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公开(公告)号：KR1020170004360A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020150094618
申请日：2015-07-02
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: A61B6/00
Abstract: 본발명은방사선을이용하여비파괴적으로피사체를영상화하는종래의 CT, PET, SPECT 및치료방사능장치와같은방사선영상장치를하나의기기로구현하고, 간단한조작만으로원하는장치를선택하고, 그에따른결과를얻을수 있도록하는광역에너지다중모드방사선영상장치에관한것으로, 방사선을기반으로하여영상신호를생성하고출력하는복수의영상센서들; 피사체를중심으로복수의영상센서들이일정방향으로회전구동되도록하는복수의지지구조체들; 영상센서들에각각구비되며, 지지구조체상에서영상센서들이선택적으로회전구동되도록하는복수의회전구동부들; 외부에서설정조건을선택할수 있도록설정조건메뉴화면이제공되도록제어하고, 설정조건메뉴화면에의해선택된설정조건에따라상기회전구동부들이선택적으로회전구동되도록제어하는제어부; 제어부의제어에응하여외부에서설정조건을선택할수 있도록설정조건메뉴화면을제공하고, 선택된설정조건을제어부로출력하는사용자인터페이스부; 및영상센서들로부터영상신호를입력받아 2차원영상또는 3차원영상으로변환시켜출력하는영상처리부를포함한다. 이에따라, 1개의장비로다양한방사선영상모달리티를구현할수 있도록하는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020160148372A
公开(公告)日：2016-12-26
申请号：KR1020150085347
申请日：2015-06-16
Applicant: 한국원자력연구원
Abstract: 본발명은방사선을흡수하는섬광체와상기섬광체에형성되는광검출기를포함하고, 상기광검출기는서로이격된위치에배치되는제1 접촉전극과제2 접촉전극및 상기제1 접촉전극과상기제2 접촉전극의사이에연결되어전자의이동경로를형성하는활성층을포함하며, 상기활성층은상기섬광체의형상에대응하여변형될수 있도록, 연성을부여하는 2차원나노물질로형성되는것을특징으로하는방사선검출기를제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种辐射检测器，包括：用于吸收辐射的闪烁体; 以及形成在所述闪烁器中的光电检测器，其中所述光电检测器包括：第一接触电极和布置在彼此间隔开的位置处的第二接触电极; 以及连接在所述第一接触电极和所述第二接触电极之间以形成电子的移动路径的有源层，其中所述有源层由提供延展性的二维纳米材料形成，以响应于变形 到闪烁体的形状。
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公开(公告)号：KR101556639B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020130166828
申请日：2013-12-30
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: A61B5/055
CPC classification number: G01T1/2985 , A61B5/0035 , A61B5/055 , A61B6/037 , G01R33/28 , G01R33/381
Abstract: PET-MRI 장치및 그제조방법이개시된다. 솔레노이드코일(Solenoid Coil) 및자기장보정코일을포함하는원통형구조또는이중극자구조의자기공명단층촬영장치(Magnetic Resonance Imaging, MRI) 및도넛형상의일측면및 타측면에 PET 영상센서전극을형성하는원통형구조또는격자형구조의양전자방출단층촬영장치(Positron Emission Tomography, PET)를포함하고, PET의전기장방향과 MRI의자기장방향이평행하도록 PET를 MRI의내부에형성한다.
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公开(公告)号：KR1020140112955A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130027686
申请日：2013-03-15
Applicant: 한국원자력연구원
Abstract: The present invention relates to a semiconductor sensor having a delay line structure and a radiation measurement system and measurement method using the same. The semiconductor sensor includes a semiconductor substrate; a first electrode formed on the upper part of the semiconductor substrate in a single wire electrode structure, an upper layer which is formed on the upper part of the first electrode to prevent the distortion of a high frequency signal and signal loss, and a second electrode which is formed on the lower part of the semiconductor substrate by using a conductive material. The first electrode includes a delay line which is arranged in a zigzag pattern on the upper surface of the semiconductor substrate and first and second cathodes which are connected to both ends of the delay line so as to be applied to a large area radiation imaging system, reduce the number of components of the radiation imaging system, and save production costs.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有延迟线结构的半导体传感器及其辐射测量系统及其测量方法。 半导体传感器包括半导体衬底; 在单线电极结构中形成在半导体衬底的上部的第一电极，形成在第一电极的上部以防止高频信号和信号损失的失真的上层，以及第二电极 其通过使用导电材料形成在半导体衬底的下部。 第一电极包括在半导体衬底的上表面上以锯齿形图案布置的延迟线和连接到延迟线的两端以便施加到大面积辐射成像系统的第一和第二阴极， 减少辐射成像系统的部件数量，节省生产成本。
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公开(公告)号：KR1020140112953A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130027683
申请日：2013-03-15
Applicant: 한국원자력연구원
Abstract: The present invention relates to a silicon radiation sensor, a manufacturing method thereof, and a method to detect radiation based on Compton edge detection by using the same. Provided is the composition including (a) a step of forming first and second SiO2 layers on upper and lower surfaces of a silicon wafer respectively, (b) a step of depositing poly silicon by spinning and coating the first SiO2 layer on the upper surface of the wafer and removing the second SiO2 layer on the lower surface of the wafer, (c) a step of patterning the upper surface of the wafer and doping the surface with boron, and (d) a step of forming a cathode electrode on the patterned part of the upper surface of the wafer and forming an anode electrode on the lower surface of the wafer. Therefore, as a silicon radiation sensor having the thickness of more than 1 mm is manufactured by using a general method to manufacture a silicon radiation sensor, a manufacturing cost is reduced.
