양자점과 그의 제조방법
    1.
    发明公开
    양자점과 그의 제조방법 有权
    量子点及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020140121217A

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:KR1020130037720

    申请日:2013-04-05

    Abstract: 본 발명은 양자점 코어를 합금형으로 제조하고, 적어도 하나의 껍질층을 형성하여 안정성 및 양자 효율을 높이므로 고발광 효율과 선명도를 가지는 등의 효과를 갖는 양자점과 그의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 양자점과 그의 제조방법은 다성분계의 합금형 구조의 코어와 코어의 표면에 형성된 적어도 하나의 껍질층으로 구성된 나노 입자이되, 코어의 크기는 1 내지 10㎚이고, 나노 입자의 크기는 2 내지 25㎚이며, 건식 배치 방법으로 합성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 합금형의 양자점 코어를 합성하는 제1단계와 합성된 양자점 코어 위에 적어도 하나의 껍질층을 형성하는 제2단계 및 제2단계에서 형성된 코어/껍질층 구조의 양자점을 분산하고, 부반응물과 분리하여 최종 형태의 양자점을 수득하는 제3단계를 포함하는 양자점의 제조방법인 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种量子点及其制造方法,其具有通过以合金种类制造量子点芯而具有高发光效率和分辨率的效果,并且形成至少一个壳以提高稳定性和量子效率。 根据本发明,量子点及其制造方法的特征在于由具有多组分的合金结构芯和在芯的表面上形成的至少一个壳组成的纳米颗粒,其中芯的尺寸为 1-10nm,纳米颗粒的尺寸为2-25nm,以干式方法制造。 此外,量子点的制造方法包括:合成型量子点核的第一步骤; 在合成量子点核上形成至少一个壳的第二步骤; 以及分配在第二步骤中形成的具有核/壳结构的量子点并与副产物分离以获得最终量子点形式的第三步骤。

    양자점 제조 장치 및 그를 이용한 양자점 제조 방법
    2.
    发明授权
    양자점 제조 장치 및 그를 이용한 양자점 제조 방법 有权
    量子点的制造装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101299713B1

    公开(公告)日:2013-08-26

    申请号:KR1020110085373

    申请日:2011-08-25

    Inventor: 한창수 김경남

    Abstract: 본 발명에 따른 양자점 제조 장치는 제1 믹서와 제2 믹서, 제1 믹서와 제2 믹서의 일단이 각각 연결되어 있는 제1 튜브 및 제2 튜브, 제1 튜브 및 제2 튜브의 타단과 연결되어 있는 제3 믹서, 제3 믹서와 일단이 연결되어 있는 제3 튜브, 제1 튜브, 제2 튜브 및 제3 튜브와 각각 연결되어 유량을 제어하는 제1 펌프, 제2 펌프 및 제3 펌프, 제1 튜브 및 제3 튜브를 각각 가열하는 제1 가열로 및 제2 가열로를 포함한다.

    양자점 제조장치
    3.
    发明授权
    양자점 제조장치 有权
    用于制造量子的装置

    公开(公告)号:KR101295543B1

    公开(公告)日:2013-08-09

    申请号:KR1020130030570

    申请日:2013-03-21

    Abstract: PURPOSE: A quantum dot manufacturing device is provided to produce quality quantum dot nano particles in bulk because the device is easily used in the quantum dot synthesis and is easy to control. CONSTITUTION: A quantum dot manufacturing device (10) includes a reaction bath (100), a heating device (200), a stirring device (400), a precursor supply part (300), and an operating panel. The reaction bath has a reaction space charging solvent inside the bath and is made from transparent materials to observe the inside. The heating device is placed outside of the reaction bath to heat the reaction bath. The precursor supply part contains an accommodating chamber (310) full of precursors, an injection nozzle (320) supplying the precursors of the accommodating chamber to the reaction bath, and a valve opening and shutting a connection area of the accommodating chamber and the injection nozzle. The stirring device has an impeller (410) rotating inside the reaction bath to stir the injected precursors and the solvent inside the reaction bath. The operating panel controls the overall operation of the heating device, the valve, and the stirring device.

    Abstract translation: 目的:提供量子点制造装置,以量产质量子点纳米颗粒为原料,因为该装置易于用于量子点合成并易于控制。 构成:量子点制造装置(10)包括反应槽(100),加热装置(200),搅拌装置(400),前体供给部(300)和操作面板。 反应槽内有一个反应空间,在溶液中加入溶剂,由透明材料制成,以观察其内部。 将加热装置放置在反应槽的外部以加热反应槽。 前体供给部分包含充满前体的容纳室(310),将容纳室的前体供应到反应槽的喷嘴(320),以及关闭容纳室和喷嘴的连接区域 。 搅拌装置具有在反应槽内旋转的叶轮(410),以搅拌注入的前体和反应槽内的溶剂。 操作面板控制加热装置,阀门和搅拌装置的整体操作。

