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公开(公告)号：KR100234009B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019970025449
申请日：1997-06-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01C7/10
Abstract: 본 발명은 바리스터의 전극설계에 관한 것이며, 특히 저전압용 ZnO, SrTiO
3 계 바리스터 제조를 위한 전극설계에 관한 것이다. 본 발명은 디스크 형상의 바리스터 상하표면에 각각 동일 면적의 양단 전극을 형성하는 종래의 기술과는 달리, 바리스터 디스크시편 상하면중 일면에 부착된 전극의 일부분을 타면까지 연장하여 그 타면의 일부에 부착하고, 그 타측면의 나머지 부분에는 상기 연장 부착된 전극과 소정의 간격을 가지는 전극을 부착하여 양단 전극을 형성하므로서, 본래의 유전율을 유지하는 동시에 비직선계수값이 크며 저전압에서 항복전압(breakdown voltage)을 나타내는 저전압용 ZnO, SrTiO
3 계 바리스터의 제조방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR100225881B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019970008514
申请日：1997-03-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G4/12
Abstract: 본 발명은 1050~1150℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조제 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며, 다양한 온도 보상 범위를 갖고, 비교적 값싼 금속 산화물 원료만을 구성된 조성을 갖는 온도 보상용 마이크로파 유전체를 제공하기 위하여, 산화아연 및 산화티탄이 화학양론적으로 조합되는 ZnTiO
3 중의 Zn이 Zn양 1에 대하여 0.175 내지 0.25의 양으로 Mg와, Zn 양 1에 대하여 0 보다 크고 0.15 이하의 양으로 Ni, Cu, Ba, Sr 및 그들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나로 치환되는 고주파용 유전체 세라믹 조성물을 제공한다.-
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公开(公告)号：KR100178328B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019960082445
申请日：1996-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/465
Abstract: 본 발명에 따라(Zn
-1-x MG
x )Ti
2 O
5 (단, x는 0.10∼0.50 임)의 조성을 갖는 마이크로파용 유전체 세라믹 조성물이 제공된다. 본 발명에 따른 조성물은, 1100∼1500℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조에 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 마이크로파 유전특성을 가지며, 다양한 온도보상 범위를 가질 뿐 아니라 비교적 저렴한 금속산화물 원료만으로 구성된다는 특징을 갖는다.-
公开(公告)号：KR100141401B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019950028995
申请日：1995-09-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/49
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/462
Abstract: 본 발명은 고주파용 유존체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 고주파 유전체 조성은 소결온도가 적어도 1300∼1600℃의 고온일 뿐 아니라, 소결조제(sintering aids)를 첨가하지 않고는 소자로서 사용될 수 있는 충분한 기계적 강도와 유전특성을 가진 치밀한 소결체를 얻을 수 없었다.
이에 1mol의 ZnO와 2mol의 TiO
2 를 조합으로 하는 ZnTi
2 O
5 에서 Zn
2+ 이온을 Ca
2+ , Ba
2+ , Sr
2+ 중 선택된 하나의 이온으로 치환한 [(1-x)Zn x(Ca, Ba, Sr)]Ti2O5 이때, x = 0.001∼0.90 mol인 고주파용 유전체 자기조성물 또는 1mol의 TiO₂대해 ZnO를 0.04∼1.00mol까지 첨가한 TiO
2 -x(ZnO)에서 Zn
2+ 이온을 Ca
2+ , Ba
2+ , Sr
2+ 중 선택된 하나의 이온으로 치환한 [(1-x)Zn x(Ca, Ba, Sr)]TiO₃이때, X = 0.01∼0.90 mol인 본 발명을 제공함으로써 900∼1250℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조제 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며, 다양한 온도보상 범위를 갖고, 비교적 값싼 금속산화를 원료만으로 구성된 3성분계 조성을 갖는 온도보상용 마이크로웨이브 유전체 조성을 제공하도록 한 것이다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970015538A
公开(公告)日：1997-04-28
申请号：KR1019950028995
申请日：1995-09-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/49
Abstract: 본 발명은 고주파용 유전체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 고주파 유전체 조성은 소결온도가 적어도 1300~1600℃의 고온일 뿐 아니라, 소결조제(sintering aids)를 첨가하지 않고는 소자로서 사용될 수 있는 충분한 기계적 강도와 유전특징을 가진 치밀한 소결체를 얻을 수 없었다.
