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公开(公告)号:KR101866922B1
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:KR1020160081093
申请日:2016-06-28
Abstract: 다채널수질오염측정장치는다파장광원, 광분배기, 복수의측정용셀들, 복수의셔터들, 광수집기및 광대역검출기를포함한다. 다파장광원은제1 광신호를생성한다. 광분배기는광섬유로이루어지고제1 광신호를수신하는입력단, 수신된제1 광신호를균등하게분배하여복수의제2 광신호들을생성하는분배부, 및광섬유로이루어지고제2 광신호들을출력하는복수의출력단들을포함한다. 측정용셀들은출력단들과연결되고, 발색시약에의해발색된시료를각각수납한다. 셔터들은제어신호에기초하여측정용셀들에제2 광신호를선택적으로제공한다. 광수집기는측정용셀들중 제2 광신호를제공받은선택셀로부터수집광을수신한다. 광대역검출기는수집광을기초로선택셀 내에수납된시료의흡광도를측정하여, 오염물질의존재여부를판단한다.
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公开(公告)号:KR1020170036891A
公开(公告)日:2017-04-04
申请号:KR1020150134860
申请日:2015-09-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N21/3581
CPC classification number: G01N21/3581 , G01N33/0098 , G01N33/02
Abstract: 본발명은테라헤르츠전자기파를이용한 (농약등의) 잔류량측정방법및 장치에관한것으로, 더욱상세하게는테라헤르츠전자기파영역에서작동하는메타부를가지는센싱칩을사용하여과일등의대상물체에분포하는미량의농약을매우높은민감도와선택성을가지고검출할수 있고, 특히측정대상농약의양에따라센싱칩을통과또는반사되어측정되는광의투과율또는주파수변화의증가폭의과소를기준으로대상농약의잔류량을판단하는정량분석에도이용할수 있는테라헤르츠전자기파를이용한고민감도잔류량검출방법및 이에사용되는디바이스에관한것이다.
Abstract translation: 本发明是一个非常小的量使用利用太赫兹电磁波剩余量和装置,并且更具体地,感测芯片具有涉及一种测量方法(如农用化学品),其部分间的电磁波区域内工作分布在对象的太赫兹,如果 农药基于该非常高的灵敏度,并且可以与选择性,在特定的生长速率的光或频率变化的透射率下测量的是根据本主题农药的用于确定目标的农药的剩余量的量通过或反射到感测芯片中检测 苦恼使用的THz电磁波也可以用于定量分析灵敏度剩余量检测方法,以及其中使用的设备。
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公开(公告)号:KR101721976B1
公开(公告)日:2017-03-31
申请号:KR1020150143882
申请日:2015-10-15
Applicant: 서울시립대학교 산학협력단 , 한국과학기술연구원
IPC: G01N21/3581 , F25B21/02 , H01L23/38
Abstract: 본발명은샘플과접촉하여테라헤르츠전자기파의선택적민감도를높일수 있고, 샘플과의접촉여부를용이하게확인할수 있어서샘플에대한보다정확한측정을가능하게하고, 샘플에대한국소적냉각을통하여검출민감도를높일수 있고테라헤르츠전자기파의반사를이용하여측정하므로장치크기를최소화할수 있고샘플의크기의제한을최소화하는테라헤르츠검출장치에관한것이다.본발명에따르면테라헤르츠전자기파를출력하는테라헤르츠출력부; 샘플이배치되고, 상기테라헤르츠전자기파를상기샘플로진행시키고상기샘플로부터반사되는테라헤르츠전자기파를진행시키는샘플접촉구조체; 및상기샘플로부터상기샘플접촉구조체를통하여반사된테라헤르츠전자기파를검출하는테라헤르츠검출부;를포함하되, 상기샘플접촉구조체는, 기판; 상기기판상에부착되고, 테라헤르츠전자기파가민감하게반응하도록그 폭과길이및 깊이가결정된개구를포함하는민감도강화층; 및상기기판의전면또는후면에배치되고상기민감도강화층과샘플의접촉여부를감지하는접촉감지부를포함하는것이고, 상기테라헤르츠출력부로부터출력된상기테라헤르츠전자기파는상기기판및 상기개구를통하여상기샘플로진행하고, 상기샘플로부터반사되는상기테라헤르츠전자기파는상기개구및 상기기판을통하여상기테라헤르츠검출부로진행하는것인테라헤르츠검출장치가제공된다.
Abstract translation: 本发明是在与样品nopilsu太赫兹电磁波的选择性灵敏度接触,可以容易地确定样本是否接触,并启用精确测量比对样品,通过样品的局部冷却的检测灵敏度 。nopilsu和太赫兹测量,所以最小化通过使用电磁波的反射装置的尺寸,并涉及一种太赫兹检测器,用于最小化样品的太赫兹输出单元的大小的限制,用于输出在根据本发明的太赫兹电磁波; 其中放置样本的样本接触结构,样本接触结构将太赫电磁波推进到样本并且推进来自样本的反射太赫兹电磁波; 以及太赫兹检测器,用于检测从所述样本反射穿过所述样本接触结构的太赫兹电磁波,所述样本接触结构包括:衬底; 一个附着在基片上的灵敏度增强层,该灵敏度增强层包括一个其宽度,长度和深度被确定为使得太赫兹电磁波敏感地起反应的孔; 并通过前或放置在背面,并且是包括触摸感测以检测接触是否在灵敏度增强层和所述样品,其中所述太赫兹电磁波是所述基板和所述开口是从所述基板的所述太赫兹输出输出在其上 并且从样本反射的太赫兹电磁波穿过开口和衬底到达太赫兹检测部分。
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