    양자점 포함하는 파장변환용 나노복합체 및 이의 제조방법
    4.
    发明授权
    양자점 포함하는 파장변환용 나노복합체 및 이의 제조방법 有权
    具有用于波长移位器的量子点的纳米复合体及其制备方法

    公开(公告)号:KR101294996B1

    公开(公告)日:2013-08-09

    申请号:KR1020100128455

    申请日:2010-12-15

    Abstract: 본 발명은 양자점(QDs)을 포함하는 나노복합체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 고온의 어닐링 처리를 실시함으로써 광안정성 및 발광효과가 향상되고 비가역 특성을 갖는 양자점(QDs)을 포함하는 나노복합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 양자점 및 형광체를 포함하는 LED 및 이의 제조방법은 PL 강도가 크게 향상되고, 비가역 특성을 가지며 양자점, 형광체 및 고분자(phosphor)를 첨가하여 색변환 물질로 제조하여 백색 LED에 적용함으로써, 블루광에서 백색광으로의 변환과 백색 LED의 성능이, 더욱 효과적인 연색성(color rendering)과 발광(luminance)효과가 우수한 본 발명에 따른 양자점 및 형광체를 포함하는 LED 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

    결빙 방지용 복합형 분사 노즐
    6.
    发明公开
    결빙 방지용 복합형 분사 노즐 有权
    复合表面注射喷嘴冷冻预防

    公开(公告)号:KR1020110007879A

    公开(公告)日:2011-01-25

    申请号:KR1020090065546

    申请日:2009-07-17

    CPC classification number: Y02T10/32 F02M61/18 F02M21/02 F02M53/04 F02M61/16

    Abstract: PURPOSE: A composite injection nozzle for freezing prevention is provided to increase engine efficiency since one outer end of a conductive and one end of an insulating pipe are not formed on the same line and thus freezing does not occur on an injection nozzle. CONSTITUTION: A composite injection nozzle for freezing prevention comprises an insulating pipe(10) and a conductive pipe(20). When LPG fuel is supplied through an injector, the insulating pipe prevents the heat due to the engine operation from becoming transferred and maintains the LPG fuel in a liquid state. The conductive pipe comprises a through hole(21) in a longitudinal direction so that the insulating pipe is coupled to the inside of the conductive pipe. The conductive pipe comprises a concave groove(26) on an outer surface, to which the LPG fuel is sprayed, to be communicated with the through hole. The intake air of the engine is again circulated on the concave groove and the moisture is not applied and thus freezing does not occur.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于防止冻结的复合喷嘴,以提高发动机效率,因为绝缘管的导电和一端的一个外端未形成在同一线上,因此在喷嘴上不会发生冷冻。 构成:用于防冻的复合喷嘴包括绝缘管(10)和导电管(20)。 当通过喷射器供应LPG燃料时,绝缘管阻止由发动机运转引起的热量转移,并保持LPG燃料处于液态。 导电管在纵向上包括通孔(21),使得绝缘管连接到导电管的内部。 导电管包括在外表面上的与所述通孔连通的LPG燃料喷射的凹槽(26)。 发动机的进气再次在凹槽中循环,并且不施加水分,因此不会发生冷冻。

    양자점 제조 장치 및 그를 이용한 양자점 제조 방법
    7.
    发明公开
    양자점 제조 장치 및 그를 이용한 양자점 제조 방법 有权
    量子点的制造装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130022640A

    公开(公告)日:2013-03-07

    申请号:KR1020110085373

    申请日:2011-08-25

    Inventor: 한창수 김경남

    CPC classification number: B01J19/0013 B82B3/00 C01B25/08 C01G9/08

    Abstract: PURPOSE: Quantum dot manufacturing apparatus and method are provided to increase the production capacity of uniform quantum dots by producing the quantum dots continuously while passing through a tube in a small quantity. CONSTITUTION: A quantum dot manufacturing device comprises a first mixer(100), a first tube(102), a second mixer(200), a second tube(202), a third mixer(300), a third tube(302), a first pump(104), a second pump(204), a third pump(304), a first heating furnace(106), and a third heating furnace(306). The first and second tubes are connected to one ends of the first and second mixers, respectively. The third mixer is connected to the other ends of the first and second tubes. The third tube is connected to the end of the third mixer. The first pump, the second pump, and the third pump control the flow rate, and are respectively connected to the first tube, the second tube, and the third tube. The first heating furnace and the second heating furnace individually heat the first tube and the third tube.

