公开(公告)号：KR100202868B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950012959

申请日：1995-05-24

Applicant: 오리온전기 주식회사 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 신동기 ,  이복수 ,  윤상열 ,  최돈빈 ,  이민수 ,  손호석 ,  오명환 ,  김창홍 ,  변종홍 ,  안광덕 ,  박태석 ,  한택상 ,  손용배 ,  유병용 ,  박영호

IPC: H01J9/20

Abstract: 새도우마스크를 충전전극으로 사용하여 단순화된 공정으로도 균일하게 광전도막에 전하잠상을 형성하여 음극선관을 제조할 수 있는 새도우마스크전극에 의한 음극선관의 전자사진식 스크린 제조방법을 제공한다.
판넬내면에 형광면을 형성시키기 위한 전자사진식 음극선관의 스크린제조방법에 있어서; (1) 상기 판넬내면에 휘발성전도막을 형성시키는 1차코팅 단계; (2) 그 전도막위에 휘발성광전도막을 형성하는 2차코팅단계; (3) 상기 판넬에 새도우마스크를 그 판넬과 절연되게 장칙하고 고압의 직류전원을 상기 전도막과 새도우마스크에 인가하여 충전하면서 그 새도우마스크를 통해 광선을 소정의 입사각으로 광전도막에 조사(노광)하여 소정의 배열구조만 전도막에 충전된 전하를 선택적으로 광전도막에 이동시킨 후, 그 전원과 빛을 차단하고 전도막의 전하를 방출시켜 광전도막에 소정의 전하잠상을 형성하는 대전 및 노광 단계; 그리고 (4) 소망의 전하로 대전된 미세분말을 상기 대전 및 노광단계(3)에서 전하가 선택적으로 이동된 광전도막의 노광부분과 그 나머지 광전도막의 비노광부분중 어느 하나의 영역에 그 대전된 미세분말을 접촉, 부착시켜 그 미세분말의 실상을 만드는 현상단계를 포함한다. 이에 따라, 방전장치가 필요없게 되고 복잡한 방전조건을 조절할 필요없이 충전과 노광을 동시에 균일하게 할 수 있으므로 형광체 도포두께 및 크기, 형상 등을 균일하게 할 수 있고 음극선관의 화질을 높일 수 있는 효과가 있을 뿐만 아니라, 제조설비 및 제조공정이 크게 감축되고 생산성이 크게 향상되는 등의 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980054435A

公开(公告)日：1998-09-25

申请号：KR1019960073596

申请日：1996-12-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 주병권 ,  박흥우 ,  오명환

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 전자선 증착된 막이나 스퍼터링된 막을 중간 삽입층으로 이용하여 실리콘 직접 접합 공정과, 이러한 직접 접합 공정을 이용하여 소자를 진공 실장하는 공정 및 실리사이드 제조 공정에 관한 것이다.
본 발명에 의할 경우, 종래 직접 접합 방법으로 접합할 수 없었던 금속 등의 막이나 실리콘 기판이 아닌 유리 기판 등의 다른 기판에 대해서도 접합이 가능하고, 이러한 직접 접합 방법을 이용하여 고진공을 요하는 진공 소자를 진공 실장할 수 있으며 또한, 내화성 금속 실리사이드를 산화되지 않게 형성할 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1019980049375A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960068077

申请日：1996-12-19

Applicant: 오리온전기 주식회사 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 오명환 ,  안광덕 ,  박태석 ,  한택상 ,  손용배 ,  변종홍 ,  김창홍 ,  최한 ,  신동기 ,  박태하 ,  윤상열 ,  김형진 ,  이민수 ,  손호석 ,  박영호

IPC: C09K11/00

Abstract: 본 발명은 형광체용 금속 황화물 건식 제조방법 및 이에 의한 형광체의 건식 제조방법을 제공한다.
이 금속 황화물의 제조방법은, 금속황화물을 합성할 때 일반적으로 사용하는 융제를 이용한 습식법을 사용하지 않으므로 융제 제거과정중 사용되는 물을 사용하지 않아서 공정이 단순화되고 이로인한 결정 결함생성을 피할 수 있으며, 또한 인체에 유독한 황화기체, 즉 황화수소나 이황화탄소 등을 사용하지 않고, 유기 황화물인 티오우레아나 암모늄티오시아네이트 등 탄소원자가 없는 티오 화합물을 금속염과 반응시켜 저온에서 합성하는 방법과 이를 바탕 물질로하여 여러 희토류 금속 이온 및 전이 금속 이온을 물들여 금속황화물 형광체를 만드는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970077067A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019960019184

申请日：1996-05-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 주병권 ,  박흥우 ,  이윤희 ,  오명환

IPC: H01J31/20

Abstract: 본 발명의 실리콘 전계방출소자의 제조방법은, 실리콘 기판 위에 제1산화막을 형성한 후 패터닝하는 공정과, 상기 패터닝된 제1산화막을 마스크로 하여 상기 실리콘 기판을 결정의존성 식각한 후 그 결과물 전면을 산하시켜 제2산화막을 형성하는 공정과, 상기 제2산하막 위에 금속막을 증착하는 공정과, 상기 결정의존성 식각된 영역의 제1, 제2산화막 및 금속막을 제거한 후 그 결과물 전면에 실리사이드를 자기정렬방식으로 형성할 수 있는 고융점 금속막을 증착하고 어닐링하여 실리사이드를 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며, 상기와 같은 전자를 방출하기 위한 실리콘 팁에 실리사이드를 자기정렬하는 간단한 방법으로 실리콘 팁의 수명을 연장시킴과 아울러, 전자방출을 용이하게 할 수 있도록 함으로써 낮은 진공도를 유지해도 되므로 제조비 용을 감소시킬 수 있으며, 확산방지막을 이용하여 상기 실리사이드막의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970072506A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019960011998

