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公开(公告)号：KR101816800B1
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：KR1020150128862
申请日：2015-09-11
Abstract: 본발명은지지체가필요없는금속나노선및 3차원금속나노촉매의제조방법에관한것으로 (A) 요철이형성된트렌치기판에하이드록시가치환된제1 고분자를코팅후 오븐에서처리하는단계; (B) 오븐처리된트렌치기판상면에실리콘이적어도한쪽블록에포함된블록공중합체를코팅하는단계; (C) 블록공중합체가코팅된트렌치기판을어닐링하는단계; (D) 어닐링된트렌치기판을이온에칭(RIE)하여패턴을형성하며블록공중합체를산화실리콘(SiOx)로전환하는단계; (E) 산화실리콘패턴을하이드록시가치환된제2 고분자로코팅후 오븐에서처리하는단계; (F) 오븐처리된산화실리콘패턴상면에아크릴수지를코팅하는단계; (G) 산화실리콘패턴과코팅된아크릴수지를분리하여아크릴수지의일면에패턴과동일한형상으로다수개의음각이형성되는단계; (H) 다수개의음각사이에위치한아크릴수지의직선기둥을따라금속나노선을증착시키는단계; 및 (I) 금속나노선이증착된아크릴수지의금속나노선이기판에위치하도록부착한후 아크릴수지를제거하여지지체가없는금속나노선을제조하는단계;를포함함으로써, 3차원나노촉매를제조할수 있으며카본지지체가없어열화현상을최소화하고얇은두께로인해물질의이동거리감소와물배출이원활하다.
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公开(公告)号：KR1020170031401A
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：KR1020150128862
申请日：2015-09-11
Abstract: 본발명은지지체가필요없는금속나노선및 3차원금속나노촉매의제조방법에관한것으로 (A) 요철이형성된트렌치기판에하이드록시가치환된제1 고분자를코팅후 오븐에서처리하는단계; (B) 오븐처리된트렌치기판상면에실리콘이적어도한쪽블록에포함된블록공중합체를코팅하는단계; (C) 블록공중합체가코팅된트렌치기판을어닐링하는단계; (D) 어닐링된트렌치기판을이온에칭(RIE)하여패턴을형성하며블록공중합체를산화실리콘(SiOx)로전환하는단계; (E) 산화실리콘패턴을하이드록시가치환된제2 고분자로코팅후 오븐에서처리하는단계; (F) 오븐처리된산화실리콘패턴상면에아크릴수지를코팅하는단계; (G) 산화실리콘패턴과코팅된아크릴수지를분리하여아크릴수지의일면에패턴과동일한형상으로다수개의음각이형성되는단계; (H) 다수개의음각사이에위치한아크릴수지의직선기둥을따라금속나노선을증착시키는단계; 및 (I) 금속나노선이증착된아크릴수지의금속나노선이기판에위치하도록부착한후 아크릴수지를제거하여지지체가없는금속나노선을제조하는단계;를포함함으로써, 3차원나노촉매를제조할수 있으며카본지지체가없어열화현상을최소화하고얇은두께로인해물질의이동거리감소와물배출이원활하다.
Abstract translation: 本发明包括涂料的步骤和在该（A）权利要求1的再羟基取代的聚合物上的金属纳米线的制造方法和三维纳米金属催化剂形成的基板的凹凸的沟槽不必支持在烘箱中处理; （B）在烘箱处理的沟槽衬底的上表面上的至少一个块中涂覆含有硅的嵌段共聚物; （C）将涂有嵌段共聚物的沟槽衬底退火; （D）对经退火的沟槽衬底进行离子蚀刻（RIE）以形成图案并将所述嵌段共聚物转化为氧化硅（SiOx）; （E）用被羟基取代的第二聚合物涂覆氧化硅图案并在烘箱中处理; （F）在经烘箱处理的氧化硅图案的顶表面上涂覆丙烯酸树脂; （G）除去氧化硅图案，并用相同的形状上具有多个凹形式的丙烯酸类树脂的一侧的图案涂布丙烯酸类树脂的步骤; （H）沿位于多个凹刻角之间的丙烯酸树脂的直柱沉积金属纳米线; 产生通过包括三维纳米催化剂;（I）和，以制备随后的金属或金属纳米线路径连接，以便被定位在所述基底上，以除去所述丙烯酸类树脂不具有沉积的丙烯酸类树脂的金属纳米线的支撑 它没有碳质支撑并使腐蚀最小化，薄的厚度减少了材料的移动距离和平稳的排水。
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公开(公告)号：KR100711203B1
公开(公告)日：2007-04-24
申请号：KR1020050077109
申请日：2005-08-23
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L33/0087 , H01L33/0012 , H01L33/0095 , H01L33/285
Abstract: 본 발명은 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법에 관한 것으로, 특히 새로운 구리 금속이 첨가된 p-형 산화아연 박막 제작기술과 이를 이용한 발광 다이오드, 전기 및 자기 디바이스 등의 응용에 관한 것이다.
