公开(公告)号：KR100727355B1

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020050070827

申请日：2005-08-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  박종용 ,  최형욱 ,  정연식

IPC: H05K1/03

Abstract: 본 발명은 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 제조방법에 관한 것으로, 특히 짧은 시간 동안 폴리이미드 표면의 손상 없이 폴리이미드와 금속간의 접착력을 증가시키고, 고온에서도 우수한 내열성 및 내식성을 갖는 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판은 150 ~ 200 eV의 에너지와 적어도 0.5 mA/cm
2 의 이온 전류밀도를 갖되, 적어도 100 mW/cm
2 의 이온전력을 갖는 이온빔이 표면에 조사된 폴리이미드 필름; 상기 폴리이미드 필름 위에 증착되되, Ni-Cr-Zn의 삼원계 합금으로 이루어진 50 ~ 80 Å의 접착층; 및 상기 접착층 위에 도금된 구리 박막;을 포함한다.
이온빔, 폴리이미드, 연성회로기판, 접착층, Ni-Cr-Zn 합금

Abstract translation: 具有Ni-Cr-Zn三元粘合层的柔性电路板的制造方法技术领域本发明涉及一种具有Ni-Cr-Zn三元粘合层的柔性电路板的制造方法，特别涉及一种制造具有Ni- 本发明涉及一种具有Ni-Cr-Zn三元粘合层的柔性电路板及其制造方法。

公开(公告)号：KR1020070016297A

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：KR1020050070827

申请日：2005-08-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  박종용 ,  최형욱 ,  정연식

IPC: H05K1/03

CPC classification number: H05K3/386 ,  C09J1/00 ,  H05K3/381 ,  H05K2201/0154

Abstract: 본 발명은 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 제조방법에 관한 것으로, 특히 짧은 시간 동안 폴리이미드 표면의 손상 없이 폴리이미드와 금속간의 접착력을 증가시키고, 고온에서도 우수한 내열성 및 내식성을 갖는 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판은 150 ~ 200 eV의 에너지와 적어도 0.5 mA/cm
2 의 이온 전류밀도를 갖되, 적어도 100 mW/cm
2 의 이온전력을 갖는 이온빔이 표면에 조사된 폴리이미드 필름; 상기 폴리이미드 필름 위에 증착되되, Ni-Cr-Zn의 삼원계 합금으로 이루어진 50 ~ 80 Å의 접착층; 및 상기 접착층 위에 도금된 구리 박막;을 포함한다.
이온빔, 폴리이미드, 연성회로기판, 접착층, Ni-Cr-Zn 합금

公开(公告)号：KR100632394B1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：KR1020040017150

申请日：2004-03-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정연식 ,  박종용 ,  노영수

IPC: C23C16/50

Abstract: 본 발명은 200eV 정도의 저에너지와 100mW/cm
2 정도의 고전력 이온빔을 사용하여 고분자 표면을 짧은 시간안에 표면처리하여 금속에 대한 접착력을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 혼합 이온빔 내지는 고 이온전류 밀도의 산소, 아산화 질소 이온빔을 고분자 표면에 조사하여 짧게는 1초 내외의 5×10
15 /cm
2 정도의 작은 이온 조사량을 사용하여 증류수에 대한 접촉각을 2
o 미만으로 낮추고, 표면 에너지를 42 mN/m에서 81 mN/m 까지 증가시킨다. 특히, 표면처리된 고분자 표면과 금속의 접착력을 0.8 kgf/cm이상으로 향상시켜 접착층이 없는 우수한 FCCL의 제작이 가능하게 되었다.
초저에너지 이온빔, 혼합이온빔, 폴리이미드, 연성회로 기판, 접촉각, 표면 에너지, 접착력