Abstract translation: 本发明涉及一种硅辐射传感器及其制造方法以及通过使用该方法来检测基于康普顿边缘检测的辐射。 提供的组合物包括（a）分别在硅晶片的上表面和下表面上形成第一和第二SiO 2层的步骤，（b）通过在第一SiO 2层的上表面上旋转和涂覆第一SiO 2层来沉积多晶硅的步骤 晶片，并且去除晶片的下表面上的第二SiO 2层，（c）图案化晶片的上表面并用硼掺杂表面的步骤，以及（d）在图案化上形成阴极电极的步骤 晶片的上表面的一部分，并在晶片的下表面上形成阳极电极。 因此，通过使用一般的制造硅辐射传感器的方法制造厚度大于1mm的硅辐射传感器，制造成本降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120077121A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020100138959
申请日：2010-12-30
Applicant: 한국원자력연구원
CPC classification number: G01T1/2985 , A61B6/037
Abstract: PURPOSE: A method and a system for processing a 3D distribution image of radiation are provided to enhance reduce measuring time by increasing detection efficiency so that stress in which a patient or a creature is gotten can be reduced. CONSTITUTION: A system(100) for processing a 3D distribution image of radiation comprises an image measuring part(110), a signal amplifying processor(120), a mode selector(125), a data storage unit(130), a data converter(140), an image reconstructing unit(150), and a display unit(160). The image measuring part comprises a plurality of position sensitive type detectors for measuring a radiation source. The signal amplifying processor receives electrical signals generated from the signal amplifying processor, thereby outputting mode signals by selecting a detection mode according to a size and a position. The data storage unit stores a size of radiation source energy, generating time, radiation source generating position signals, and the mode signals received from the signal processing unit as a series of items. The data converter converts the data stored in the data storage unit into interaction mode data. The image reconstructing unit reconstructs the converted data to 3D distribution images.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理辐射的3D分布图像的方法和系统，以通过提高检测效率来增强减少测量时间，从而可以减少获得患者或生物的压力。 构成：用于处理辐射的3D分布图像的系统（100）包括图像测量部分（110），信号放大处理器（120），模式选择器（125），数据存储单元（130），数据转换器 （140），图像重建单元（150）和显示单元（160）。 图像测量部分包括用于测量辐射源的多个位置敏感型检测器。 信号放大处理器接收从信号放大处理器产生的电信号，从而通过根据大小和位置选择检测模式来输出模式信号。 数据存储单元存储辐射源能量的大小，产生时间，辐射源产生位置信号以及从信号处理单元接收的模式信号作为一系列项目。 数据转换器将存储在数据存储单元中的数据转换为交互模式数据。 图像重建单元将转换的数据重建为3D分布图像。
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公开(公告)号：KR1020110116405A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100035796
申请日：2010-04-19
Applicant: 한국원자력연구원
Abstract: 본 발명은 방사선 영상 장치에 관한 것으로서, 다중 채널 검출기 또는 위치 민감형 검출기를 사용하지 않고 단일 채널 검출기 만으로도 격자형 차폐체를 회전시켜서 시간에 따라 계측되는 방사선량의 변화를 격자형 차폐체의 회전 각도와 연동해서 영상을 획득할 수 있도록 함으로써, 복잡한 신호 처리 과정 없이도 방사선 영상을 표시할 수 있어 장치의 구성을 단순화시킬 수 있는 효과를 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020110092841A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100012499
申请日：2010-02-10
Applicant: 한국원자력연구원
CPC classification number: G01T1/366 , G01T1/1603 , G01T1/185 , G01T1/24
Abstract: PURPOSE: A kit for radiation energy spectrum measurement and isotope analysis is provided to enable even unskilled users to easily measure radiation energy and analyze isotopes. CONSTITUTION: A kit for radiation energy spectrum measurement and isotope analysis comprises a radiation sensor part(120), a small signal amplifier(130), a main amplifier(140), a multichannel analyzer(150), and a DC converter(160). The radiation sensor part detects the radiation of a sample. The small signal amplifier processes and amplifies a small analog signal received from the radiation sensor part. The main amplifier processes and amplifies the analog signal received from the small signal amplifier into the Gaussian wave form. The multichannel analyzer is embedded with an analog digital converter which converts the signal received from the main amplifier into the digital signal. The DC converter provides power.
