Abstract:
PURPOSE: A method for preparing precursor P(SiMe_2-tert-Bu)_3 for producing InP quantum dot is provided to form InP quantum dot having strong binding power and to ensure excellent luminous efficiency. CONSTITUTION: A method for preparing P(SiMe_2-tert-Bu)_3 comprises: a step of preparing Na/K alloy; a step of adding dimethoxyethane and red phosphorus to the Na/K alloy and heating; a step of adding tertbutyldimethylchlorosilane dissolved by dimethoxyethane into the heated solution and heating; a step of extracting P(SiMe_2-tert-Bu)_3 from the mixture solution. An InP quantum dot contains the precursor P(SiMe_2-tert-Bu)_3.
Abstract:
본 발명에 따른 자외선 검출기는 자외선을 용이하게 검출할 수 있도록 나노결정 양자점을 포함하며 자외선의 조사로 색상이 변화하는 색변환부와, 상기 색변환부와 인접하게 배치되며 색상을 갖고 자외선의 조사에 의하여 색상이 변화하지 않는 색불변부를 포함한다. 자외선, 나노결정, 양자점, 색변환부, 색불변부
Abstract:
본 발명은 광소자의 에너지 변환층으로 이용되는 양자점을 구성하는 부유성 유기물을 도전성 분자로 치환함으로써, 전자 전달 능력을 향상시켜 발광 또는 광전 효율을 높일 수 있는 전자 전달 기능을 갖는 양자점 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 전자 전달 기능을 갖는 양자점은 전자-정공의 재결합에 의해 빛을 발산하거나 외부로부터 입사되는 에너지를 전기적 에너지로 변환하여 전달하는 발광소자 및 광전소자를 포함하는 광소자의 에너지 변환층으로 이용되는 양자점에 있어서, 상기 양자점이 반도체 물질로 구성되는 코어와, 상기 코어의 둘레에 흡착되며 부도성 유기물에서 치환된 도전성 분자로 이루어진 것이다. 또한 본 발명의 개선된 전자 전달 기능을 갖는 양자점 제조 방법은, 전자-정공의 재결합에 의해 빛을 발산하거나 외부로부터 입사되는 에너지를 전기적 에너지로 변환하여 전달하는 발광소자 및 광전소자를 포함하는 광소자의 에너지 변환층으로 이용되는 양자점 제조 방법에 있어서, 상기 양자점을 구성하는 코어 둘레에 흡착된 부도성 유기물을 도전성 분자로 치환시키는 것이다. 양자점, 코어, 부도성 유기물, 도전성 분자, 치환
Abstract:
본 발명은 양자점 코어를 합금형으로 제조하고, 적어도 하나의 껍질층을 형성하여 안정성 및 양자 효율을 높이므로 고발광 효율과 선명도를 가지는 등의 효과를 갖는 양자점과 그의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 양자점과 그의 제조방법은 다성분계의 합금형 구조의 코어와 코어의 표면에 형성된 적어도 하나의 껍질층으로 구성된 나노 입자이되, 코어의 크기는 1 내지 10㎚이고, 나노 입자의 크기는 2 내지 25㎚이며, 건식 배치 방법으로 합성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 합금형의 양자점 코어를 합성하는 제1단계와 합성된 양자점 코어 위에 적어도 하나의 껍질층을 형성하는 제2단계 및 제2단계에서 형성된 코어/껍질층 구조의 양자점을 분산하고, 부반응물과 분리하여 최종 형태의 양자점을 수득하는 제3단계를 포함하는 양자점의 제조방법인 것을 특징으로 한다.