公开(公告)号：KR100624627B1

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：KR1020050023448

申请日：2005-03-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정연식 ,  박종용

IPC: C08F8/06 ,  C08F8/00

Abstract: 본 발명은 10-90 eV의 초저 에너지와 0.5 mW/cm
2 이상의 고에너지 밀도를 갖는 활성화 빔을 폴리비닐리덴 플루오라이드 표면에 조사하여 PVDF의 표면을 초친수성 표면으로 개질시키는 방법을 제공한다. 본 발명에서는 짧은 시간 동안 표면 손상이 거의 없이 증류수에 대한 접촉각을 61
o 에서
2
o 미만으로 낮추어 PVDF 표면을 표면 에너지가 80 mN/m 이상인 초친수성 표면으로 개질시키는 방법을 제공한다. 본 발명에 의해 개질된 PVDF 표면은 금속, 전도성 고분자, 투명 전극 물질 등에 대한 접착력이 증가하여 한외여과용 멤브레인, 수소 이온 전도성 폴리비닐리덴 불소 수지 멤브레인의 친수성화 및 투명 연성 스피커 및 디스플레이와 스피커 일체형의 연성 청취가능 디스플레이 (flexible audio-video/audible display) 스피커 등에 응용할 수 있다.
초저 에너지 활성화 빔, 폴리이미드, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 압전소재, 접촉각, 표면 에너지, 접착력, 오디오디스플레이, 투명 연성 스피커

Abstract translation: 本发明涉及10-90eV的超低能量和0.5mW / cm的低能量

公开(公告)号：KR100566917B1

公开(公告)日：2006-04-03

申请号：KR1020030089429

申请日：2003-12-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정연식 ,  박종용 ,  노영수

IPC: H01J37/00

Abstract: 사파이어 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 산화아연 박막증착 방법에 대해 개시한다. 본 발명은 사파이어 기판을 150∼200eV 정도의 저에너지 질소이온을 조사하여 이온조사량에 따라 사파이어 표면에 AlON과 AlN 결합을 열처리 없이 상온에서 형성하여 산화아연막 성장시 사파이어 기판과 격자 불일치로 발생하는 계면의 스트레인(strain)을 완화시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 이러한 격자 불일치 결함에 의해 발생하는 녹색 발광을 완전히 제거하여 자외선 영역의 에너지 갭에 의한 발광 특성을 향상시킬 수 있으므로 향후 광전자(optoelectric) 부품 제작시 품질 향상 및 수명 연장에 기여할 수 있다.
산화아연 박막, 사파이어(sapphire), 저에너지 이온빔, AlON, AlN, 발광(photoluminescene)

公开(公告)号：KR1020050091962A

公开(公告)日：2005-09-16

申请号：KR1020040017150

申请日：2004-03-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정연식 ,  박종용 ,  노영수

IPC: C23C16/50

Abstract: 본 발명은 200eV 정도의 저에너지와 100mW/cm
2 정도의 고전력 이온빔을 사용하여 고분자 표면을 짧은 시간안에 표면처리하여 금속에 대한 접착력을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 혼합 이온빔 내지는 고 이온전류 밀도의 산소, 아산화 질소 이온빔을 고분자 표면에 조사하여 짧게는 1초 내외의 5×10
15 /cm
2 정도의 작은 이온 조사량을 사용하여 증류수에 대한 접촉각을 2
o 미만으로 낮추고, 표면 에너지를 42 mN/m에서 81 mN/m 까지 증가시킨다. 특히, 표면처리된 고분자 표면과 금속의 접착력을 0.8 kgf/cm이상으로 향상시켜 접착층이 없는 우수한 FCCL의 제작이 가능하게 되었다.

公开(公告)号：KR1020050056417A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020030089429

申请日：2003-12-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  정연식 ,  박종용 ,  노영수

IPC: H01J37/00

CPC classification number: H01J37/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02631

Abstract: 사파이어 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 산화아연 박막증착 방법에 대해 개시한다. 본 발명은 사파이어 기판을 150∼200eV 정도의 저에너지 질소이온을 조사하여 이온조사량에 따라 사파이어 표면에 AlON과 AlN 결합을 열처리 없이 상온에서 형성하여 산화아연막 성장시 사파이어 기판과 격자 불일치로 발생하는 계면의 스트레인(strain)을 완화시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 이러한 격자 불일치 결함에 의해 발생하는 녹색 발광을 완전히 제거하여 자외선 영역의 에너지 갭에 의한 발광 특성을 향상시킬 수 있으므로 향후 광전자(optoelectric) 부품 제작시 품질 향상 및 수명 연장에 기여할 수 있다.