InP 양자점 제조를 위한 전구체 P(SiMe2-tert-Bu)3, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 InP 양자점과 이의 제조방법
    21.
    发明授权
    InP 양자점 제조를 위한 전구체 P(SiMe2-tert-Bu)3, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 InP 양자점과 이의 제조방법 有权
    前置式P(SIME2-TERT-BU)3,用于INP量子点,其准备方法,包含P(SIME2-TERT-BU)3的INP量子点及其制备方法

    公开(公告)号:KR101043311B1

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:KR1020100105960

    申请日:2010-10-28

    Abstract: PURPOSE: A method for preparing precursor P(SiMe_2-tert-Bu)_3 for producing InP quantum dot is provided to form InP quantum dot having strong binding power and to ensure excellent luminous efficiency. CONSTITUTION: A method for preparing P(SiMe_2-tert-Bu)_3 comprises: a step of preparing Na/K alloy; a step of adding dimethoxyethane and red phosphorus to the Na/K alloy and heating; a step of adding tertbutyldimethylchlorosilane dissolved by dimethoxyethane into the heated solution and heating; a step of extracting P(SiMe_2-tert-Bu)_3 from the mixture solution. An InP quantum dot contains the precursor P(SiMe_2-tert-Bu)_3.

    Abstract translation: 目的:制备用于制备InP量子点的前体P(SiMe_2-tert-Bu)_3的方法,以形成具有强结合力的InP量子点并确保优异的发光效率。 构成:制备P(SiMe_2-tert-Bu)_3的方法包括:制备Na / K合金的步骤; 向Na / K合金中加入二甲氧基乙烷和红磷并加热的步骤; 将由二甲氧基乙烷溶解的叔丁基二甲基氯硅烷加入到加热溶液中并加热的步骤; 从混合溶液中提取P(SiMe_2-tert-Bu)_3的步骤。 InP量子点包含前体P(SiMe_2-tert-Bu)_3。

    나노결정 양자점을 이용한 자외선 검출기
    22.
    发明授权
    나노결정 양자점을 이용한 자외선 검출기 有权
    超声波检测装置使用纳米级量子点

    公开(公告)号:KR100988645B1

    公开(公告)日:2010-10-18

    申请号:KR1020080100227

    申请日:2008-10-13

    CPC classification number: G01J1/429 G01J1/50 G01J2001/4266

    Abstract: 본 발명에 따른 자외선 검출기는 자외선을 용이하게 검출할 수 있도록 나노결정 양자점을 포함하며 자외선의 조사로 색상이 변화하는 색변환부와, 상기 색변환부와 인접하게 배치되며 색상을 갖고 자외선의 조사에 의하여 색상이 변화하지 않는 색불변부를 포함한다.
    자외선, 나노결정, 양자점, 색변환부, 색불변부

    전자 전달 기능을 갖는 양자점 및 그 제조 방법
    23.
    发明授权
    전자 전달 기능을 갖는 양자점 및 그 제조 방법 有权
    具有改进的电子传输性能的量子点及其制造方法

    公开(公告)号:KR100971197B1

    公开(公告)日:2010-07-20

    申请号:KR1020080094866

    申请日:2008-09-26

    Abstract: 본 발명은 광소자의 에너지 변환층으로 이용되는 양자점을 구성하는 부유성 유기물을 도전성 분자로 치환함으로써, 전자 전달 능력을 향상시켜 발광 또는 광전 효율을 높일 수 있는 전자 전달 기능을 갖는 양자점 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
    이를 위한 본 발명의 전자 전달 기능을 갖는 양자점은 전자-정공의 재결합에 의해 빛을 발산하거나 외부로부터 입사되는 에너지를 전기적 에너지로 변환하여 전달하는 발광소자 및 광전소자를 포함하는 광소자의 에너지 변환층으로 이용되는 양자점에 있어서, 상기 양자점이 반도체 물질로 구성되는 코어와, 상기 코어의 둘레에 흡착되며 부도성 유기물에서 치환된 도전성 분자로 이루어진 것이다.
    또한 본 발명의 개선된 전자 전달 기능을 갖는 양자점 제조 방법은, 전자-정공의 재결합에 의해 빛을 발산하거나 외부로부터 입사되는 에너지를 전기적 에너지로 변환하여 전달하는 발광소자 및 광전소자를 포함하는 광소자의 에너지 변환층으로 이용되는 양자점 제조 방법에 있어서, 상기 양자점을 구성하는 코어 둘레에 흡착된 부도성 유기물을 도전성 분자로 치환시키는 것이다.
    양자점, 코어, 부도성 유기물, 도전성 분자, 치환

