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公开(公告)号：KR101230996B1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：KR1020100127433
申请日：2010-12-14
Applicant: 한국기계연구원
IPC: C23C16/44 , C23C16/24 , C23C16/458
Abstract: 본 발명은 대기압 플라즈마 CVD 장치를 이용하여 폴리실리콘 박막을 증착하여 막대를 형성하는 것으로서, 특히 회전전극 주위에 회전하는 실리콘 코어 필라멘트를 설치하는 것을 특징으로 한다. 종래 지멘스 공법은 전력소모가 많은 단점이 있으나, 이 방법으로는 회전전극과 실리콘 코어 필라멘트 사이에서만 방전이 일어나므로 전력소모가 적은 장점이 있고, 높은 증착 속도로 대량생산이 가능하다는 장점을 가지고 있다.
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公开(公告)号：KR101181411B1
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：KR1020100122148
申请日：2010-12-02
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본 발명은 대기압 플라즈마 CVD 장치를 이용하여 미세결정질 실리콘 박막을 증착한 것으로서, 특히 기판의 움직임 속도에 따라 실리콘 결정화도 조절에 관한 것이다. 종래에는 실란(SiH
4 )과 수소(H
2 )의 비율을 조절하여 형성되는 실리콘 박막의 결정화도를 조절하였으나, 본 발명에 의하면 기판의 움직임 속도를 조절함으로써 종래에 비해 쉽고 신뢰서 있게 실리콘 박막의 결정화도를 약 23%에서 52%까지 조절할 수 있었다.-
公开(公告)号：KR1020120067631A
公开(公告)日：2012-06-26
申请号：KR1020100129155
申请日：2010-12-16
Applicant: 한국기계연구원
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/44 , B05B9/007 , B05B9/0403 , H01L51/0002
Abstract: PURPOSE: A spray coating device for organic solar cell and an organic solar cell manufactured thereby are provided to coat thin film for large are solar cell, thereby manufacturing large area solar cells. CONSTITUTION: A spray coating device for organic solar cell consists of a core part in which nozzle of the spray coating device is injected and a clad in which high pressure gas is injected. The high pressure gas is selected from a group consisting of air, nitrogen, and argon. In the spray coating device, the nozzle and a substrate can respectively and concurrently move. The spray coating device includes a micro pump.
Abstract translation: 目的：提供一种用于有机太阳能电池的喷涂装置及其制造的有机太阳能电池，用于涂覆大型太阳能电池的薄膜，从而制造大面积的太阳能电池。 构成：用于有机太阳能电池的喷涂装置由注射喷涂装置的喷嘴的核心部分和注入高压气体的包层组成。 高压气体选自由空气，氮气和氩气组成的组。 在喷涂装置中，喷嘴和基板可分别并且同时移动。 喷涂装置包括微型泵。
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公开(公告)号：KR1020120066207A
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020100127436
申请日：2010-12-14
Applicant: 한국기계연구원
IPC: C01B33/027 , C23C16/24 , C23C16/50
CPC classification number: C01B33/027 , C01P2006/80 , C23C16/24 , C23C16/4402 , C23C16/463 , C23C16/50
Abstract: PURPOSE: A method for mass-producing silicon of high purity is provided to form silicon of metal grade in hydrogen plasma by using a plasma chemical transferring unit. CONSTITUTION: A source silicon-based source electrode(20) and a silicon core filament(30) are separately arranged in a chemical vapor deposition(CVD) reactor. Hydrogen gas and inert gas of impurities are injected into the CVD reactor. The concentration of the impurities in the hydrogen gas and the inert gas is less than 1ppb. The source electrode is cooled, and the silicon core filament is heated. Power is applied to the source electrode to generate hydrogen plasma between the source electrode and the silicon core filament. The hydrogen plasma forms silane based on the cooled source electrode. The silane is decomposed on the heated silicon core filament to form silicon of high purity.
