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21.发明授权레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 및 그래핀 반도체 소자를 포함하는 그래핀 트랜지스터 失效用于制造石墨烯半导体器件的方法，由其制造的石墨烯半导体器件，包括石墨烯半导体器件的石墨烯晶体管
公开(公告)号：KR101169538B1
公开(公告)日：2012-07-27
申请号：KR1020100091600
申请日：2010-09-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 이를 포함하는 그래핀 트랜지스터가 제공된다.
본 발명에 따른 그래핀 반도체 소자 제조방법은 산소 분위기 하에서 기판 상에 형성된 그래핀에 레이저 빔을 조사하여, 상기 그래핀을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 그래핀 반도체 소자 제조방법은 레이저 빔를 이용하여, 밴드 갭을 그래핀에 형성시켜, 그래핀 반도체 소자의 제조가 가능하다. 더 나아가, 그래핀의 성장과 반도체 소자를 위한 패터닝이 모두 동일한 레이저 빔 조사 방식이므로, 경제성이 우수하다. 또한, 이러한 그래핀 반도체 소자를 이용, 그래핀 트랜지스터를 경제적으로 제조할 수 있다.-
22.发明授权레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 및 그래핀 반도체 소자를 포함하는 그래핀 트랜지스터 有权用于制造石墨半导体器件的方法，由其制造的石墨半导体器件，包含石墨半导体器件的石墨晶体管
公开(公告)号：KR101113287B1
公开(公告)日：2012-02-24
申请号：KR1020110112383
申请日：2011-10-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/02266 , H01L29/66712
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a graphene semiconductor device using laser, the graphene semiconductor device manufactured by the same and a graphene transistor including the graphene semiconductor device are provided to reduce manufacturing costs by patterning a semiconductor device and growing a graphene with the same laser beam. CONSTITUTION: A graphene is formed by firstly irradiating a laser beam to an SiC substrate(101). A graphene semiconductor device is made by pattering the graphene through the second irradiation of the laser beam. Source and drain areas doped with impurities are formed by thirdly irradiating the laser beam to both ends of the semiconductor device under a gas atmosphere with the impurities. An insulation layer(106) is laminated in a semiconductor device area between the source and drain areas. A source electrode, a drain electrode, and gate electrode are formed by patterning a metal layer(107) after the metal layer is laminated on the source and drain areas and the insulation layer.
Abstract translation: 目的：制造使用激光的石墨烯半导体器件的方法，由该石墨烯半导体器件制造的石墨烯半导体器件和包括石墨烯半导体器件的石墨烯晶体管被提供以通过对半导体器件进行图案化并用相同的激光束生长石墨烯来降低制造成本 。 构成：首先将激光束照射到SiC衬底（101）上形成石墨烯。 石墨烯半导体器件通过用激光束的第二次照射图案化石墨烯制成。 通过在具有杂质的气体气氛下将激光束三次照射到半导体器件的两端来形成掺杂杂质的源极和漏极区域。 在源极和漏极区域之间的半导体器件区域中层压绝缘层（106）。 在金属层层叠在源区和漏区以及绝缘层之后，通过图案化金属层（107）来形成源电极，漏电极和栅电极。
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公开(公告)号：KR101947641B1
公开(公告)日：2019-02-13
申请号：KR1020170088898
申请日：2017-07-13
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 한국과학기술원
IPC: H01B13/00 , H01B13/30 , H01L31/0224 , H01L51/52
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公开(公告)号：KR101630390B1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：KR1020100001720
申请日：2010-01-08
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은자기조립물질을이용한그라핀나노구조체의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는, 기판상에그라핀박막또는그라핀옥사이드박막을형성한후, 자기조립물의자기조립나노구조를마스크로이용하여상기그라핀박막또는그라핀옥사이드박막을식각하여그라핀나노구조체를제조하는것을특징으로하는, 자기조립물질을이용한리소그라피에의한그라핀나노구조체의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 그라핀구조의나노미터수준조절을통해밴드갭(Band Gap)의열림정도를조절할수 있고, 이는그라핀의전기적성질은자유롭게조절할수 있게하며, 이를통해탄소소재의디바이스제조에있어효율적인방법을제시할수 있다. 또한, 본발명에서제시하는방법은병렬적제조가가능한방법으로, 블록공중합체등을포함하는자기조립물질을이용하기때문에대량생산이용이한효과가있다.
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Patent Agency Ranking26.发明公开
公开(公告)号：KR1020150081057A
公开(公告)日：2015-07-13
申请号：KR1020140000631
申请日：2014-01-03
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C01G39/06 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/24 , B82B3/00
Abstract: 알칼리금속또는알칼리토금속과수산화기로이루어진박리촉진제를함유하는유기용매에벌크몰리브덴디설파이드(MoS2) 분말을혼입하는단계; 및상기혼입된벌크몰리브덴디설파이드(MoS2) 분말을초음파처리하여몰리브덴디설파이드(MoS2) 나노시트를제조하는단계를포함하는것을특징으로하는몰리브덴디설파이드(MoS2) 나노시트제조방법이제공된다.
