公开(公告)号：KR1020160135126A

公开(公告)日：2016-11-25

申请号：KR1020150064370

申请日：2015-05-08

Applicant: 울산과학기술원 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 백정민 ,  이혜진 ,  최원준 ,  김상현

IPC: C03C17/36

Abstract: 본발명에따른박막형적외선흡수체제조방법은 (a) 글라스기판을준비하는단계; (b) 글라스기판표면에 Ti를증착하여금속층을형성시키는단계; (c) 금속층표면에 MgF를증착하여유전체층을형성시키는단계; 및 (d) Ti와 MgF의증착을복수회 반복수행하여, 금속층과유전체층를복층으로형성하는단계;를포함하여, 적외선흡수율을 95%이상으로향상킬수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR101665309B1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：KR1020150037305

申请日：2015-03-18

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  울산과학기술원

Inventor： 최원준 ,  백승협 ,  김상현 ,  백정민 ,  이기석

IPC: H02S10/30 ,  H01L35/02 ,  H01L31/04 ,  H01L31/054 ,  H02S40/22 ,  H01L35/32 ,  H01L35/14 ,  H01L31/0304 ,  H01L35/30

CPC classification number: Y02E10/52

Abstract: 본발명은집광형태양전지모듈과수평형열전모듈의결합을통해집광형태양전지모듈에인가되는열을수평형열전모듈에효과적으로전달함과함께수평형열전모듈에의한기전력발생을최대화하여집광형태양전지모듈과수평형열전모듈각각에의한전기에너지생산을향상시킬수 있는광전열전융합발전소자및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른광전열전융합발전소자는집광형태양전지모듈및 수평형열전모듈을포함하여이루어지며, 상기수평형열전모듈은, 기판과, 상기기판의중심부에구비되는열 흡수층과, 상기열 흡수층의둘레를따라구비되며, 상기기판상에원형또는다각형의띠 형태로배치되는복수의열전셀과, 상기기판의주변부에구비된히트싱크를포함하여구성되며, 상기집광형태양전지모듈은, 태양광을집광하는집광장치와, 상기집광장치에의해집광된태양광을광전변환하는태양전지를포함하여구성되며, 상기태양전지는상기열 흡수층상에구비되며, 상기태양전지의열은상기열 흡수층을매개로상기수평형열전모듈로수직확산되며, 상기수평형열전모듈로전달된열은수평형열전모듈의기판을따라수평확산되는것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电热融合发电元件及其制造方法。 光电热融合发电元件可以通过耦合收集型太阳能电池模块和水平热电模块，有效地将施加于集光型太阳能电池模块的热量传递给水平热电模块，并使水平热电产生的电动势最大化 模块，用于单独地通过集光型太阳能电池模块和水平热电模块来增强电能产生。 根据本发明，光电热融发电元件包括​​集光型太阳能电池模块和水平热电模块。 水平热电模块包括：基板; 布置在所述基板的中心的吸热层; 多个热电元件沿着吸热层的周边布置并且被布置在基板上的圆形或多边形条中; 以及布置在基板附近的散热器。 集光型太阳能电池模块包括：收集太阳光的光收集装置; 以及将由光采集装置收集的太阳光转换成光电能的太阳能电池。 太阳能电池布置在吸热层上。 太阳能电池的热量通过吸热层垂直扩散到水平热电模块。 传输到水平热电模块的热量沿着水平热电模块的衬底在水平方向上扩散。

公开(公告)号：KR102019205B1

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：KR1020170061649

申请日：2017-05-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김상현 ,  심재필 ,  김형준

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00

公开(公告)号：KR101965619B1

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：KR1020170070528

申请日：2017-06-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  김상현 ,  송경근 ,  이혜진

IPC: F24S70/10 ,  F24S60/00 ,  F24D11/00

公开(公告)号：KR101873255B1

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：KR1020160120538

申请日：2016-09-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김상현 ,  김형준 ,  심재필 ,  김성광

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/34 ,  H01L21/306

Abstract: 에피택셜리프트오프(Epitaxial Lift-Off; ELO)에의한반도체소자의제조방법은, 제1 기판상에 III-V족화합물을포함하는희생층을형성하는단계; 상기희생층상에소자층을형성하는단계; 상기희생층및 상기소자층을, 상기희생층의상기 III-V족화합물의결정면방향에기초하여결정되는제1 방향을따라연장되는부분을가지는형상으로패터닝하는단계; 패터닝된상기소자층을제2 기판상에접합하는단계; 및상기희생층및 상기제1 기판을제거하기위하여, 상기소자층이상기제2 기판상에접합된상태에서식각용액을이용하여상기희생층을식각하는단계를포함한다. 상기반도체소자의제조방법은, ELO 공정에있어서 III-V족화합물의고유특성인결정방향(cystal orientation)에따른식각속도의차이를이용하여공정수율을향상시키고공정속도를빠르게할 수있다.

