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21.发明申请저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 审中-公开使用具有低熔点的光源制造光伏CI（G）S薄膜的方法和由其制造的CI（G）S基薄膜
公开(公告)号：WO2013115582A1
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：PCT/KR2013/000804
申请日：2013-01-31
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0326 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막에 개시된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계 나노입자를 제조하는 단계(단계 a); CI(G)S계 나노입자와 녹는점이 30~400℃ 범위에 있는 플럭스를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계(단계 b); 슬러리를 기판에 비진공 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 c); CI(G)S계 전구체 박막을 건조시키는 단계(단계 d); 및 CI(G)S계 전구체 박막을 셀레늄증기를 이용하여 셀렌화 열처리하는 단계(단계 e); 를 포함한다. 이에 의하여, 종래 CI(G)S계 박막의 형성에서보다 낮은 온도로 셀렌화 열처리가 가능하여 제조비용을 절감하면서도, 낮은 온도에서도 박막 내 결정성장이 충분히 이루어질 수 있다.
Abstract translation: 公开了使用具有低熔点的助熔剂和由其制造的CI（G）S系薄膜制造光电CI（G）S基薄膜的方法。 根据本发明的制备CI（G）S基薄膜的方法包括：制备CI（G）S基纳米颗粒（步骤a）; 制备含有CI（G）S基纳米颗粒的浆料和熔点在约30℃至约400℃范围内的助熔剂（步骤b）; 通过使用浆料形成基于CI（G）S的前体薄膜（步骤c），对基材进行非真空涂布; 干燥CI（G）S前体薄膜（步骤d）; 并通过使用Se蒸气硒化处理CI（G）S基前体薄膜（步骤e）。 因此，在比现有技术的CI（G）S系薄膜的温度低的情况下，可以进行硒化热处理，从而降低制造成本，并在低温下充分实现薄膜内的晶体生长。
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公开(公告)号：WO2014196688A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/KR2013/007092
申请日：2013-08-06
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 후면전극이 다중층으로 구성된 CIGS 박막 태양전지에 관한 것으로, 태양전지의 기판(100)위에 형성되는 후면전극(200)에 있어서, 태양전지 후면전극의 제조방법에 있어서, (i) 태양전지의 기판(100) 위에 저저항 금속으로 저저항 금속층(210)을 형성시키는 단계(s1000), (ii) 상기 저저항 금속층(210) 위에 몰리브덴(Mo)층(220)을 형성시키는 단계(s2000) 를 포함하는 것을 특징으로 하여 태양전지의 광전변환효율을 높이는 효과가 있는 것임.
Abstract translation: 本发明涉及具有由多层构成的背面接触的CIGS薄膜太阳能电池，形成在太阳能电池的基板（100）上的背面接触（200）和太阳能电池背面接触的制造方法， 该方法包括以下步骤：（i）在使用低电阻金属的太阳能电池的基板（100）上形成低电阻金属层（s1000）; 和（ii）在低电阻金属层（210）上形成钼（Mo）层（220）（s2000），从而提高太阳能电池的光电转换效率。
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23.发明申请
公开(公告)号：WO2014163367A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/KR2014/002767
申请日：2014-04-01
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지에 사용되는 CI(G)S의 제조 과정 중 셀렌화 공정의 효율을 높이기 위한 방법으로 더욱 구체적으로는 CI(G)S계 전구체 박막을 일정 콘테이너 혹은 챔버에 삽입하여, 상기 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se)을 주입하고 온도를 올려 셀렌화하는 공정을 통해 고압력 셀렌화가 가능한 것에 관한 것으로 일정 콘테이너 혹은 챔버 내에 셀레늄(Se) 분압을 높여 고압력 셀렌화를 통해 손실되는 셀레늄(Se)을 줄일 수 있고, 셀렌화의 효율을 높이고 열처리의 시간을 단축시킬 수 있는 효과를 나타낸다. 이를 위해 상기 CI(G)S계 전구체 박막과 상기 챔버(Chamber)의 간격이 6 mm 내지 20 mm이고, 상기 챔버(Chamber)에 셀레늄(Se)을 주입하며, 셀렌화를 위한 열처리는 상기 챔버(Chamber)의 내측 일면 또는, 내측 전면에 위치하는 발열체에 의해 온도를 증가시킨다.
