Abstract:
PURPOSE: An apparatus which measures portable biophotonic sensor is provided to detect peak wave length in the sensor and accurately measure the concentration of antigen. CONSTITUTION: A portable biophotonic sensor comprises: a light emission unit(100) which releases light having a first line width; a biophotonic sensor(110) which an output light(P_0) is provided; a peak wave length detector(120) which detects a peak wave length having a second line width; and a light filter(140) which is arranged between biophotonic sensor and peak wave length detector. The light filter is a band pass filter which passes pack wave length.
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본 발명은 출력 광원의 파장을 변화시킬 수 있는 반도체 레이저 장치에 관한 것으로, 반도체 레이저 다이오드 및 상기 반도체 레이저 다이오드 주위에 배치된 한 개 또는 복수 개의 열원소자를 한 기판 위에 집적하고, 상기 열원소자를 이용해 상기 반도체 레이저 다이오드를 균일하게 가열하도록 구성함으로써 반도체 레이저 다이오드의 출력 파장을 용이하고 빠르게 변화시킬 수 있는 효과가 있다. 반도체 레이저 다이오드, 파장 가변, 열원소자
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본 발명은 실리콘 바이오 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 유입되는 전자 및 정공에 따라 광을 발산하되, 바이오 물질의 흡착여부에 따라 상기 광의 파장을 가변시키는 발광층; 상기 전자를 상기 발광층에 유입시키는 전자 주입층; 및 상기 정공을 상기 발광층에 유입시키는 정공 주입층을 포함하여 구성되며, 이에 의하여 실리콘 전자 소자와 집적이나 접합이 보다 용이해지도록 하면서도 대량 생산 및 저가의 바이오 센서의 제조가 가능해지도록 할 수 있다. 바이오 센서, 바이오 물질, 바이오 결합 반응, 자체 발광, 광 파장
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Titanium dioxide nanoparticles and a method for immobilizing a bio-material to the titanium dioxide are provided to enlarge an optical thickness change value generated in an antibody-antigen reaction by a resonance reflection light biosensor. Titanium dioxide nanoparticles comprise: titanium dioxide whose surface has hydroxyl groups; an aldehyde group layer introduced on the hydroxyl groups of the titanium dioxide by self-assembly; and a bio-material immobilized on the aldehyde group layer. The titanium dioxide reacts to the piranha solution to form the hydroxyl groups. The aldehyde group layer is formed by a reaction between the titanium dioxide and an aldehyde silane solution.
Abstract:
A wavelength tunable semiconductor laser apparatus is provided to change an output wavelength of the semiconductor laser diode by heating the semiconductor laser diode through one or plural heating elements around the semiconductor laser diode. A wavelength variable semiconductor laser apparatus includes a laser diode(203), a first power supply(201), a heating element(202), and a second power supply(204). The semiconductor laser diode emits the light. The power supply supplies the current to the heating element. One or more heating elements are arranged on the same substrate as the semiconductor laser diode as the heating source. The second power supply supplies the current to the semiconductor laser diode.
Abstract:
A detection kit of target bio material is provided to make the movement of peak position on the reflection/transmission spectrum enlarge and accurately measure with a small amount of sample. A kit for detecting a target bio material comprises: a grating layer on a substrate, a resonance reflection light filter; and a nanocomposite containing nanoparticle and linker. A method for detecting the target bio material comprises; a step of providing the resonance reflection light filter; a step of contacting a trapping layer of resonance reflection light filter with sample containing target bio material; and a step of contacting the nanocomposite containing a nanoparticle and linker with the target bio material.
Abstract:
A silicon biosensor for detecting a bio material is provided to easily integrate with a silicon element without separate light source and optical system. A silicon biosensor comprises a light source(110); a light detector(120) which generates light current; and a light fiber(140) which transfer light from the light source to the light detector. The light source comprises a hole doping layer(111) which is formed on the surface of upper side of the silicon substrate; a light emitting layer(112) which is formed on the surface of upper side of the hole doping layer; and electron doping layer(113) which is formed on the surface of upper side of the light emitting layer. The light detector comprises a hole doping layer(121); a thin film layer(122); and an electron doping layer(123).
Abstract:
본 발명은 빛을 발산하는 발광층, 상기 발광층에 형성된 정공 주입층, 상기 정공 주입층과 대향되도록 상기 발광층에 형성된 전자 주입층, 상기 전자 주입층에 형성된 금속 나노 점(nano dot)을 포함하는 금속층, 및 상기 금속층에 형성된 투명 전도성 전극을 포함하는 실리콘 나노 점을 이용한 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 상기 발광층으로 실리콘 나노 점을 포함하는 비정질의 실리콘 나이트라이드를 포함한다. 실리콘 나노 점, 반도체 발광 소자, 금속층, 투명 전도성 전극