    Abstract translation: 目的:提供量子点制造装置和方法,以通过少量通过管道连续地产生量子点来增加均匀量子点的生产能力。 构造:量子点制造装置包括第一混合器(100),第一管(102),第二混合器(200),第二管(202),第三混合器(300),第三管(302) 第一泵(104),第二泵(204),第三泵(304),第一加热炉(106)和第三加热炉(306)。 第一和第二管分别连接到第一和第二混合器的一端。 第三混合器连接到第一和第二管的另一端。 第三管连接到第三混合器的末端。 第一泵,第二泵和第三泵控制流量,分别连接到第一管,第二管和第三管。 第一加热炉和第二加热炉分别加热第一管和第三管。

    InP 양자점 제조를 위한 전구체 P(SiMe2-tert-Bu)3, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 InP 양자점과 이의 제조방법
    8.
    发明授权
    InP 양자점 제조를 위한 전구체 P(SiMe2-tert-Bu)3, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 InP 양자점과 이의 제조방법 有权
    前置式P(SIME2-TERT-BU)3,用于INP量子点,其准备方法,包含P(SIME2-TERT-BU)3的INP量子点及其制备方法

    公开(公告)号:KR101043311B1

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:KR1020100105960

    申请日:2010-10-28

    Abstract: PURPOSE: A method for preparing precursor P(SiMe_2-tert-Bu)_3 for producing InP quantum dot is provided to form InP quantum dot having strong binding power and to ensure excellent luminous efficiency. CONSTITUTION: A method for preparing P(SiMe_2-tert-Bu)_3 comprises: a step of preparing Na/K alloy; a step of adding dimethoxyethane and red phosphorus to the Na/K alloy and heating; a step of adding tertbutyldimethylchlorosilane dissolved by dimethoxyethane into the heated solution and heating; a step of extracting P(SiMe_2-tert-Bu)_3 from the mixture solution. An InP quantum dot contains the precursor P(SiMe_2-tert-Bu)_3.

    Abstract translation: 目的:制备用于制备InP量子点的前体P(SiMe_2-tert-Bu)_3的方法,以形成具有强结合力的InP量子点并确保优异的发光效率。 构成:制备P(SiMe_2-tert-Bu)_3的方法包括:制备Na / K合金的步骤; 向Na / K合金中加入二甲氧基乙烷和红磷并加热的步骤; 将由二甲氧基乙烷溶解的叔丁基二甲基氯硅烷加入到加热溶液中并加热的步骤; 从混合溶液中提取P(SiMe_2-tert-Bu)_3的步骤。 InP量子点包含前体P(SiMe_2-tert-Bu)_3。

    양자점과 그의 제조방법
    9.
    发明授权
    양자점과 그의 제조방법 有权
    量子点及其制造方法

    公开(公告)号:KR101486529B1

    公开(公告)日:2015-01-26

    申请号:KR1020130037720

    申请日:2013-04-05

    Abstract: 본 발명은 양자점 코어를 합금형으로 제조하고, 적어도 하나의 껍질층을 형성하여 안정성 및 양자 효율을 높이므로 고발광 효율과 선명도를 가지는 등의 효과를 갖는 양자점과 그의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 양자점과 그의 제조방법은 다성분계의 합금형 구조의 코어와 코어의 표면에 형성된 적어도 하나의 껍질층으로 구성된 나노 입자이되, 코어의 크기는 1 내지 10㎚이고, 나노 입자의 크기는 2 내지 25㎚이며, 건식 배치 방법으로 합성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 합금형의 양자점 코어를 합성하는 제1단계와 합성된 양자점 코어 위에 적어도 하나의 껍질층을 형성하는 제2단계 및 제2단계에서 형성된 코어/껍질층 구조의 양자점을 분산하고, 부반응물과 분리하여 최종 형태의 양자점을 수득하는 제3단계를 포함하는 양자점의 제조방법인 것을 특징으로 한다.

    양자점 및 그 제조 방법
    10.
    发明公开
    양자점 및 그 제조 방법 有权
    量子点及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130022639A

    公开(公告)日:2013-03-07

    申请号:KR1020110085372

    申请日:2011-08-25

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for a quantum dot is provided to provide a quantum dot with excellent photo stability and chemical stability without any change in wavelength. CONSTITUTION: A quantum dot comprises: a core which is formed of InP; and a second shell layer which surrounds the first shell layer. The band gap of the second shell layer is smaller than the band gap of the first shell layer. A manufacturing method for the quantum dot comprises a step of manufacturing InP nanocrystals by mixing a first indium solution and a first phosphorous solution; a step of forming nanocrystals which have the first shell layer surrounding the InP nanocrystals by mixing the first indium solution and first phosphorous solution; and a step of forming nanocrystals which have the second shell layer surrounding the first shell layer by putting ZnSe precursor solution into the solution. [Reference numerals] (AA) PL intensity; (BB) Wavelength(nm)

    Abstract translation: 目的:提供量子点的制造方法以提供具有优异的光稳定性和化学稳定性的量子点,而没有波长的任何变化。 构成:量子点包括:由InP形成的芯; 以及围绕所述第一壳层的第二壳层。 第二壳层的带隙小于第一壳层的带隙。 量子点的制造方法包括通过混合第一铟溶液和第一磷溶液来制造InP纳米晶体的步骤; 通过混合第一铟溶液和第一磷溶液形成具有围绕InP纳米晶体的第一壳层的纳米晶体的步骤; 以及通过将ZnSe前体溶液放入溶液中而形成具有围绕第一壳层的第二壳层的纳米晶体的步骤。 (AA)PL强度; (BB)波长(nm)

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