Abstract translation: 公开了一种用于提高太阳能电池中使用的CI（G）S的制造方法中的硒化步骤的效率的方法，更具体地，涉及通过将CI（G）S 的前体薄膜转换成特定的容器或室，将硒（Se）注入容器或室中，并且增加温度。 本发明提供了通过增加特定容器或室中的部分硒（Se）压力，提高硒化效率和减少热处理时间来降低高压硒化期间硒（Se）的损失的优点。 为此，CI（G）S型前体薄膜与室之间的距离在6至20mm之间，其中硒（Se）注入室中，并且温度通过发热 身体位于腔室内侧的一侧或前侧，用于硒化的热处理。
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公开(公告)号：WO2014046455A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/KR2013/008396
申请日：2013-09-17
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/564 , C30B23/066
Abstract: 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원 및 이를 포함하는 증착 장비가 개시된다. 본 발명에 따른 소스 잔류물 배출형 셔터를 구비한 진공 증발원은, 원통형의 내부 공간을 제공하는 외부 용기와, 상기 외부 용기의 내부 공간에 거치되는 도가니 및 상기 외부 용기와 상기 도가니 사이에 배치되어 상기 도가니를 가열하는 히터를 포함하는 진공 증발원 본체; 및 상기 진공 증발원 본체의 출구 측에 배치되어 상기 도가니의 출구를 개폐하는 것으로서, 상기 도가니의 출구와 마주보는 안쪽 면에 응축된 소스 잔류물이 상기 외부 용기 바깥쪽으로 흘러 배출될 수 있도록, 상기 안쪽 면의 상기 도가니 출구에 대응되는 영역으로부터 상기 외부 용기 바깥쪽 영역까지 연장되게 배치된 다수의 흐름 가이드를 갖는 셔터;를 포함한다. 본 발명에 따른 증착 장비는 전술한 구성을 가지고, 진공 챔버 내에서 기판의 중심을 향해 기울어지게 배치된, 다수의 진공 증발원을 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种具有源极残渣放电型快门和包括其的蒸发设备的渗流池。 具有根据本发明的源极残留物排出型活门的积液单元包括：具有用于提供圆柱形内部空间的外部容器的排出单体体，设置在外部容器的内部空间中的坩埚和设置在外部容器之间的加热器 外部容器和坩埚，以加热坩埚; 以及挡板，其设置在所述渗出池体的出口处，以打开或关闭所述坩埚的出口，并且具有多个流动引导件，所述多个引导件设置成从与所述坩埚的出口相对应的区域延伸到内表面 外部容器的外部区域，以将在坩埚的出口的内表面上冷凝的源残渣排出到外部容器的外部。 根据本发明的蒸发设备具有上述元件，并且包括多个排出单元，其设置成朝向真空室内的基板的中心倾斜。
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公开(公告)号：WO2014010925A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：PCT/KR2013/006116
申请日：2013-07-10
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/03923 , H01L31/03928 , Y02E10/541
Abstract: 본 발명은 CIGS를 포함하는 CIS계 태양전지의 후면전극에 관한 것으로, 기판과 CIGS를 포함하는 CIS계 광흡수층 사이에 형성된 CIS계 태양전지의 후면전극으로서, 상기 기판 위에 형성되고 Na이 10wt% 이상 포함된 금속재질의 제1전극층; 및 상기 제1금속층 위에 형성되고 Na이 포함되지 않은 금속재질의 제2전극층으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 이때, 본 발명의 제1전극층과 제2전극층의 두께 비는 10:3 ~ 10:1 인 것이 바람직하다. 본 발명은, 10wt% 이상의 Na를 첨가한 제1전극층과 얇은 제2전극층을 구비함으로써, 광흡수층에 확산되는 Na의 양을 늘려 CIS계 태양전지의 효율을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 이러한 태양전지 효율의 향상은 단순히 제1전극층의 Na의 함량을 늘리고, 제2전극층의 두께를 얇게 하여 제조된 후면전극을 이용한 것에서 예상하기 어려운 정도의 효율 향상이며, 이로부터 Na가 포함되지 않은 다양한 기판에 대하여 효율이 뛰어난 CIS계 태양전지를 제조할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包括CIGS的CIS系太阳能电池的背面接触，其中CIS基太阳能电池的背接触介于基板和包含CIGS的基于CIS的光吸收层之间，包括：第一 电极层，形成在基板上，由含有10重量％以上的Na以上的金属材料构成; 以及形成在第一金属层上并由不含有Na的金属材料制成的第二电极层。 这里，优选第一电极层和第二电极之间的厚度比为10：3〜10：1。 本发明的背面接触包含含有10重量％以上Na以上的第一电极层和薄的第二电极层，由此增加在光吸收层中扩散的Na的量，从而显着提高 基于CIS的太阳能电池。 上述太阳能电池的效率的提高是难以估计的，因为其中简单地增加了第一电极中的Na含量并且简单地使第二电极层变薄的后接触的改善。 上述背面接触能够制造相对于不含有Na的各种基板具有优异的效率的CIS系太阳能电池。