公开(公告)号：KR20180034878A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：KR20160124630

申请日：2016-09-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김상현 ,  김형준 ,  김성광 ,  심재필 ,  최원준

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/306 ,  H01L21/768

Abstract: 에피택셜리프트오프에의한반도체소자의제조방법은, 식각용액에의해제거될수 있는희생층및 상기희생층을포함하는대상체를제공하는단계; 및상기대상체를식각용액에노출시켜상기대상체에포함된상기희생층을제거하는단계를포함하되, 상기희생층을제거하는단계는상기대상체가양의극성을띠도록전압을인가하는단계를포함한다. 상기방법에의하면, 식각용액에의해제거될수 있는희생층을포함하는대상체와상기식각용액에일정전압을인가하여용액내에 [HF2-] 또는 [H2F3-] 이온들을생성할수 있고, 이경우상기희생층의내부결합구조가분해되는속도가빨라지므로, 결과적으로 ELO 공정에소요되는시간이줄어든다. 따라서, 오랜공정시간으로인하여기판표면이식각액에의해손상되는등의문제를해결할수 있다.

Abstract translation: 一种通过外延剥离制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供可以通过蚀刻溶液去除的牺牲层;以及牺牲层; 通过将对象暴露于蚀刻溶液来去除包含在对象中的牺牲层。去除牺牲层的步骤包括施加电压以使对象极化。 根据该方法，可以通过对物体施加恒定电压并在溶液中产生[HF 2 - ]或[H 2 F 3 - ]离子以及可以通过蚀刻溶液去除的牺牲层， 内部键合结构分解的速度加快，因此，ELO工艺所需的时间减少。 因此，可以解决由于处理时间长导致基板表面被蚀刻剂损坏的问题。

公开(公告)号：KR1020170126311A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：KR1020160056570

申请日：2016-05-09

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  울산과학기술원

Inventor： 최원준 ,  김상현 ,  백정민 ,  이혜진 ,  백승협

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0392 ,  H01L41/22 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명에따른박막형적외선흡수체를포함하는대상체는, 상기대상체의표면에부착되어적외선을흡수하고발생한에너지를상기대상체로전달하는박막형적외선흡수체를포함하되, 상기박막형적외선흡수체는, 기판, 상기기판상에증착되는 Ti 금속층, 및상기 Ti 금속층상에증착되는 MgF유전체층을포함하고, 상기 Ti 금속층 및상기 MgF유전체층은교대로복수회 반복하여증착되어복층구조를가진다.

Abstract translation: 包括根据本发明的薄膜的红外线吸收体的物体，包括：一种薄膜红外吸收剂被附接到目标物体吸收红外线的表面上，并传递所产生的能量体靶，薄膜的红外线吸收剂是衬底时，衬底 包括的Ti金属层，和氟化镁介电层被沉积在Ti金属层上沉积，并在Ti金属层和所述的MgF介电层是通过重复多次交替地具有一个多层结构沉积。

公开(公告)号：KR1020160136103A

公开(公告)日：2016-11-29

申请号：KR1020150069836

申请日：2015-05-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김상현 ,  금대명 ,  박민수 ,  최원준

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/78 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/185 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66219 ,  H01L29/861 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544

Abstract: 반도체소자의제조방법은, 제1 기판및 상기제1 기판상에위치하는패턴된제1 III-V족화합물층을포함하는템플릿(template)을제공하는단계; 상기패턴된제1 III-V족화합물층상에에피택시(epitaxy) 성장방식으로희생층을형성하는단계; 상기희생층상에에피택시성장방식으로제2 III-V족화합물층을형성하는단계; 상기제2 III-V족화합물층상에실리콘으로이루어진제2 기판을접합하는단계; 및상기희생층을제거함으로써상기제2 III-V족화합물층및 상기제2 기판을상기템플릿으로부터분리하는단계를포함한다. 템플릿의패턴된 III-V족화합물층으로부터또 다른 III-V족화합물층이직접성장방식으로제조되므로, III-V족화합물과다른기판사이의결함이제거되며, 대면적의반도체소자를직접성장방식으로제조할수 있고, 웨이퍼(wafer) 크기의제한이나비용증가등의문제점을줄일수 있다.

Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的方法，其包括提供具有第一衬底和位于第一衬底上的图案化的第一III-V族化合物层的模板，在图案化的第一III-V族化合物层上形成牺牲层， 外延生长，通过外延生长在牺牲层上形成第二III-V族化合物层，将由硅制成的第二衬底结合到第二III-V族化合物层上，以及将第二III-V族化合物层和第二III-V族化合物层分离 通过去除牺牲层从模板的衬底。