이에 1㏖의 ZnO와 2㏖의 TiO
2 를 조합으로 하는 ZnTi
2 O
5 에서 Zn
2+ 이온을 Ca
2+ , Ba
2+ , Sr
2+ 중 선택된 하나의 이온으로 치환한 〔(1-x)Zn x(Ca, Ba, Sr)〕Ti
2 O
5 이때, x=0.001~0.90㏖인 고주파용 유전체 자기조성물 또는 1㏖의 TiO
2 대해 ZnO를 0.04~1.00㏖까지 첨가한 TiO
2 -x(ZnO)에서 Zn
2+ 이온을 Ca
2+ , Ba
2+ , Sr
2+ 중 선택된 하나의 이온으로 치환한 〔(1-x)Zn x(Ca, Ba, Sr)〕TiO
3 이때, x=0.001~0.90㏖인 본 발명을 제공함으로써 900~1250℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조제 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며, 다양한 온도보상 범위를 갖고, 비교적 값싼 금속산화물 원료만으로 구성된 3성분계 조성을 갖는 온도 보상용 마이크로웨이브 유전체 조성을 제공하도록 한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019950017846A
公开(公告)日：1995-07-20
申请号：KR1019930028525
申请日：1993-12-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 MgO와 Nb
2 O
5 를 1,000℃에서 1차 하소시킨 후, 1,100℃이상에서 2차 하소시켜 MgNb
2 O
6 를 생성시키고, 이를 PbO
3 와 반응시켜 Pb(Mg
1/3 Nb
2/3 /7)0
3 의 이차상 생성을 억제하는 방법을 제공하는 것이다. 이렇게 생성된 PMN은 유전율 등이 우수한 PMN계 세라믹 캐패시터로서 유용하게 사용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100365294B1
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：KR1020000021259
申请日：2000-04-21
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 고주파용 유전체 세라믹스 조성물에 관한 것으로, 특히 기존의 고주파용 세라믹스 조성보다 매우 낮은 소결온도(925 ~ 1100℃)이면서도 높은 품질계수(Q×f=22,000∼100,000 GHz)와 유전상수(19≤ε
r ≤46) 및 안정된 온도계수 및조성에 따라 다양한 온도보상 특성(τ
f =-73 ∼+134 ppm/℃)의 우수한 고주파 유전특성이 ZnO-MO(M=Mg, Co, Ni)-TiO
2 와 같은 저가의 원료로 구현되는 것을 특징으로 하며, Ag이나 Cu 또는 이들의 합금 또는 Ag/Pd 합금을 내부전극으로 사용할 수 있어 각종 고주파용 소자 즉 적층칩 캐패시터, 적층칩 필터, 적층칩 캐패시터/인덕터 복합소자 및 모듈, 저온소결 기판, 공진기 또는 필터 및 세라믹 안테나용 유전체 재료로 사용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020010097300A
公开(公告)日：2001-11-08
申请号：KR1020000021259
申请日：2000-04-21
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/46 , H01G4/1218
Abstract: 본 발명은 고주파용 유전체 세라믹스 조성물에 관한 것으로, 특히 기존의 고주파용 세라믹스 조성보다 매우 낮은 소결온도(925 ~ 1100℃)이면서도 높은 품질계수(Q×f=22,000∼100,000 GHz)와 유전상수(19≤ε
r ≤46) 및 안정된 온도계수 및조성에 따라 다양한 온도보상 특성(τ
f =-73 ∼+134 ppm/℃)의 우수한 고주파 유전특성이 ZnO-MO(M=Mg, Co, Ni)-TiO
2 와 같은 저가의 원료로 구현되는 것을 특징으로 하며, Ag이나 Cu 또는 이들의 합금 또는 Ag/Pd 합금을 내부전극으로 사용할 수 있어 각종 고주파용 소자 즉 적층칩 캐패시터, 적층칩 필터, 적층칩 캐패시터/인덕터 복합소자 및 모듈, 저온소결 기판, 공진기 또는 필터 및 세라믹 안테나용 유전체 재료로 사용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR100302455B1
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：KR1019980030344
申请日：1998-07-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/495
Abstract: 본 발명은 고주파용 세라믹스 조성물에 관한 것으로, 특히 1 mole의 MgNb
2 O
6 에 대해 각각 0 ∼ 1 mole의 TiO
2 를 조합으로 하는 것을 주 조성으로 하고 첨가제로서 MO
3 (M
6+ = W, Mo, Cr, Se, Te 및 Po)가 각각 0 ∼ 0.4 wt%로 구성되는 것을 특징으로 하는 유전체 세리믹스 조성물에 관한 것으로, 기존의 고주파 유전체 조성보다 비교적 낮은 소결온도 (1,200℃)이면서 높은 품질계수 (QX f > 40,000 GHz)와 유전상수 ( εr > 25) 및 안정된 온도계수 (τf = -49∼ +38 ppm/℃)의 우수한 고주파 유전특성이 MgNb
2 O
6- TiO
2 와 같은 비교적 저가의 원료로 구현되는 것을 특징으로 한다.
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