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公开(公告)号：WO2015115708A1
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：PCT/KR2014/006499
申请日：2014-07-17
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L27/15 , H01C7/1013 , H01L27/3225 , H01L51/5206
Abstract: 본 발명에 따른 반도제 소자는 그래핀을 포함하는 제1 단자 구조체, 제1 단자 구조체에 결합되는 발광 레이어, 발광 레이어에 결합되는 제2 단자 구조체 및 제1,2 단자 구조체 중 어느 하나의 단자 구조체에 접하는 기판을 포함하고, 상기 제1 단자 구조체는 게이트 단자, 절연체, 및 그래핀이 순서대로 적층된 구조로서 상기 그래핀은 제1 단자 구조체 및 발광 레이어 사이에 배치되는 것이 특징이다. 본 발명은 그래핀 배리스터에서 사용된 전기장 값에 따라 일함수가 변하는 그래핀의 고유의 특성을 LED 또는 OLED의 발광 장치에 적용시켜 자유로운 일함수 조절이 가능하게 하고, 그래핀 전극이 공기 중에 노출되지 않게 함으로써 시간 경과 여부에 관계없이 그래핀 전극 본연의 특성을 잘 유지할 수 있게 한다.
Abstract translation: 根据本发明的半导体元件包括：包括石墨烯的第一端子结构; 耦合到所述第一端子结构的发射层; 耦合到所述发射层的第二端子结构; 以及与所述第一和第二端子结构中的任一个接触的衬底，其中所述第一端子结构具有其中顺序地层叠栅极端子，绝缘体和石墨烯的结构，并且所述石墨烯设置在所述第一端子结构和 发射层。 本发明能够使石墨烯电极的自然特性得到良好的维持，而不管是否通过向LED或OLED的发光装置施加石墨烯的独特特征而经过时间，其中功函数 根据在石墨烯变阻器中使用的电场值而变化，从而能够使功函数自由调节，并且不将石墨烯电极暴露于空气。
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公开(公告)号：WO2018117358A1
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：PCT/KR2017/006949
申请日：2017-06-30
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템으로, 기판(100); 상기 기판 상에 적층된 복수 개의 바 형태의 제 1 전극(110); 상기 하부전극 상에 도포된 저항변화 물질층(120); 및 상기 저항변화 물질층(120) 상에 적층된 복수 개의 바 형태의 제 2 전극(130);을 포함하며, 상기 제 1 전극과 제 2 전극은 서로 교차하는 크로스바 형태인 것을 특징으로 하는 메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템이 제공된다.
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公开(公告)号：WO2022092362A1
公开(公告)日：2022-05-05
申请号：PCT/KR2020/015003
申请日：2020-10-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 강유전체를 이용한 광센서로, 기판; 싱기 기판 상에 적층된 제1형 반도체; 및 상기 제1형 반도체와 접촉하여 이종접합 구조를 형성하는 제2형 반도체를 포함하며, 상기 제1형 또는 제2형 반도체 중 적어도 어느 하나는 강유전체인 것을 특징으로하는 강유전체를 이용한 광센서가 제공된다.
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4.发明申请몰리브덴 디설파이드나노시트 제조방법, 이를 위한 박리액 및 이에 의하여 제조된 몰리브덴 디설파이드 나노시트 审中-公开制备氟硅烷纳米粒子的方法，其制备的液体及其制备的多晶纳米粒子纳米粒子
公开(公告)号：WO2015102191A1
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：PCT/KR2014/006498
申请日：2014-07-17
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C01G39/06 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/24
Abstract: 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 수산화기로 이루어진 박리 촉진제를 함유하는 유기용매에 벌크 몰리브덴 디설파이드(MoS2) 분말을 혼입하는 단계; 및 상기 혼입된 벌크 몰리브덴 디설파이드(MoS2) 분말을 초음파처리하여 몰리브덴 디설파이드(MoS2) 나노시트를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴 디설파이드(MoS2) 나노시트 제조방법이 제공된다.
Abstract translation: 提供了制备二硫化钼（MoS 2）纳米片的方法，其包括以下步骤：将本体MoS2粉末与含有碱金属或碱土金属和羟基的剥离促进剂的有机溶剂混合; 并通过超声处理混合体积MoS2粉末制备MoS2纳米片。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101947641B1
公开(公告)日：2019-02-13
申请号：KR1020170088898
申请日：2017-07-13
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 한국과학기술원
IPC: H01B13/00 , H01B13/30 , H01L31/0224 , H01L51/52
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公开(公告)号：KR102216735B1
公开(公告)日：2021-02-16
申请号：KR1020190130914
申请日：2019-10-21
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/78 , H01L23/00
Abstract: 본발명은레이저패터닝을이용한금속나노와이어기반복합전극의제조방법에관한것으로서, 특히, 희생층기판위에나노소재를이용하여나노미터단위의금속나노와이어네트워크를필름형태로형성하는금속나노와이어네트워크형성단계(이하, '제1단계'라칭함), 상기제1단계에의하여형성된상기금속나노와이어네트워크필름층이담지되도록신축성폴리머(PUA)를도포하는폴리머도포단계(이하, '제2단계'라칭함), 상기제2단계후 자외선(UV) 레이저기기를이용한소정의패터닝조사를통해상기신축성폴리머를경화시겨전극부를형성하는레이저조사단계(이하, '제3단계'라칭함) 및상기제3단계에의하여형성된전극부를상기희생층기판으로부터타겟기판으로이송시키는전극부이송단계(이하, '제4단계'라칭함)를포함함으로써, 기계적및 화학적안정성을향상시키는이점을제공한다.
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公开(公告)号：KR102073210B1
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：KR1020180079223
申请日：2018-07-09
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0328
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10.发明授权
公开(公告)号：KR101580211B1
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：KR1020140000631
申请日：2014-01-03
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C01G39/06 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/24
Abstract: 알칼리금속또는알칼리토금속과수산화기로이루어진박리촉진제를함유하는유기용매에벌크몰리브덴디설파이드(MoS2) 분말을혼입하는단계; 및상기혼입된벌크몰리브덴디설파이드(MoS2) 분말을초음파처리하여몰리브덴디설파이드(MoS2) 나노시트를제조하는단계를포함하는것을특징으로하는몰리브덴디설파이드(MoS2) 나노시트제조방법이제공된다.
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