申请日：1996-04-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 주병권 ,  이윤희 ,  오명환

IPC: H01L31/00

Abstract: 본 발명의 전계방출소자의 제조방법은, 실리콘 기판에, 복수개의 팁을 구비하는 상부와, 상기 상부를 지지하는 지지부와, 상기 상부와 지지부를 연결하는 연결부로 구성되는 수직형 실리콘 기둥을 형성하는 공정과; 상기 수직형 실리콘 기둥 양측의 실리콘 기판 및 상기 수직형 실리콘 기둥 위에 절연물질과 금속물질을 순차적층시킨 후 리프트 오프하여 상기 수직형 실리콘 기둥 양측에 게이트 전극을 형성하는 공정;을 포함하여 이루어지며, 상기 다수개의 팁을 통해 전계방출영역 및 방출 전류밀도를 증가시킬 수 있고, 상기 리프트 오프 공정에 의해 상기 게이트 전극 및 게이트 절연막을 간단하게 자기 정렬시킬 수 있으며, 또한 상기 게이트 전극과 전체 방출용 팁간의 거리를 매우 짧게 함으로써 게이트 구동전압을 현저히 낮출 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970071983A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019960011384

申请日：1996-04-16

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 주병권 ,  오명환 ,  이윤희

IPC: H01J1/30

Abstract: 본 발명에 의한 전계방출소자 및 그 제조방법은, 수직형 홈이 형성되어 있는 실리콘기판 상에 임의의 박막을 소정 두께로 증착하여 “모울드”를 형성하는 공정과; 상기 “모울드” 상에 그 내부를 충분히 채울수 있을 정도의 두께로 기능성 박막을 증착하는 공정 및; 상기 “모울드”를 제거하여 기능성 박막으로 이루어진 기판과 전계방출부를 형성하는 공정으로 이루어져, 그 결과 복수개의 전계방출지점을 갖는 전계방출부와, 1㎛ 이하의 크기를 갖는 전계방출부를 형성할 수 있게 되므로, 소자의 방출전류를 증가시킬 수 있고, 아울러 소자의 크기를 매우 소형으로 제작할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR100121336B1

公开(公告)日：1997-08-26

申请号：KR1019940009565

申请日：1994-04-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 오명환 ,  김종희 ,  김태송

IPC: H05B33/14

公开(公告)号：KR1019970030058A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950039797

申请日：1995-11-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 오명환 ,  이윤희 ,  주병권 ,  송만호

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/24

Abstract: 본 발명은 물리증착(physical vapour deposition : PVD)법에 의해 제조된 전계방출소자용 발광체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유리기판 상에 물리적증착법으로 ZnO:Zn 발광박막을 형성한 뒤 상기 ZnO:Zn 박막 표면에 도전성박막을 코팅하여 발광체 제조를 완료하므로써, 1) 발광막의 두께와 발광체의 열처리 온도 및 분위기 변화를 통하여 에미터의 동작 특성에 맞는 발광문턱과 여러계조의 휘도 및 발광색을 일정 범위내에서 변화시킬 수 있으며, 2) 공정이 용이하고 공정 단가가 낮은 물리증착법(예컨대, 스퍼터법이나 증착법)을 통하여 초박막 상태로도 결정성이 뛰어난 발광막을 얻을 수 있게 되어 고해상도를 요하는 대면적 전계방출소자에 적용할 수 있다는 잇점을 갖는다.

公开(公告)号：KR1019970023598A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950036760

申请日：1995-10-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 주병권 ,  오명환

IPC: H01J31/00

Abstract: 본 발명은 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 모울드를 형성하는 공정과; 상기 실리콘 모울드 상에 기능성막을 형성한 뒤, 상기 기능성 막 상에 반도체(또는 금속)팁을 형성하는 공정과; 상기 반도체(또는 금속)팁 상에 전도성 박막을 형성하는 공정과; 상기 전도성 박막에 기판을 접합하는 공정 및; 상기 실리콘 모울드를 제거하는 공정을 포함하여 마이크로-팁 제조를 완료함으로써, 1) 기능성 막을 팁의 모양과 일치하도록 형성할 수 있게 되어 반도체 팁이 가지는 구조적인 장점들과 함께 기능성 막 재료의 장점들도 동시에 공유할 수 있을 뿐 아니라 2) 모울드의 모양을 매우뾰족한 모양으로부터 둥그스름한 모양에 이르기까지 조절할 수 있어 기능성 막의 도포 방법에 따라 모울드의 모양을 유연성 있게 선택 사용할 수 있는 잇점을 갖는 고신뢰성의 전계 방출용 마이크로-팁을 구현할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019970008843B1

公开(公告)日：1997-05-29

申请号：KR1019940009565

申请日：1994-04-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 오명환 ,  김종희 ,  김태송

IPC: H05B33/14

Abstract: Complex dielectric layer structure for thin film electroluminescent display, whereby the dielectric thin film manufactures according to depositing the buffer layer that consists of Si3N4, silicon oxynitride or SiA1ON, on the glass substrate that deposit ITO for generating the transparent electrode, and then depositing the glass thin film of the B(x1-x)Sr(x)TiO2 on the buffer layer.

Abstract translation: 用于薄膜电致发光显示器的复合电介质层结构，由此根据沉积用于产生透明电极的ITO的玻璃基板上沉积由Si 3 N 4，氮氧化硅或SiAlON组成的缓冲层制造电介质薄膜，然后沉积玻璃 在缓冲层上的B（x1-x）Sr（x）TiO2的薄膜。