Abstract translation: 目的：提供用于辐射能谱测量和同位素分析的试剂盒，使即使不熟练的用户能够轻松测量辐射能量和分析同位素。 构成：用于辐射能谱测量和同位素分析的套件包括辐射传感器部分（120），小信号放大器（130），主放大器（140），多通道分析器（150）和DC转换器（160） 。 辐射传感器部分检测样品的辐射。 小信号放大器处理和放大从辐射传感器部分接收的小的模拟信号。 主放大器将从小信号放大器接收的模拟信号处理并放大为高斯波形。 多通道分析仪嵌有一个模拟数字转换器，将从主放大器接收的信号转换为数字信号。 DC转换器提供电源。
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公开(公告)号：KR1020110088833A
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：KR1020100008532
申请日：2010-01-29
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A membrane maintaining method and a substrate product using the same are provided to stably maintain a membrane which is volatilized or exfoliated when exposed to the air, thereby improving the quality of a substrate product. CONSTITUTION: A main membrane with volatility is provided on a substrate(S3). A protection membrane which seals the main membrane is provided in order to prevent volatilization of the main membrane. An auxiliary membrane is provided in order to block the exposure of a side surface in the main membrane(S2). A cover membrane is provided in the upper part of the main membrane in order to protect the upper part(S4).
Abstract translation: 目的：提供一种膜保持方法和使用该膜保持方法的基板产品，以稳定地保持暴露于空气时挥发或剥离的膜，从而提高基材产品的质量。 构成：在基板上提供具有挥发性的主膜（S3）。 提供密封主膜的保护膜，以防止主膜的挥发。 提供辅助膜以阻止主膜中的侧表面的暴露（S2）。 为了保护上部部分（S4），在主膜的上部设置覆盖膜。
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30.发明授权저속 및 고속 중성자 측정 센서장치, 이를 포함한 시스템 및 이들을 이용한 저속 및 고속 중성자 측정 방법 有权用于测量热和快速中子的传感器装置，包括其的系统和使用这些测量的热和快速中子的方法
公开(公告)号：KR101017764B1
公开(公告)日：2011-02-28
申请号：KR1020080089247
申请日：2008-09-10
Applicant: 한국원자력연구원 , 한국수력원자력 주식회사
IPC: H01L31/115 , G01T3/08
Abstract: 중성자 선속을 측정하는 중성자 측정 센서장치, 이를 포함하는 중성자 측정 시스템 및 이들을 이용하여 에너지 영역별 중성자 선량을 측정하는 중성자 측정 방법에 있어서, 저속 및 고속 중성자 동시 측정 센서장치, 이를 포함하는 저속 및 고속 중성자 동시 측정 시스템 및 방법이 제시된다. 본 발명에 따른 저속 및 고속 중성자 측정 시스템은 저속 및 고속 중성자 측정 센서장치, 상기 센서장치로부터 측정된 중성자 신호를 처리하는 신호 처리 장치 및 상기 신호 처리 장치를 통과한 중성자 신호를 개수화하여 표시하는 표시장치를 포함하고, 상기 저속 및 고속 중성자 측정 센서장치는 고속 중성자 선량을 측정하는 제1 센서부, 저속 및 고속 중성자 선량을 측정하는 제2 센서부, 상기 제2 센서부를 둘러싸고 있으며 상기 저속 중성자와 반응하는 중성자 전환부 및 상기 제1 센서부 및 상기 제2 센서부에서 얻어진 신호의 차이를 바탕으로 저속 중성자 신호를 추출하는 저속 중성자 추출부를 포함하여, 무전력 또는 저전력으로 에너지 영역별 저속 및 고속 중성자 선량을 동시에 측정한다. 본 발명에 따른 저속 및 고속 중성자 측정 센서장치, 이를 포함한 시스템 및 이들을 이용한 방법에 의하면, 중성자의 측정에 따른 시간 지연이 없는 고속 신호 처리 특성을 가질 뿐 아니라 전체 장치 및 시스템을 소형화할 수 있는 효과가 있다.
저속 중성자, 고속 중성자, 측정, 중성자 전환 물질, 반도체.
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