칩 인덕터 제조용 페라이트
    21.
    发明授权
    칩 인덕터 제조용 페라이트 失效
    芯片电感器

    公开(公告)号:KR1019940011694B1

    公开(公告)日:1994-12-23

    申请号:KR1019920017341

    申请日:1992-09-23

    Abstract: The invention relates to ferrite materal for chip inductor. The material can be sintered at 900 deg.C and thus, Ag can be used for inner conductor. The ferrite includes Fe2O3 48.5-50 mole%, NiO 5-30 mole%, CuO 5-15 mole%, and ZnO 5.5-35.5 mole%. The ferrite is manufactured by mixing, calcining, shape-forming, and sintering the compound.

    Abstract translation: 本发明涉及用于芯片电感器的铁氧体。 该材料可以在900℃烧结,因此Ag可用于内导体。 铁氧体包括Fe 2 O 3 48.5-50摩尔%,NiO 5-30摩尔%,CuO 5-15摩尔%,ZnO 5.5-35.5摩尔%。 通过混合,煅烧,成形和烧结化合物来制造铁氧体。

    적층칩 LC필터제조용 자기조성물
    23.
    发明授权
    적층칩 LC필터제조용 자기조성물 失效
    陶瓷电容器

    公开(公告)号:KR1019940003969B1

    公开(公告)日:1994-05-09

    申请号:KR1019910023258

    申请日:1991-12-17

    Abstract: This relates to the dielectric part of magnetic composition for the multilayer chip LC filter. The magnetic composition comprise (TiO2)100-x(CuO)x(1

    Abstract translation: 这涉及用于多层芯片LC滤波器的磁性组合物的介电部分。 磁性组合物包含(TiO 2)100-x(CuO)x(1 <= x <= 5,x:重量%),SiO 2和MnO 2。 组合物的热处理温度为900-950℃,组成包括Ag电极。

    칩 인덕터 제조용 페라이트
    24.
    发明公开
    칩 인덕터 제조용 페라이트 失效
    用于制造贴片电感器的铁氧体

    公开(公告)号:KR1019940007909A

    公开(公告)日:1994-04-28

    申请号:KR1019920017341

    申请日:1992-09-23

    Abstract: 본 발명은 칩 인덕터의 제조용 자성체 재료에 관한 것으로 900℃이하의 온도에서 소결이 이루어짐에 따라 내부 도체로서 저가의 Ag를 사용할 수 있는 칩 인덕터 제조용 페라이트에 관한 것이다.
    본 발명의 페리트 조성은 Fe
    2 O
    3 48.5~50.0몰%, NiO 5~30몰%, CuO 5~15몰% 및 ZnO 5.5~35.5몰%로 이루어진 조성으로서 이때 각 원료조성은 미립분말 상태를 유지한다.
    본 발명은 칩 인덕터 제조용 페라이트 조성으로 Ni-Cu-Zn계 페라이트를 사용하여 900℃에서 소결이 가능함에 의하여 내부도체용 전극으로 비교한 저가의 Ag 전극사용이 가능하므로 칩 인덕터의 제조비용을 낮출 수 있는 효과가 있다.

    전파흡수체의 제조방법
    25.
    发明授权
    전파흡수체의 제조방법 失效
    电波吸收器

    公开(公告)号:KR1019930011547B1

    公开(公告)日:1993-12-10

    申请号:KR1019910013920

    申请日:1991-08-13

    Abstract: The method for mfg. a radio wave absorber is characterized by mixing 66.1 g Fe2O3, 23.1 g ZnO, 8.8 g NiO, 0.5 g MnO2, 0.5 g Co3O4 and 1.0 g CuO, (b) drying and crushing the mixture, (c) calcinating it at 900 deg.C for 2 hr, (d) crushing and moulding it, (e) heating it to the heating rate of 2-12 deg.C/min upto 1250 deg.C for 2-6 hr, and (f) cooling it to the cooling rate of 2-12 deg.C/min to obtain a ferrite sintered body (Ni-Zn).