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Patent Agency Ranking26.发明申请텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 审中-公开制造具有包含纹理层的双层纹理结构的聚碳酸酯太阳能电池的方法和制造的氯化铝太阳能电池
公开(公告)号：WO2013141651A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：PCT/KR2013/002404
申请日：2013-03-22
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L31/0547 , H01L31/0749 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 텍스처층을 형성하는 단계; 상기 텍스처층에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 텍스처층에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 텍스처층을 포함하는 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 텍스처층; 상기 텍스처층 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 텍스처층 표면의 텍스처 구조에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명은 전면텍스처와 텍스처층의 2중 텍스처 구조를 구비하여 광포획 성능을 크게 증가시킴으로써, 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有包括纹理层的双重结构结构的太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：制备衬底; 在基板上形成纹理层; 在纹理层上形成背面电极; 在后表面电极的顶部形成由硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 在光吸收层的顶部形成缓冲层; 在缓冲层的顶部形成透明电极; 并且在透明电极的表面上形成正面结构，由于纹理层，在背面电极上形成有不平坦的表面。 根据本发明的具有包括纹理层的双重纹理结构的太阳能电池包括：基底; 所述纹理层形成在所述基板的顶部上; 形成在纹理层顶部的背面电极; 由形成在背面电极顶部的硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 所述缓冲层形成在所述光吸收层的顶部; 以及形成在缓冲层的顶部的透明电极，其中，由于基板结构，在背面电极上形成凹凸表面，并且在透明电极的表面上形成前表面纹理结构。 本发明通过具有包括前表面纹理和后表面纹理的双重纹理结构，提供了由于光捕获能力的显着增加而增加光电转换效率的优点。
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27.发明申请기판에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 칼코게나이드계 태양전지 审中-公开制造具有基质上形成纹理的双层纹理结构的聚碳酸酯太阳能电池的方法和制造的氯化铝太阳能电池
公开(公告)号：WO2013141646A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：PCT/KR2013/002398
申请日：2013-03-22
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 기판에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 표면에 기판텍스처를 형성하는 단계; 상기 기판에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극 위에 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 광흡수층 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 기판텍스처에 의하여 상기 후면전극의 표면에 요철이 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 기판에 텍스처가 형성된 2중 텍스처 구조의 칼코게나이드계 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 후면전극; 상기 후면 전극 위에 형성된 칼코게나이드계 반도체 재질의 광흡수층; 상기 광흡수층 위에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 위에 형성된 투명전극을 포함하여 구성되고, 상기 광흡수층에 접하는 상기 후면전극의 표면에 후면텍스처 구조가 형성되며, 상기 