公开(公告)号：KR101648949B1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：KR1020150107101

申请日：2015-07-29

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 문동주 ,  정재선 ,  이재석 ,  홍기훈 ,  양은혁 ,  임성수 ,  노영수 ,  이광혁 ,  이상용 ,  김나영

IPC: B01J23/75 ,  B01J21/04 ,  B01J37/00

CPC classification number: B01J29/46 ,  B01J23/75 ,  B01J29/072 ,  B01J35/0086 ,  B01J35/1057 ,  B01J35/1061 ,  B01J35/109

Abstract: 본발명은피셔-트롭쉬합성반응에적용되는코어-쉘구조의코발트촉매와이의제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는코발트활성금속의담지후에소성처리된알루미나입자를코어(core)로하고, 상기알루미나입자의표면에는제올라이트분말이기계적합금화공정을통해 50 ㎛이상의두께로코팅되어쉘(shell)을형성하고있는코어-쉘구조를가지며, 피셔-트롭쉬합성반응에적용되어서는옥탄가가높은탄화수소를제조하게되는코발트촉매와이의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于费 - 托合成反应的核 - 壳钴催化剂及其制备方法，更具体地说，涉及一种钴催化剂，其具有核 - 壳结构，其中在负载钴活性金属之后， 用作核心，并且通过机械合金化方法通过用厚度为50μm的沸石粉末涂覆氧化铝颗粒的表面而形成壳体，并且通过施加可以制造具有高甲烷数的氢碳 到费 - 托合成反应，及其制备方法。

公开(公告)号：KR101625537B1

公开(公告)日：2016-05-30

申请号：KR1020140172476

申请日：2014-12-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 문동주 ,  안병성 ,  김상우 ,  양은혁 ,  임성수 ,  노영수 ,  정재선 ,  홍기훈

IPC: B01J23/83 ,  B01J23/755 ,  B01J23/10 ,  B01J35/10 ,  B01J37/34 ,  B01J37/08 ,  C01B3/40

CPC classification number: Y02P20/52

Abstract: 본발명은높은표면적을가진페롭스카이트계촉매에관한것으로서, 더욱상세하게는하드템플레이트를도입하여표면적을증진시킨페롭스카이트촉매를제조하고, 이러한촉매를사용하고천연가스, 이산화탄소와물을이용하여혼합개질반응에의해합성가스를제조하는방법에관한것이다. 이러한페롭스카이트계촉매구성은 ABO형태의구조를갖는것으로서, A 사이트에는란타늄과세륨이, B 사이트에는니켈이위치된구조를가진다.

Abstract translation: 本发明涉及具有高表面积的钙钛矿型催化剂。 更具体地说，制造合成气的方法通过引入硬模板制备具有增加的表面积的钙钛矿催化剂，并且通过混合改性反应使用钙钛矿催化剂通过天然气，二氧化碳和水制备合成气。 钙钛矿型催化剂具有ABO_3形式的结构，其中将镧和铈置于A位，并将镍置于B位。

公开(公告)号：KR100566917B1

公开(公告)日：2006-04-03

申请号：KR1020030089429

申请日：2003-12-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정연식 ,  박종용 ,  노영수

IPC: H01J37/00

Abstract: 사파이어 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 산화아연 박막증착 방법에 대해 개시한다. 본 발명은 사파이어 기판을 150∼200eV 정도의 저에너지 질소이온을 조사하여 이온조사량에 따라 사파이어 표면에 AlON과 AlN 결합을 열처리 없이 상온에서 형성하여 산화아연막 성장시 사파이어 기판과 격자 불일치로 발생하는 계면의 스트레인(strain)을 완화시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 이러한 격자 불일치 결함에 의해 발생하는 녹색 발광을 완전히 제거하여 자외선 영역의 에너지 갭에 의한 발광 특성을 향상시킬 수 있으므로 향후 광전자(optoelectric) 부품 제작시 품질 향상 및 수명 연장에 기여할 수 있다.
산화아연 박막, 사파이어(sapphire), 저에너지 이온빔, AlON, AlN, 발광(photoluminescene)

公开(公告)号：KR1020050091962A

公开(公告)日：2005-09-16

申请号：KR1020040017150

申请日：2004-03-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정연식 ,  박종용 ,  노영수

IPC: C23C16/50

Abstract: 본 발명은 200eV 정도의 저에너지와 100mW/cm
2 정도의 고전력 이온빔을 사용하여 고분자 표면을 짧은 시간안에 표면처리하여 금속에 대한 접착력을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 혼합 이온빔 내지는 고 이온전류 밀도의 산소, 아산화 질소 이온빔을 고분자 표면에 조사하여 짧게는 1초 내외의 5×10
15 /cm
2 정도의 작은 이온 조사량을 사용하여 증류수에 대한 접촉각을 2
o 미만으로 낮추고, 표면 에너지를 42 mN/m에서 81 mN/m 까지 증가시킨다. 특히, 표면처리된 고분자 표면과 금속의 접착력을 0.8 kgf/cm이상으로 향상시켜 접착층이 없는 우수한 FCCL의 제작이 가능하게 되었다.

公开(公告)号：KR1020050056417A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020030089429

申请日：2003-12-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정연식 ,  박종용 ,  노영수

IPC: H01J37/00

CPC classification number: H01J37/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02631

Abstract: 사파이어 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 산화아연 박막증착 방법에 대해 개시한다. 본 발명은 사파이어 기판을 150∼200eV 정도의 저에너지 질소이온을 조사하여 이온조사량에 따라 사파이어 표면에 AlON과 AlN 결합을 열처리 없이 상온에서 형성하여 산화아연막 성장시 사파이어 기판과 격자 불일치로 발생하는 계면의 스트레인(strain)을 완화시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 이러한 격자 불일치 결함에 의해 발생하는 녹색 발광을 완전히 제거하여 자외선 영역의 에너지 갭에 의한 발광 특성을 향상시킬 수 있으므로 향후 광전자(optoelectric) 부품 제작시 품질 향상 및 수명 연장에 기여할 수 있다.