Abstract translation: 目的：通过使用等离子体化学转移单元，提供高纯度硅的大规模生产硅的方法，以在氢等离子体中形成金属级的硅。 构成：源硅硅源电极（20）和硅芯丝（30）分别布置在化学气相沉积（CVD）反应器中。 将氢气和惰性气体的杂质注入到CVD反应器中。 氢气和惰性气体中的杂质浓度小于1ppb。 源电极被冷却，硅芯丝被加热。 电源施加到源极以在源电极和硅芯线之间产生氢等离子体。 基于冷却的源电极，氢等离子体形成硅烷。 硅烷在加热的硅芯丝上分解形成高纯硅。
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公开(公告)号：KR101075152B1
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：KR1020090014363
申请日：2009-02-20
Applicant: 한국기계연구원
IPC: C23C14/28
Abstract: 본발명은이중굴곡플라즈마덕트를구비한진공아크증착장치에관한것으로서, 음극아크방전에의해증착물질의하전입자가발생되는아크증발부와, 상기하전입자가증착되는기판및 상기아크증발부를수용하여대기와차단시키며굴곡부를가지는플라즈마덕트와, 자장형성에의해상기하전입자를상기기판으로이동시키기위하여상기플라즈마덕트외주에설치되는자기장발생수단을포함하되, 상기플라즈마덕트는제1 곡률반경과제1 곡률중심을갖는제1 굴곡부와, 상기제1 굴곡부에연속적으로이어지되상기제1 곡률중심에대향하는제2 곡률중심과제2 곡률반경을갖는제2 굴곡부를포함하여이루어지고, 상기자기장발생수단은상기플라즈마덕트를감싸도록상기아크증발부주위와기판주위에설치되는제1 및제2 자장원과, 상기제1 및제2 자장원사이에마련되되상기제1 및제2 굴곡부의외주를각각감싸는제1 및제2 유도자장원으로이루어지는것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100727843B1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：KR1020050110145
申请日：2005-11-17
Applicant: 한국기계연구원
IPC: H01J11/40
Abstract: 본원 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라즈마 방전시 이차전자 방출을 증진시키고, 수명을 연장시킬 수 있도록 하는 표피층을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
상술한 본원 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은, 형광체층과 상부 유전체층 사이에 MgO 보호막이 형성되는 플라즈마 패널층과; 상기 MgO 보호막의 표면 위에 상기 MgO와 반응성이 높은 금속 또는 금속 산화물로 형성된 표피층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
플라즈마 디스플레이, MgO 보호막, 금속 박막, 이차전자, 진공증착-
公开(公告)号：KR101698717B1
公开(公告)日：2017-01-20
申请号：KR1020160018198
申请日：2016-02-17
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 대상물가공장치는진공챔버와, 막을형성하기위한대상물을지지하는지지부재와, 막을형성하기위한물질을포함하는타겟및 타겟과대상물을향해이온빔을각각조사하며, 대상물에막을형성하기위해타겟의물질이대상물을향하도록타겟의물질을활성화하고, 막이형성되기전에대상물을전처리하거나막이형성된후 대상물을후처리하는이온빔 소스를포함한다. 대상물가공장치는막 형성및 전처리또는후처리를동시에수행할수 있으므로, 대상물처리공정의효율을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 根据本发明，一种物体处理装置，包括：真空室; 支撑构件，其支撑物体以形成层; 包括形成该层的物质的目标; 以及将每个离子束发射到靶和物体的离子束源，激活目标物质以使物质朝向物体定向以在物体上形成层，同时在物体形成之前预处理物体 在层形成后创建对象。 物体处理装置形成该层，进行预处理或后处理; 从而提高物体治疗过程的效率。 本发明的装置旋转或移动物体，并且能够旋转和调节角度并移动目标物。 这样，设备在物体上均匀地形成一层; 此外，该装置能够减少用于形成层的中性粒子和物质颗粒之间的碰撞的能量损失，从而提高层的结晶度和粘合强度。
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公开(公告)号：KR1020150057304A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020130140476
申请日：2013-11-19
Applicant: 한국기계연구원
IPC: C23C14/34 , H01L21/203