본 발명의 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법은 사파이어 단결정 기판 위에 저온 산화아연 버퍼층을 증착하는 제1공정; 상기 증착된 저온 산화아연 버퍼층 위에 n형 갈륨 도핑 산화아연층을 증착하는 제2공정; 상기 증착된 n형 갈륨 도핑 산화아연층 위에 진성 산화아연 박막을 증착하는 제3공정; 상기 증착된 진성 산화아연 박막 위에 p형 산화아연 박막층을 형성하는 제4공정; 습식 에칭을 통하여 상기 p형 산화아연 박막층 위에 MESA 구조를 형성하는 제5공정; 및 상기 결과물을 후 열처리하는 제6공정;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
산화아연 반도체, 산화아연 박막, 이온주입, 구리금속, 발광 다이오드-
公开(公告)号：KR100624627B1
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1020050023448
申请日：2005-03-22
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 10-90 eV의 초저 에너지와 0.5 mW/cm
2 이상의 고에너지 밀도를 갖는 활성화 빔을 폴리비닐리덴 플루오라이드 표면에 조사하여 PVDF의 표면을 초친수성 표면으로 개질시키는 방법을 제공한다. 본 발명에서는 짧은 시간 동안 표면 손상이 거의 없이 증류수에 대한 접촉각을 61
o 에서
2
o 미만으로 낮추어 PVDF 표면을 표면 에너지가 80 mN/m 이상인 초친수성 표면으로 개질시키는 방법을 제공한다. 본 발명에 의해 개질된 PVDF 표면은 금속, 전도성 고분자, 투명 전극 물질 등에 대한 접착력이 증가하여 한외여과용 멤브레인, 수소 이온 전도성 폴리비닐리덴 불소 수지 멤브레인의 친수성화 및 투명 연성 스피커 및 디스플레이와 스피커 일체형의 연성 청취가능 디스플레이 (flexible audio-video/audible display) 스피커 등에 응용할 수 있다.
초저 에너지 활성화 빔, 폴리이미드, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 압전소재, 접촉각, 표면 에너지, 접착력, 오디오디스플레이, 투명 연성 스피커Abstract translation: 本发明涉及10-90eV的超低能量和0.5mW / cm的低能量
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100620076B1
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：KR1020050035184
申请日：2005-04-27
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 순수한 TiO
2 의 O가 C와 N으로 치환된 일반식 TiO
2-x-δ C
x N
δ 로 표시되는 박막형 이산화티탄계 광촉매 및 자성 물질이 제공된다. Ti와 Ar, N
2 , CO
2 , CO 및 O
2 등의 기체를 사용하여 직류 반응성 스퍼터링에 의하여 TiO
2-x-δ C
x N
δ 박막을 형성시키는 공정과 상기 형성된 박막을 500℃ 정도의 온도에서 열처리하여 결정화시키는 공정으로 이루어지는 일반식 TiO
2-x-δ C
x N
δ 로 표시되는 박막형 이산화티탄계 광촉매 및 자성 물질의 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 의한 일반식 TiO
2-x-δ C
x N
δ 로 표시되는 이산화티탄계 광촉매 및 자성 물질은 순수한 이산화티탄에 비하여 광학적 밴드갭이 작아 가시광 영역에서 광촉매로서 작동하고, 또한 순수한 아나타제 결정상만으로 구성되고, 결정립의 크기가 작기 때문에 광촉매 효율 및 자정 능력이 매우 우수하다.