Abstract translation: 提供了制备二硫化钼纳米片（MoS2）的方法，该方法包括以下步骤：将体二硫化钼粉末与含有由碱金属或碱土金属组成的剥离促进剂和羟基的有机溶剂混合; 并用超声波处理混合体积二硫化钼（MoS2）粉末制备二硫化钼纳米片。
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公开(公告)号：KR1020150043719A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：KR1020130122447
申请日：2013-10-15
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 금속층상에적층된 2차원구조물질층에지지층을접촉시키는단계; 상기지지층에, 상기지지층과는상이한물질로이루어진지지기판을접촉시키는단계; 상기지지기판을이동시켜, 상기금속층과상기 2차원구조물질층을분리시키는단계; 상기 2차원구조물질층을상기지지기판을이용하여, 제 2 기판으로전사시키는단계; 상기지지층을제거하여, 상기제 2 기판상에적층된 2차원물질층을제조하는단계를포함하며, 상기지지층과상기 2차원구조물질층사이의물리적결합력은상기금속층과상기 2차원구조물질층사이의물리적결합력보다강한것을특징으로하는, 2차원구조물질층전사방법이제공된다.
Abstract translation: 提供了一种用于转印2D结构材料层的方法，其包括以下步骤：将支撑层接触层叠在金属层上的2D结构材料层; 在前一步骤中将由与前述步骤中的支撑层的支撑层不同的材料制成的支撑衬底接触到前一步骤中的支撑层; 通过移动支撑基板将2D结构材料层与金属层分离; 通过使用支撑衬底将2D结构材料层转移到第二衬底上; 并且通过去除支撑层来制造堆叠在第二基板上的2D结构材料层。 支撑层和2D结构材料层之间的物理相干性强于金属层和2D结构材料层之间的物理相干性。
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公开(公告)号：KR101172625B1
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：KR1020110006115
申请日：2011-01-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 레이저를 이용한 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 및 그래핀 트랜지스터가 제공된다.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조방법은 기판상에 붕소 함유 도핑가스 및 질소 함유 도핑 가스를 동시에 흘리면서, 레이저 빔을 상기 기판에 조사하여 질화붕소층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명의 반도체 소자 제조방법은 그래핀과 동일한 결정구조를 갖는 질화붕소(Boron Nitride(BN))를 레이저 빔으로 제조한다. 더 나아가, 상기 질화붕소층 상에 동일 방식으로 그래핀을 적층하고, 다시 레이저 빔으로 이를 패터닝하여, 그래핀 소자의 밴드갭을 조절하며, 그 결과 그래핀 반도체 소자가 효과적으로 제조될 수 있다. 따라서, 종래의 실리콘 기판에서 제조된 트랜지스터 소자보다 캐리어 이동도가 상당 수준 향상된다.-
公开(公告)号：KR1020120045100A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：KR1020100106426
申请日：2010-10-29
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C01B32/194 , B01J19/121 , B82B3/0071 , C23C16/26 , C23C16/56
Abstract: PURPOSE: A method for improving graphene characteristic based on laser, a method for manufacturing graphene using the method, graphene manufactured by the method are provided to obtain graphene at low temperatures and to obtain flexible graphene elements. CONSTITUTION: Graphene grown on a substrate(101) is thermally treated by irradiating laser beam. The graphene is grown at low temperatures of 400 degrees Celsius or less. The substrate is a plastic substrate. A method for manufacturing the graphene includes the following: the laser beam is moved; a plurality of times of thermal treatment is implemented toward whole graphene region; graphene structures are re-aligned in planar hexagonal structures.
Abstract translation: 目的：提供一种基于激光改善石墨烯特性的方法，使用该方法制造石墨烯的方法，通过该方法制造的石墨烯，以在低温下获得石墨烯并获得柔性石墨烯元件。 构成：在基板（101）上生长的石墨烯通过照射激光束进行热处理。 石墨烯在400摄氏度或更低的低温下生长。 基板是塑料基板。 制造石墨烯的方法包括：激光束被移动; 对整个石墨烯区域实施多次热处理; 石墨烯结构在平面六边形结构中重新对齐。
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30.发明公开레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 및 그래핀 반도체 소자를 포함하는 그래핀 트랜지스터 失效用于制造石墨半导体器件的方法，由其制造的石墨半导体器件，包含石墨半导体器件的石墨晶体管
公开(公告)号：KR1020120029664A
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：KR1020100091600
申请日：2010-09-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/0275 , G03F7/2004 , G03F7/2022 , G03F7/7055 , H01L21/0273 , H01L29/7802
Abstract: PURPOSE: A graphene semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to economically form a graphene transistor. CONSTITUTION: Graphene(102) is formed on a substrate(101) under the oxygen atmosphere. A laser beam is irradiated to the graphene. The substrate is a SiC substrate. Carbon of the SiC substrate is evaporated by the laser beam. The graphene is pattered by irradiating the graphene with the laser beam and a graphene semiconductor device is manufactured. The patterned graphene has a nano ribbon-shape. The width of the nano ribbon is less than 10nm. Source and drain domains in which impurities are doped are formed by irradiating both ends of the graphene semiconductor device with the laser beam.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯半导体器件及其制造方法以经济地形成石墨烯晶体管。 构成：在氧气氛下的基板（101）上形成石墨烯（102）。 激光束被照射到石墨烯上。 衬底是SiC衬底。 SiC衬底的碳被激光束蒸发。 通过用激光束照射石墨烯来图示石墨烯，并制造石墨烯半导体器件。 图案化的石墨烯具有纳米带状。 纳米带的宽度小于10nm。 通过用石墨烯半导体器件的两端照射激光来形成掺杂有杂质的源极和漏极区域。
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