Abstract: 대상물가공장치는진공챔버와, 막을형성하기위한대상물을지지하는지지부재와, 막을형성하기위한물질을포함하는타겟및 타겟과대상물을향해이온빔을각각조사하며, 대상물에막을형성하기위해타겟의물질이대상물을향하도록타겟의물질을활성화하고, 막이형성되기전에대상물을전처리하거나막이형성된후 대상물을후처리하는이온빔 소스를포함한다. 대상물가공장치는막 형성및 전처리또는후처리를동시에수행할수 있으므로, 대상물처리공정의효율을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 一种用于处理物体的设备包括：真空室; 用于支撑物体以形成膜的支撑构件; 含有形成膜的物质的目标; 将离子束分别照射到目标物体和物体上的离子束源激活目标物质，使目标物质面对物体，在物体上形成膜，并在物体形成之前预处理物体 的胶片，或在胶片形成后对物体进行后处理。 用于处理物体的装置能够在形成膜的同时进行预处理或后处理，从而提高对象处理效率。
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公开(公告)号：KR1020150030225A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：KR1020150022675
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국기계연구원
IPC: A61L2/14
CPC classification number: A61L2/14 , A61L2202/11 , A61L2202/20
Abstract: 본 발명은 금속 전극; 상기 금속 전극을 지지 또는 상기 금속 전극이 함몰된 유연소재층; 상기 유연소재층 상부에 절연층, 발광층, 자가세정층 또는 이의 혼합층으로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 기능성층; 및 상기 금속 전극에 전원을 인가하는 전원공급부를 포함하며, 상기 금속 전극 사이에 대기압 플라즈마를 생성하여 활성종을 발생시키는 것을 특징으로 하는 유연소재층을 포함하는 활성종 발생기에 관한 것이다. 상기 본 발명에 따른 유연소재층을 포함하는 활성종 발생기는 유연성을 가지는 유연소재층을 사용하여 휴대가 용이하고, 다양한 형태의 물품 또는 인체에 적용이 가능한 이점이 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包括金属电极的柔性材料层的活性物质发生器; 金属电极被支撑或凹陷的柔性材料层; 功能层，其在柔性材料层的顶部包括选自由绝缘层，发光层，自清洗层或其混合层组成的组中的一种以上的功能层; 以及将电源施加到金属电极的电源单元，在金属电极之间产生大气等离子体，并产生活性物质。 根据本发明，包括柔性材料层的活性物质发生器使用具有柔性的柔性材料层，因此易于携带并适用于各种形状的产品或物体。
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公开(公告)号：KR1020140049302A
公开(公告)日：2014-04-25
申请号：KR1020120115405
申请日：2012-10-17
IPC: H01J27/02
Abstract: Disclosed is a linear ion beam generator capable of controlling the direction of an ion beam. The linear ion beam generator includes a first cathode; a second anode which surrounds the first cathode and forms an ion beam extraction part between the first cathode; and an anode which is separated and partly overlapped with at least one part of the first and the second cathode on the lower part of the ion beam extraction part. A surface which faces the first and the second cathode forms an asymmetric structure and comprises the extraction path of the ion beam which is slantly extracted from the center of the first cathode to the inner side or the outer side. [Reference numerals] (AA) Electron
Abstract translation: 公开了能够控制离子束的方向的线性离子束发生器。 线性离子束发生器包括第一阴极; 第二阳极，其围绕所述第一阴极并在所述第一阴极之间形成离子束提取部; 以及与离子束提取部的下部的第一阴极和第二阴极的至少一部分分离并部分重叠的阳极。 面对第一和第二阴极的表面形成不对称结构，并且包括从第一阴极的中心向内侧或外侧倾斜地提取的离子束的提取路径。 （标号）（AA）电子
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