투명전극의 표면에 전면텍스처 구조가 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명은 전면텍스처와 기판텍스처의 2중 텍스처 구조를 구비함으로써 광포획 성능을 크게 증가시켜, 태양전지의 광전변환효율을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，该太阳能电池具有在基板上形成纹理的双重结构结构，包括以下步骤：准备基板; 在衬底的表面上形成衬底纹理; 在所述基板上形成背面电极; 在后表面电极的顶部形成由硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 在光吸收层的顶部形成缓冲层; 在缓冲层的顶部形成透明电极; 并且在透明电极的表面上形成前表面纹理，其中由于衬底纹理而在后表面电极上形成不平坦表面。 根据本发明的具有在基板上形成纹理的双组织结构的硫族化物太阳能电池包括：基板; 形成在基板顶部的背面电极; 由形成在背面电极顶部的硫族化物半导体材料制成的光吸收层; 所述缓冲层形成在所述光吸收层的顶部; 以及形成在缓冲层的顶部的透明电极，其中在与光吸收层接触的后表面电极的表面上形成后纹理结构，并且在表面上形成前表面纹理结构 的透明电极。 本发明通过具有包括前表面纹理和后表面纹理的双重纹理结构，提供了由于光捕获能力的显着增加而增加光电转换效率的优点。
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公开(公告)号：WO2013133491A1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：PCT/KR2012/006463
申请日：2012-08-14
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01G9/204 , H01G9/2059 , H01G9/209 , H01L31/02366 , H01L31/1888 , H01L51/42 , H01L51/4233 , H01L51/447 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 본 발명은 습식식각의 방법으로 산화아연 박막에 나노단위의 요철구조를 형성하는 방법에 관한 것으로， 기판을 준비하는 단계; 나노미터 범위의 높이와 폭을 가지는 나노구조를 형성하는 단계; 상기 나노구조가 형성된 기판 위에 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및 상기 산화아연 박막을 습식식각하는 단계를 포함하여 구성되고, 상기 습식식각하는 단계에서 상기 나노구조의 위에 위치하여 물리적 치밀성이 상대적으로 낮은 산화아연이 우선적으로 식각되어， 상기 나노구조의 주변으로 식각에 의한 요철구조가 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 요철구조의 위에 균일하게 박막을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 요철구조의 사이에 전해질이나 유기물이 균일하게 침투할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 요철구조의 종횡비를 조절할 수 있을 뿐만 아니라 요철구조가 전체적으로 연결되어 있기 때문에, 과도한 종횡비의 차이에 의해서 저항이 증가하는 문제가 발생하지 않는다.
Abstract translation: 本发明涉及通过湿式蚀刻工艺在氧化锌薄膜上形成纳米级不平坦结构的方法。 形成氧化锌不均匀结构的方法包括：制备衬底; 形成纳米范围内的高度和宽度的纳米结构; 在具有纳米结构的基板上形成氧化锌薄膜; 对氧化锌薄膜进行湿式蚀刻处理。 在湿蚀刻工艺中，首先通过蚀刻纳米结构的周围来蚀刻设置在纳米结构上并且具有相对低的物理密度的氧化锌以形成不均匀的结构。 因此，可以在不平坦结构上均匀地形成薄膜，并且电解质或有机材料可以均匀地穿透在不平坦结构之间。 此外，由于本发明可以调整每个不平坦结构的高宽比，并且不均匀结构彼此连续地连接，所以可能不会发生由于高度与宽度比过大引起的电阻的增加。
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公开(公告)号：KR1020210014191A
公开(公告)日：2021-02-08
申请号：KR1020210013935
申请日：2021-02-01
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 본발명은 CIGS 태양전지의광흡수층을제조하는방법으로서, 단일공정법을이용하여 Cu, In, Ga 및 Se을동시에증발시켜박막층을기판에증착시키는단계를 n번(여기서 n은 2 이상의자연수) 반복하여 n개의층으로구성된박막층이형성된 CIGS 광흡수층의제조방법, 이에의해제조된 CIGS 박막형광흡수층을이용한박막태양전지제조방법및 이에의해제조된박막태양전지에관한것으로, 본발명에따르면상기제조방법을통해 CIGS 광흡수층을제조하는경우, 단일공정법을통해서도밴드갭기울기를갖는박막층을제조할수 있어공정이간단하면서도얇은두께에서도밴드갭기울기를갖는박막을제조할수 있다.
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