    Abstract translation: 制造方法 其特征在于混合66.1g Fe 2 O 3,23.1g ZnO,8.8g NiO,0.5g MnO 2,0.5g Co 3 O 4和1.0g CuO,(b)干燥并粉碎该混合物,(c)在900℃煅烧。 (d)将其破碎和成型,(e)将其加热至2-12℃/分钟至1250℃的加热速率2-6小时,和(f)将其冷却至 冷却速度为2-12℃/ min,得到铁素体烧结体(Ni-Zn)。

    저온 소결용 전파 흡수체
    27.
    发明公开
    저온 소결용 전파 흡수체 无效
    用于低温烧结的电磁波吸收器

    公开(公告)号:KR1019930007004A

    公开(公告)日:1993-04-22

    申请号:KR1019910016924

    申请日:1991-09-27

    Abstract: 본 발명은 종래의 페라이트계 전파흡수체에 비해 200-300℃정도 낮은 온도에서 소결가능한 저온소결용 전파흡수체 조성물에 관한 것이다.
    본 발명의 조성의 CuO 5-15몰%, NiO 7-21몰%, ZnO 18-33몰% 이하의 Fe
    2 O
    3 로 이루어져 있다. 이같은 본 발명은 UHF대역과 VHF대역을 동시에 커버하는 넓은 주파수 대역 특성을 나타냄과 아울러 소결시 소결온도가 900-950℃로 낮음에 따라 제조비용이 낮다는 이점이 있다.

    고주파용 유전체 재료
    28.
    发明授权
    고주파용 유전체 재료 失效
    高频电介质材料

    公开(公告)号:KR100134555B1

    公开(公告)日:1998-04-27

    申请号:KR1019940018288

    申请日:1994-07-27

    CPC classification number: C04B35/462 H01B3/12

    Abstract: 본 발명은 (Li
    1/2 Nd
    1/2 )TiO
    3 -CaTiO
    3 -Ba(Zn
    1/3 Nb
    2/3 )O
    3 계 고주파용 유전체 재료에 관한 것이다. 본 발명의 고주파용 유전체 재료는 일반식 X(Li
    1/2 Nd
    1/2 )TiO
    3 -YCaTiO
    3 -ZBa(Zn
    1/3 Nb
    2/3 )O
    3 로 표시되는 조성계에서 0.60 X 0.8, 0.09 ≤ Y ≤ 0.27, 0.01 ≤ Z ≤ 0.16 조성으로서 일반적인 소결체 제조공정으로 제조된다. 본 발명의 고주파용 유전체 재료는 유전율이 80 이상이며, 유전손실이 작고 공진주파수의 온도계수가 0ppm/℃를 중심으로 +와 -쪽으로 필요에 따라 손쉽게 이동시킬 수 있는 장점을 지니고 있다.

    고주파용 유전체 조성물
    30.
    发明授权
    고주파용 유전체 조성물 失效
    高频电介质组合物

    公开(公告)号:KR1019970005881B1

    公开(公告)日:1997-04-21

    申请号:KR1019940018290

    申请日:1994-07-27

    Abstract: A low loss dielectric material comprising (Zr,Sn)TiO4 as fundamental composition for high frequency is prepared by adding a small quantity of B2O3 or P2O5 as a sintering adjuvants not to occur the volatilization of adjuvants and to sinter the fundamental composition at low temperature. The fundamental composition (Zr,Sn)TiO4 consists of ZrO2 37.6-47.2%, SnO2 19.3-24.8% and TiO2 37.6-38.3% on the basis of total amount and the quantities of sintering adjuvants added to the fundamental composition are B2O3 0.3-2.9wt.%, La2O3 0.3-1.0wt.% and NiO 0.5-2.0wt.%.

    Abstract translation: 通过添加少量作为不发生佐剂挥发的烧结助剂的B 2 O 3或P 2 O 5,并在低温烧结基础组成,制备包含(Zr,Sn)TiO 4作为高频基础组成的低损耗介电材料。 基本组成(Zr,Sn)TiO4由总量的ZrO2 37.6-47.2%,SnO2 19.3-24.8%和TiO2 37.6-38.3%组成,添加到基础组合物中的烧结助剂的量为B2O3 0.3-2.9 重量%,La2O3 0.3-1.0重量%和NiO 0.5-2.0重量%。

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