체;를포함하여구성되며, KrF 스캐너를이용하여대면적패턴의조절이용이하고, 질화물구조체의나노패턴또한임의적조절이가능할수 있다.
Abstract translation: 纳米压印模具本发明涉及一种纳米压印模具，其可以通过晶片尺寸的水平传递通过电介质生长的氮化物，并且具有以纳米级执行光刻的能力来最小化成本和时间。 另外，本发明还涉及其制造方法。 本发明的纳米压印模具包括：基材; 形成在所述基板上的氮化物层; 形成在所述氮化物层上并具有多个开口的掩模层; 以及通过在暴露在开口上的氮化物层生长而形成为在掩模层上突出的氮化物结构。 根据本发明，纳米压印模具通过使用KrF扫描器确保容易控制大面积图案，并且也可以任意地控制氮化物结构上的纳米图案。
-
公开(公告)号：KR1020150073588A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020130161467
申请日：2013-12-23
Applicant: 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 반도체발광소자어레이가개시된다. 본발명의일 측면인반도체발광소자어레이는제 1 도전형베이스반도체층; 상기베이스반도체층상에형성되며, 복수의개구부를갖는마스크층; 및상기각 개구부를통해노출된제 1 도전형베이스반도체층에형성되며, 적어도 2종의결정성장면(facet)을갖는제 1 도전형다면구조체와, 상기제 1 도전형다면구조체표면에형성된활성층및 제 2 도전형반도체층을포함하는돌출부;를포함하며, 상기복수의개구부는스트립, 원, 타원, 삼각형이상의다각형, 링중 적어도 2종이상의모양을갖는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种半导体发光器件阵列。 根据本发明的一个方面的半导体发光器件阵列包括第一导电型基底半导体层，形成在基底半导体层上并具有多个开口部的掩模层，以及形成在 所述第一导电型基底半导体层通过每个开口部分暴露，并且包括第一导电型多面体结构，其包括至少两种晶体生长面，以及有源层和第二导电半导体层，其形成在第一 导电型多面体结构。 开口部分具有条，圆，椭圆，三角形或更多的多边形和环的至少两种形状。
-
公开(公告)号：KR1020130129683A
公开(公告)日：2013-11-29
申请号：KR1020120053735
申请日：2012-05-21
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/025 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36
Abstract: A semiconductor light emitting device having an electron blocking layer of a graded super-lattice structure is disclosed. The semiconductor light emitting device comprises; an n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer; an active layer positioned between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer; an electron blocking layer positioned between the active layer and the p-type semiconductor layer. The electron blocking layer has a super-lattice structure in which multiple first blocking layers and multiple second blocking layers are arranged by turns and each of the second blocking layers has a relatively narrow band gap in comparison with the neighboring first blocking layer. The more the multiple first blocking layers are near the active layer, the more the multiple first blocking layers have a wide band gap and are formed by differing in p-type foreign matter concentrations. According to this, the present invention provides the semiconductor light emitting device capable of effectively blocking an electron and improving hole injection efficiency.
Abstract translation: 公开了一种具有渐变超晶格结构的电子阻挡层的半导体发光器件。 半导体发光器件包括： n型半导体层; p型半导体层; 位于n型半导体层和p型半导体层之间的有源层; 位于有源层和p型半导体层之间的电子阻挡层。 电子阻挡层具有超晶格结构，其中多个第一阻挡层和多个第二阻挡层依次布置，并且每个第二阻挡层与相邻的第一阻挡层相比具有相对窄的带隙。 多个第一阻挡层越靠近有源层越多，多个第一阻挡层越多，具有宽带隙并且由p型杂质浓度不同形成。 据此，本发明提供能够有效地阻挡电子并提高空穴注入效率的半导体发光器件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101280498B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020110039370
申请日：2011-04-27
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , B82B3/00
Abstract: 본 발명은 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서는, 기판; 상기 기판 상부에 형성된 제1전극; 상기 제1전극의 상부에 구비되고, 나노 구조를 가지며 감지 대상의 가스와 반응하여 전기전도도가 변화하는 금속산화물반도체로 이루어지고, 경사각 증착법을 통해 형성된 가스감지층; 다공성 구조를 가지며, 상기 금속산화물반도체의 상부에 형성된 제2전극; 및 상기 제1ㆍ제2전극을 통해 소정의 전류를 흘려 상기 가스감지층의 전기전도도를 측정함으로써 상기 가스를 감지하는 제어부;를 포함한다.
본 발명에 의하면, 제2전극이 감지 대상의 가스가 출입할 수 있도록 다공성 구조로 구비됨으로써, 가스와 반응하여 전기전도도가 변화하는 가스센서의 가스감지층을 경사각 증착법을 이용하여 나노 구조로 형성할 수 있고, 이에 따라 가스감지층의 제조가 용이해지며, 그 나노 구조의 형상도 가스와의 반응을 극대화할 수 있는 형상으로 자유롭게 형성할 수 있으므로, 나노 구조의 금속산화물반도체를 한 쌍의 전극 사이에 개재되는 가스감지층으로 활용하면서도 나노 구조의 금속산화물반도체가 갖는 가스와의 반응성 극대화 등의 장점을 그대로 살릴 수 있다.-
公开(公告)号：KR101973765B1
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：KR1020120102300
申请日：2012-09-14
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사
-
-
公开(公告)号：KR20180004583A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：KR20160084351
申请日：2016-07-04
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: B32B15/08 , H05K1/0326 , H05K1/0393 , H05K3/025 , H05K2201/0141 , H05K2201/0209 , H05K2201/0355
Abstract: 본발명은유연성반도체필름및 그제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 본발명의일 실시예에따르면, 유연성금속필름, 상기유연성금속필름상에배치되며, 이차원층상재료를포함하는중간층, 및상기중간층상에배치되며, 에피택시얼성장으로이루어진반도체층을포함하는, 유연성반도체필름을제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种柔性半导体膜及其制造方法。 根据本发明的一个实施例，提供了一种柔性金属膜，包括：柔性金属膜;设置在所述柔性金属膜上的中间层，所述中间层包括二维层状材料; 并且由具有高结晶度的材料制成的半导体层。
-
公开(公告)号：KR1020140035706A
公开(公告)日：2014-03-24
申请号：KR1020120102300
申请日：2012-09-14
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/145
Abstract: A semiconductor light-emitting device is disclosed. The semiconductor light-emitting device includes an n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer; an active layer located between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer; an electron blocking layer located between the active layer and the p-type semiconductor layer; an n-type electrode electrically connected to the n-type semiconductor layer; and a first p-type active electrode and a second p-type active electrode located on the p-type semiconductor layer, wherein the first p-type active electrode and the second p-type active electrode are spaced apart from each other and electrically connected to the p-type semiconductor layer, and the active electrodes have various shapes. Thus, since the number of holes injected into the active layer of the semiconductor light-emitting device increases, it is possible to improve light emission efficiency.
Abstract translation: 公开了一种半导体发光器件。 半导体发光器件包括n型半导体层; p型半导体层; 位于n型半导体层和p型半导体层之间的有源层; 位于有源层和p型半导体层之间的电子阻挡层; 与n型半导体层电连接的n型电极; 以及位于所述p型半导体层上的第一p型有源电极和第二p型有源电极，其中所述第一p型有源电极和所述第二p型有源电极彼此间隔开并电连接 到p型半导体层，并且有源电极具有各种形状。 因此，由于注入到半导体发光器件的有源层中的空穴的数量增加，因此可以提高发光效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.021 seconds)