    나노입자의 종횡비에 따른 분리장치 및 이를 이용한 분리방법
    24.
    发明授权
    나노입자의 종횡비에 따른 분리장치 및 이를 이용한 분리방법 有权
    根据纳米粒子的长宽比的分离装置和使用其的分离方法

    公开(公告)号:KR101752804B1

    公开(公告)日:2017-06-30

    申请号:KR1020150058129

    申请日:2015-04-24

    Abstract: 본발명은나노입자분산액으로부터나노입자를종횡비에따라보다간편하고신속하게분리할수 있는나노입자의종횡비에따른분리장치및 이를이용한분리방법이개시된다. 본발명은일측에나노입자분산액이유입되는유입구가형성되고, 타측에나노입자가수거된나노입자분산액이배출되는배출구가형성되며, 내부에반응공간을형성하는챔버와, 상기챔버의내부에적어도하나이상설치되는전극과, 상기전극에음의전압또는양의전압을인가하는전원부와, 상기챔버로공급될나노입자분산액에비용매(nonsolvent)를혼합시키는공급부를포함하는나노입자의종횡비에따른분리장치및 이를이용한나노입자의종횡비에따른분리방법에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明更方便,这取决于从银纳米颗粒分散体和根据可以分离和分开使用相同的方法在纳米颗粒的纵横比快速释放机构的纳米粒子的纵横比中公开。 本发明是入口,通过该纳米颗粒分散体流入一侧形成,且形成该纳米颗粒被收集纳米粒子分散到另一个出口的排出口,并且该腔室以在其中形成一个反应室,所述腔室的至少内部 根据纳米颗粒包括设置在至少一个电极的纵横比,以及用于将电压施加或正电压负向电极的电源,非溶剂(非溶剂)混合到所述纳米颗粒分散体的供给将被供应到所述腔室 并且根据使用其的纳米颗粒的长宽比的分离方法。

    자외선 검출기
    25.
    发明公开
    자외선 검출기 审中-实审
    紫外线检测器

    公开(公告)号:KR1020160099995A

    公开(公告)日:2016-08-23

    申请号:KR1020150022402

    申请日:2015-02-13

    CPC classification number: G01J1/42 G01J1/429

    Abstract: 본발명의한 실시예에따른자외선검출기는자외선이입사되는광 필터부, 광필터부를통과한자외선을가시광으로변환시키는파장변환부, 가시광의광량을측정하기위한광전변환부를포함하고, 광필터부는복수의나노홀을가지는금속층으로이루어진다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个实施例,一种紫外线检测器包括:照射紫外线的滤光单元; 波长转换单元,其将通过所述滤光单元的紫外线转换为可见光; 以及光电转换单元,其测量可见光的辐射强度。 滤光单元由具有多个纳米孔的金属层构成。 因此,本发明能够提高紫外线测定的分辨率,能够定量地测定紫外线。

    양자점 트랜지스터의 제조 방법
    26.
    发明公开
    양자점 트랜지스터의 제조 방법 有权
    量子晶体管的制造方法

    公开(公告)号:KR1020160069829A

    公开(公告)日:2016-06-17

    申请号:KR1020140175928

    申请日:2014-12-09

    CPC classification number: H01L21/205

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른양자점트랜지스터의제조방법은전극기판을형성하는단계, 상기전극기판위에양자점을포함하는양자점용액을도포하여양자점층을형성하는단계, 상기양자점층위에원자층증착법으로원자층을증착하여상기양자점층의특성을변화시키는단계를포함하고, 상기원자층은비정질알루미나(AlO)를포함할수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明的实施例,量子点晶体管的制造方法包括以下步骤:形成电极基板; 通过在电极基板上喷射包含量子点的量子点溶液来形成量子点层; 并通过原子层沉积法在量子点层上沉积原子层以改变量子点层的特性。 原子层可以包括无定形氧化铝(Al_2O_3)。

