Abstract:
Provided is a method for preparing perfluoroalkyl iodide through a vapor phase continuous catalytic process, which is performed under mild conditions to avoid explosion or other dangerous factors, gives a high yield of a desired product, and is amenable to mass production. The method for preparing perfluoroalkyl iodide comprises the step of performing telomerization of tetrafluoroethylene(C2F4) with perfluoroethyl iodide(C2F5I) in the presence of a catalyst. The telomerization is performed through a vapor phase continuous catalytic process in a fixed-bed tube shaped reactor, in which an alumina-supported transition metal catalyst is packed, by introducing tetrafluoroethylene and perfluoroethyl iodide in a vapor phase. The telomerization is performed under ambient pressure at a temperature of 250-450 deg.C.
Abstract translation:提供一种通过气相连续催化方法制备全氟烷基碘的方法,其在温和条件下进行以避免爆炸或其它危险因素,产生高产率的所需产物,并且适于批量生产。 制备全氟烷基碘的方法包括在催化剂存在下,用全氟乙基碘(C 2 F 5 I)进行四氟乙烯(C 2 F 4)调聚的步骤。 通过在气相中引入四氟乙烯和全氟乙基碘的固定床管状反应器中的气相连续催化方法进行调聚,其中填充有氧化铝负载的过渡金属催化剂。 调聚在250-450℃的环境压力下进行。
Abstract:
본 발명은 무기 입자, 유기 고분자, 계면활성제, 전하조절제 및 용매를 포함하는 조성물을 노즐에 이송하는 단계, 이송된 조성물에 전기장을 부여하여 조성물을 분무시키고 하전하는 단계, 및 분무되고 하전된 조성물을 비극성 비용매에서 포집하는 단계를 포함하는, 전기분무 (electrospraying)에 의한 전기영동소자용 유·무기 나노복합입자의 제조 방법 및 이러한 방법을 수행하기 위한 장치 및 이러한 방법에 의해 수득되는 전기영동소자용 유·무기 나노복합입자에 관한 것이다. 전기영동 디스플레이, 유·무기 나노복합입자, 전기영동성, 전기방무, 무기 입자, 유기 고분자
Abstract:
본 발명은 유전율(permittivity; ε)이 3.0 미만인 고분자 나노 절연막을 포함하는 전기발광 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 고분자 전기발광 소자는 유전율이 3.0 미만인 고분자 나노 절연막을 발광층과 금속 전극, 즉 음극 사이에서 포함함으로써 발광층의 밴드 굽힘(band bending)이 감소하여 전극으로부터 발광층으로의 전자 주입이 증가하게 된다. 이와 같이 증가된 전자 주입은 발광층에서 전자와 정공이 만날 확률을 높임으로써 고휘도, 고효율의 빛을 내게 한다. 따라서, 본 발명에 따른 고분자 전기발광 소자는 보다 향상된 전기발광 강도 및 효율을 가지게 된다. 고분자 전기발광 소자, 고분자 나노 절연막, 발광 효율, 유전율
Abstract:
A method of manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) is provided to improve mobility by performing a hydrogen plasma treatment on an active layer. A gate electrode(2), a gate insulating layer(3) and an active layer(4) made of pentacene are sequentially formed on a substrate(1). The active layer has a thickness range of 90 to 110 nm. A hydrogen plasma treatment is performed on the resultant structure including the active layer. A source and drain electrode are formed thereon. The hydrogen plasma is generated by using an RF(Radio Frequency) generator.
Abstract:
PURPOSE: A photovoltaic device including an in-situ electrochemically polymerized conducting polymer composite layer and preparing a method thereof are provided to obtain an excellent photoelectric effect by using a p-n junction type inter-penetrating network polymer composite layer. CONSTITUTION: A photoelectric element includes a transparent substrate(3), a transparent electrode(4), a composite layer of an electrical conductive polymer and an n-type polymer formed on the transparent electrode, and a metal electrode(5). The electrical conductive polymer is formed by an electrochemically polymerization process of an electrical conductive monomer.
Abstract:
전계 발광소자의 발광재료로서 사용되는 다음 화학식 1의 플로렌계 복합 교대 공중합체 및 상기 플로렌계 복합 교대공중합체를 발광층의 발광재료로서 함유하는 양극/발광층/음극, 또는 필요시 여기에 전달층 및/또는 반사층이 포함되도록 구성된 전계발광 소자가 제공된다. 화학식 1
Abstract:
본 발명은 아닐린(aniline) 단량체 및 피롤(pyrrole) 단량체를 도데실벤젠술폰산(dodecylbenzene sulfonic acid, DBSA) 또는 파라톨루엔술폰산(p-toluene sulfonic acid, p-TSA)과 같은 유기산을 도판트(dopant)로 사용하고 암모늄퍼술페이트(ammonium persulfate, APS)를 산화제로 사용하여 폴리아닐린 및 폴리피롤과 같은 전기전도성 고분자를 ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene) 에멀젼 라텍스 내에서 in-situ로 중합하여 전기전도성을 갖는 ABS/폴리아닐린 또는 ABS/폴리피롤 복합수지의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 복합수지는 낮은 단량체 함량에서도 대전방지용으로 충분한 전기전도성을 나타내며, 용도에 따라 단량체의 함량을 조절하여 임의로 복합수지의 전기전도도를 변경시킬 수 있다.
Abstract:
본 발명에 따라 전계 발광 소자의 발광재료로서 사용되는 다음 일반식 (Ⅰ)의 플로렌계 교대 공중합체가 제공된다. 또한 본 발명에 따라 상기 플로렌계 교대 공중합체를 발광층의 발광재료로서 사용한 양극/발광층/음극, 또는 필요시 여기에 전달층 및/또는 반사층이 포함되도록 구성된 전계 발광 소자도 제공된다.
Abstract:
본 발명은 액정배양성능 및 배향안정성이 우수하며 대량생산이 가능한 간단한 액정배향막 제조방법으로서 투명전극위에 열가소성 고분자에 의한 고분자막을 두께가 5Å이상이 되도록 코팅시키는 단계, 상기 고분자막이 코팅된 두 장의 투명전극을 서로 부착하고 그 사이에 액정을 주입하고 유리/투명전극/고분자막/액정/고분자막/투명전극/유리의 구조를 가지는 임시셀을 만들거나 또는 상기 고분자막위에 액정을 접촉시켜 유리/투명전극/고분자막/액정의 구조를가지는 적층기판을 만드는 단계, 상기 임시셀 또는 상기 적층기판을 0.2테슬러 이상의 자기장을 가하면서 액정과 고분자막의 상혼합온도 이하로 가열하고 방치하는 단계, 상기 임시셀 또는 상기 적층기판을 100℃/분 이하의 냉각속도로 냉각시키는 단계로 이루어지는 자기장 처리에 의한 액� �배향막의 제조방법을 제공한다.