Abstract:
PURPOSE: A cutting device through the combination of characteristics of a reformed surface according to depth is provided to maintain high surface precision and maximize machining accuracy by freely regulating the size of a reformed area through pulse width control. CONSTITUTION: A cutting device through the combination of characteristics of a reformed surface according to depth comprises a laser source(100), a plurality of mirrors(200-203), a first condensing lens(400), a dispersion control unit(300), and a second condensing lens(401). The laser source outputs pulse laser. The plurality of mirrors split a laser beam output from the laser source or determine the directivity of the laser beam. The first condensing lens condenses one of the laser beams split through the mirrors to irradiate a work piece(500). The dispersion control unit controls the dispersion of another one of the laser beams. The second condensing lens condenses the laser beam dispersed by the dispersion control unit to irradiate the work piece.
Abstract:
본 발명은 쳐프 펄스 증폭 시스템에서 회절격자 기반 펄스 확장기의 정렬방법에 관한 것으로, 쳐프 펄스 증폭 시스템에 적용되는 회절격자 기반 펄스 확장기에 있어서, 상기 펄스 확장기는 레이저 광을 출사하는 레이저 공진기, 제 1회절격자, 제 2회절격자, 구면거울 및 직각거울을 포함하여 구성되고, 상기 구면거울을 상기 구면거울의 중심을 회전중심으로 하여 일정 θ 만큼 회전시키고, 상기 제 2회절격자와 직각거울을 상기 구면거울의 중심을 회전중심으로 하여 일정 2θ 만큼 회전시켜 입/출력 펄스간의 높이차를 구현하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 구성되는 본 발명은 렌즈의 수차 및 분산에 의한 악영향을 제거할 수 있고, 광학부품간의 공간적 제약을 해소할 수 있으며, 입/출사 펄스 간의 옵셋의 크기를 자유롭게 조절할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 비선형 편광 회전과 포화흡수체의 결합 모드잠금에 의해 생성되는 고출력 광섬유 펨토초 레이저 공진기에 관한 것으로, 광섬유 펨토초 레이저 공진기에 있어서, 레이저 소스를 포함하는 링타입(ring-type) 구조의 광섬유 기반의 공진기이며, 상기 공진기 상에 구성되고, 펄스 쉐이핑(shaping)으로 극초단 펄스를 생성하는 비선형 편광회전 모드잠금부 및 펄스 진폭의 비선형 필터링을 수행하며, 상기 공진기 내부의 초과 비선형 현상을 억제, 초기펄스의 생성 및 솔리톤 펄스에서 생성되는 기생 분산파(Dispersive wave) 제거를 수행하는 포화흡수체 모드잠금부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
The present invention relates to an alignment method of a diffraction grid-based pulse expander in a chirped pulse amplification system. The diffraction grid-based pulse expander which is applied to the chirped pulse amplification system includes a laser resonator which emits laser light, a first diffraction grid, a second diffraction grid, a spherical mirror, and a right-angled mirror. A height difference between input and output pulses is formed by rotating the spherical mirror at an predetermined angle θ^θ with the center of the spherical mirror as a rotary center and rotating the second diffraction grid and the right-angled mirror at a predetermined angle 2θ^θ with the center of the spherical mirror as a rotary center. The present invention like the forementioned is able to: remove a bad influence which is caused by the aberration and dispersion of a lens; resolve a special restriction between optical components; and freely adjust the size of an offset between the input and output pulses.
Abstract:
펄스 레이저의 분산을 조절하는 단계, 및 상기 분산이 조절된 펄스 레이저를 가공물에 입사시켜 상기 가공물을 가공하는 단계를 포함하는 레이저 가공방법이 공개된다. 상기 분산은, 상기 가공물 내에서 상기 펄스 레이저의 펄스 폭이 상기 가공물 중 상기 펄스 레이저의 입사 지점을 지난 미리 결정된 지점에서 최소가 되도록 조절된다.
Abstract:
본 발명은 토초 펄스 레이저의 비선형 초점이동을 통한 절단방법에 관한 것으로, 펨토초 펄스 레이저를 이용한 절단방법에 있어서, 펨토초 펄스 레이저를 가공물에 조사하여 다중광자이온화(Multi-Photon Ionization)를 기반으로 플라즈마 디포커싱(Plasma Defocusing)에 의해 개질영역을 형성시키고, 여기서 형성된 상기 개질영역과 플라즈마 디포커싱 현상에 의한 레이저의 공간적 집속을 방해시켜 상기 펨토초 펄스 레이저의 초점을 가공물 깊이 방향으로 이동시키면서 개질영역을 길어지게 형성하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 구성되는 본 발명은 비선형 초점이동을 통해 기존 필라멘트 기반에서는 가공이 불가능한 얇은 투명재료에 효율적인 절단 및 가공이 가능한 이점이 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for cutting for nano-void array forming by femtosecond laser is provided to improve the cutting and processing efficiency of a transparent material by forming nano-void array using femtosecond laser. CONSTITUTION: A method for cutting for nano-void array forming by femtosecond laser comprises next steps. A pole first grade femtosecond laser is condensed to a condensing lens(120) and radiates laser beam to a transparent material or substrate. The plasma defocusing is performed by multi-photon ionization. Self focusing is performed due by Kerr Lens. Nano-Void Array(210) is formed on a substrate and cut. The energy per pulse has the energy value on the substrate in order to become over the threshold energy 0.2uJ for the void formation.