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公开(公告)号：KR101642131B1
公开(公告)日：2016-07-22
申请号：KR1020140175928
申请日：2014-12-09
Applicant: 한국기계연구원
IPC: H01L21/205 , H01L21/335
Abstract: 본발명의일 실시예에따른양자점트랜지스터의제조방법은전극기판을형성하는단계, 상기전극기판위에양자점을포함하는양자점용액을도포하여양자점층을형성하는단계, 상기양자점층위에원자층증착법으로원자층을증착하여상기양자점층의특성을변화시키는단계를포함하고, 상기원자층은비정질알루미나(AlO)를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101729702B1
公开(公告)日：2017-04-24
申请号：KR1020160101796
申请日：2016-08-10
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본발명의일 실시예에따르면, 입체배열구조를갖는신축성에너지저장소자로서, 평면상에서가로및 세로방향으로소정간격마다배치된복수개의에너지저장셀; 및상기복수개의저장셀 중서로이웃하는저장셀을전기적으로연결하는복수개의상호연결부;를포함하고, 상기복수개의저장셀 중임의의제1 저장셀은, 세로방향으로이웃하는제2 저장셀 및가로방향으로이웃하는제3 저장셀과각각제1 상호연결부및 제2 상호연결부에의해전기적으로연결되고, 상기제2 및제3 저장셀의각각의일부가상기제1 저장셀 위로오버랩됨으로써상기에너지저장소자가수축가능한것을특징으로하는신축성에너지저장소자가제공된다.
Abstract translation: 在根据本发明的一个实施例，提供了一种具有弹性的三维阵列结构中，水平平面和多个布置在所述纵向方向上以一定间隔能量存储单元的能量存储装置; 第二存储单元，并且包括所述多个存储单元作为的第一存储单元是在长度方向上相邻;和所述多个互连件，其电连接到相邻的存储单元多个存储单元中西部 其中，第二和第三存储单元中的每一个通过第一互连和第二互连电连接到在横向方向上相邻的第三存储单元， 提供了能够收缩的弹性储能器。
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公开(公告)号：KR101738659B1
公开(公告)日：2017-05-23
申请号：KR1020160134477
申请日：2016-10-17
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 개시된마스크리스패터닝방법은, 제1 베이스기판의제1 접촉면상에잉크패턴을형성하는단계, 상기잉크패턴및 상기제1 베이스기판을커버하는금속필름을형성하는단계, 상기금속필름상에, 상기금속필름과접촉하는제2 접촉면을갖는접촉기판을제공하는단계, 상기접촉기판또는상기제1 베이스기판을가압하는단계및 상기접촉기판과상기제1 베이스기판을분리하여, 상기잉크패턴및 상기잉크패턴과상기접촉기판사이에배치되는금속필름을상기접촉기판에부착함으로써, 상기제1 베이스기판상에금속음각패턴을형성하고, 상기접촉기판상에금속양각패턴을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开的无掩模图案形成方法包括：在表面上形成的印刷图案的基底基板的第一接触的第一步骤，其中形成油墨图案和覆盖的金属膜，所述第一基板，在该金属膜，其中 通过分离的步骤：提供具有与所述金属膜，按压触摸基底或第一基底基板与接触基板和所述第一基底基板的工序，和将油墨图案和油墨接触的第二接触表面的接触板 通过附着的金属膜将被设置在图案并与所述接触板接触的基材之间，形成在第一基底基板上形成金属雕刻图案，以及形成在接触板的金属压花图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101721493B1
公开(公告)日：2017-03-31
申请号：KR1020150164424
申请日：2015-11-24
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본발명은 a) 식물성유기물을탄화하여탄화물을제조하는단계; 및 b) 상기탄화물을금속산화물과혼합한후 활성화하는단계;를포함하는활성탄의제조방법및 이로부터제조된활성탄에관한것이다.
Abstract translation: 本发明提供了一种生产碳化物的方法，包括：a）碳化植物有机材料以生产碳化物; 和b）将碳化物与金属氧化物混合，然后活化活性炭。本发明还涉及由其生产的活性炭。
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公开(公告)号：KR101527731B1
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020130160540
申请日：2013-12-20
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본발명은이차전지제조방법에관한것으로본 발명의일 실시예에따르면, 3차원구조의이차전지를제조하는방법에있어서, 양극활물질슬러리를패터닝된제1 스탬프에도포하는단계; 상기제1 스탬프를기판에스탬핑하는단계; 및상기기판을소결하는단계;를포함하는것을특징으로하는이차전지제조방법및 이방법에의해제조된이차전지가제공된다.