    페로브스카이트 태양전지
    27.
    发明授权
    페로브스카이트 태양전지 有权
    PEROVSKITE太阳能电池

    公开(公告)号:KR101629729B1

    公开(公告)日:2016-06-13

    申请号:KR1020150126161

    申请日:2015-09-07

    Abstract: 개시된페로브스카이트태양전지는, 광전발생부및 전기장발생부를포함한다. 상기광전발생부는, 투명전극, 상기투명전극과이격된반대전극및 상기투명전극과상기반대전극사이에배치되며, 페로브스카이트화합물을포함하는광흡수층을포함한다. 상기전기장발생부는, 상기광전발생부에전기적으로연결되어상기광전발생부에의해충전되며, 전기장을발생시켜상기광흡수층내의전하농도구배를유도한다. 따라서, 태양전지의광전압및 광전류를증가시킬수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明,公开了包括光电发生单元和电场产生单元的钙钛矿太阳能电池。 光电发生单元包括:透明电极; 远离透明电极的相对电极; 以及布置在透明电极和相对电极之间的光吸收层,并且包括光电化合物。 电场产生单元电连接到光电发生单元以由光电发生单元充电,并产生电场以诱导光吸收层内的电荷浓度梯度。 因此,可以提高太阳能电池的光电压和光电流。

    그래핀 나노메쉬의 제조 방법
    28.
    发明授权
    그래핀 나노메쉬의 제조 방법 有权
    石墨纳米颗粒的制备方法

    公开(公告)号:KR101623580B1

    公开(公告)日:2016-05-23

    申请号:KR1020140083092

    申请日:2014-07-03

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른그래핀나노메쉬의제조방법은도트렌즈마스크를제조하는단계, 기판위에그래핀및 감광막을차례로형성하는단계, 상기도트렌즈마스크를이용하여상기감광막을노광시켜상기감광막에도트패턴을형성하는단계, 상기감광막의도트패턴을이용하여식각공정을진행하여상기그래핀에나노메쉬를형성하는단계를포함할수 있다.

    압력 센서 및 그 제조 방법
    29.
    发明公开
    압력 센서 및 그 제조 방법 有权
    压力传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150059452A

    公开(公告)日:2015-06-01

    申请号:KR1020130143067

    申请日:2013-11-22

    CPC classification number: G01L9/02 H01L29/84 H01L51/0048

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른압력센서는도전성다공체, 상기도전성다공체의양면에각각부착되어있는제1 전극및 제2 전극, 상기제1 전극및 제2 전극에연결되어있는저항측정부를포함할수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明实施例的压力传感器包括:导电多孔体; 第一和第二电极,附着在导电多孔体的两个表面上; 以及连接到第一和第二电极的电阻测量单元。

    양자점과 그의 제조방법
    30.
    发明授权
    양자점과 그의 제조방법 有权
    量子点及其制造方法

    公开(公告)号:KR101486529B1

    公开(公告)日:2015-01-26

    申请号:KR1020130037720

    申请日:2013-04-05

    Abstract: 본 발명은 양자점 코어를 합금형으로 제조하고, 적어도 하나의 껍질층을 형성하여 안정성 및 양자 효율을 높이므로 고발광 효율과 선명도를 가지는 등의 효과를 갖는 양자점과 그의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 양자점과 그의 제조방법은 다성분계의 합금형 구조의 코어와 코어의 표면에 형성된 적어도 하나의 껍질층으로 구성된 나노 입자이되, 코어의 크기는 1 내지 10㎚이고, 나노 입자의 크기는 2 내지 25㎚이며, 건식 배치 방법으로 합성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 합금형의 양자점 코어를 합성하는 제1단계와 합성된 양자점 코어 위에 적어도 하나의 껍질층을 형성하는 제2단계 및 제2단계에서 형성된 코어/껍질층 구조의 양자점을 분산하고, 부반응물과 분리하여 최종 형태의 양자점을 수득하는 제3단계를 포함하는 양자점의 제조방법인 것을 특징으로 한다.

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