광촉매, 이산화티탄, 자정 유리, 초친수성, 가시광 영역 광촉매.Abstract translation: 纯TiO
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公开(公告)号：KR100566917B1
公开(公告)日：2006-04-03
申请号：KR1020030089429
申请日：2003-12-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01J37/00
Abstract: 사파이어 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 산화아연 박막증착 방법에 대해 개시한다. 본 발명은 사파이어 기판을 150∼200eV 정도의 저에너지 질소이온을 조사하여 이온조사량에 따라 사파이어 표면에 AlON과 AlN 결합을 열처리 없이 상온에서 형성하여 산화아연막 성장시 사파이어 기판과 격자 불일치로 발생하는 계면의 스트레인(strain)을 완화시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 이러한 격자 불일치 결함에 의해 발생하는 녹색 발광을 완전히 제거하여 자외선 영역의 에너지 갭에 의한 발광 특성을 향상시킬 수 있으므로 향후 광전자(optoelectric) 부품 제작시 품질 향상 및 수명 연장에 기여할 수 있다.
산화아연 박막, 사파이어(sapphire), 저에너지 이온빔, AlON, AlN, 발광(photoluminescene)-
公开(公告)号：KR1020050091962A
公开(公告)日：2005-09-16
申请号：KR1020040017150
申请日：2004-03-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/50
Abstract: 본 발명은 200eV 정도의 저에너지와 100mW/cm
2 정도의 고전력 이온빔을 사용하여 고분자 표면을 짧은 시간안에 표면처리하여 금속에 대한 접착력을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 혼합 이온빔 내지는 고 이온전류 밀도의 산소, 아산화 질소 이온빔을 고분자 표면에 조사하여 짧게는 1초 내외의 5×10
15 /cm
2 정도의 작은 이온 조사량을 사용하여 증류수에 대한 접촉각을 2
o 미만으로 낮추고, 표면 에너지를 42 mN/m에서 81 mN/m 까지 증가시킨다. 특히, 표면처리된 고분자 표면과 금속의 접착력을 0.8 kgf/cm이상으로 향상시켜 접착층이 없는 우수한 FCCL의 제작이 가능하게 되었다.-
公开(公告)号：KR1020050056417A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020030089429
申请日：2003-12-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01J37/00
CPC classification number: H01J37/00 , C30B29/406 , H01L21/02631
Abstract: 사파이어 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 산화아연 박막증착 방법에 대해 개시한다. 본 발명은 사파이어 기판을 150∼200eV 정도의 저에너지 질소이온을 조사하여 이온조사량에 따라 사파이어 표면에 AlON과 AlN 결합을 열처리 없이 상온에서 형성하여 산화아연막 성장시 사파이어 기판과 격자 불일치로 발생하는 계면의 스트레인(strain)을 완화시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 이러한 격자 불일치 결함에 의해 발생하는 녹색 발광을 완전히 제거하여 자외선 영역의 에너지 갭에 의한 발광 특성을 향상시킬 수 있으므로 향후 광전자(optoelectric) 부품 제작시 품질 향상 및 수명 연장에 기여할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100632394B1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：KR1020040017150
申请日：2004-03-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/50
Abstract: 본 발명은 200eV 정도의 저에너지와 100mW/cm
2 정도의 고전력 이온빔을 사용하여 고분자 표면을 짧은 시간안에 표면처리하여 금속에 대한 접착력을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 혼합 이온빔 내지는 고 이온전류 밀도의 산소, 아산화 질소 이온빔을 고분자 표면에 조사하여 짧게는 1초 내외의 5×10
15 /cm
2 정도의 작은 이온 조사량을 사용하여 증류수에 대한 접촉각을 2
o 미만으로 낮추고, 표면 에너지를 42 mN/m에서 81 mN/m 까지 증가시킨다. 특히, 표면처리된 고분자 표면과 금속의 접착력을 0.8 kgf/cm이상으로 향상시켜 접착층이 없는 우수한 FCCL의 제작이 가능하게 되었다.
초저에너지 이온빔, 혼합이온빔, 폴리이미드, 연성회로 기판, 접촉각, 표면 에너지, 접착력
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