Abstract translation: 在本发明中，提供了通过该方法制造的二次电池和二次电池的制造方法。 根据本发明的实施例，具有三维结构的二次电池的制造方法包括以下步骤：用正极活性物质浆料涂覆图案化的第一印模; 在基板上冲压第一印章; 并烧结基板。
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27.发明授权신축가능한 에너지 저장소자용 전극 구조물의 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 전극 구조물 및 이를 포함하는 에너지 저장소자 有权用于生产用于能量储存装置的可拉伸电极结构的方法，通过该方法产生的电极结构和具有电极结构的能量存储装置
公开(公告)号：KR101502080B1
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：KR1020140052236
申请日：2014-04-30
Applicant: 한국기계연구원
CPC classification number: H01M4/668 , H01G11/22 , H01G11/26 , H01G11/36 , H01G11/54 , H01G11/86 , H01M4/04 , H01M4/0404 , H01M4/139 , H01M4/66 , H01M4/663 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M10/0525 , H01M2220/30
Abstract: 본 발명의 실시예에 따르면, 에너지 저장소자용 전극 구조물의 제조방법에 있어서, 제1 표면에 제1 요철 패턴을 갖는 고분자 기판을 형성하는 단계; 상기 고분자 기판에 인장력을 인가한 상태에서 상기 제1 요철 패턴 위에 전극 활물질층을 형성하는 단계; 및 상기 인장력을 제거하여 상기 고분자 기판 및 상기 전극 활물질층에 제2 요철 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 저장소자용 전극 구조물 제조방법이 제공된다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例，提供一种用于生产用于储能装置的电极结构的方法，包括：在第一表面上形成具有第一凹凸图案的聚合物基板的步骤; 在对所述聚合物基板施加张力的状态下，在所述第一凹凸图案上形成电极活性物质层的工序; 以及通过去除张力在聚合物基板和电极活性材料层上形成第二不均匀图案的步骤。
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公开(公告)号：KR101492588B1
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：KR1020140146115
申请日：2014-10-27
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 개시된 섬유상 전기 이중층 커패시터의 제조방법에 따르면, 섬유 형태를 갖는 제1 전극과 제2 전극 사이에 전해질층을 제공한다. 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 전해질층을 둘러싸도록 피복 조성물을 코팅하여, 필라멘트 유닛을 형성한다. 상기 필라멘트 유닛과 희생 필라멘트를 와인딩하여 꼬임 유닛을 형성한다. 상기 필라멘트 유닛의 절연층을 경화한다. 상기 희생 필라멘트를 제거한다. 제조된 전기 이중층 커패시터는 신축성이 개선된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种纤维状双电层电容器及其制造方法。 根据所公开的纤维状双电层电容器的制造方法，本发明提供了在纤维状的第一和第二电极之间的电解质层。 通过涂覆涂料组合物以包围第一和第二电极和电解质层形成丝单元。 通过缠绕丝单元和牺牲丝来形成扭转单元。 灯丝单元的绝缘层硬化。 去除牺牲丝。 制造的双电层电容器提高弹性。
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公开(公告)号：KR101447238B1
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020140075962
申请日：2014-06-20
Applicant: 한국기계연구원
CPC classification number: C08J7/06 , B05D1/005 , B05D1/02 , B05D1/18 , B82B3/00 , B82Y10/00 , C08J2323/06 , C08J2323/12 , C08J2367/00 , C08J2367/02 , C08J2375/04 , C08J2377/00 , C08J2379/08 , C08J2383/04 , H01L31/00 , H01L31/035218
Abstract: Disclosed method for forming a quantum dot thin film comprises the steps of: providing a tensile force to a substrate and stretching the substrate; forming a quantum dot thin film by coating quantum dot particles on the substrate; exchanging ligands of the quantum dot particles; and removing the tensile force of the substrate. The method can reduce cracks of the quantum dot thin film.
Abstract translation: 公开的形成量子点薄膜的方法包括以下步骤：向基片提供张力并拉伸基片; 通过在基板上涂覆量子点粒子来形成量子点薄膜; 交换量子点粒子的配体; 并去除衬底的拉力。 该方法可以减少量子点薄膜的裂纹。
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