公开(公告)号：KR1019940016231A

公开(公告)日：1994-07-22

申请号：KR1019920025034

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김환용 ,  김대순

IPC: G11C11/40

Abstract: 본 발명은 DRAM의 셀 어레이, 감지증폭기 및 정보저장에 관한 것으로, 셀-플레이트(Cell-Plate)감지 증폭기의 어레이를 위, 아래로 연결하여 제어신호 T 및 TCPL에 의하여 연결제어하며 "1/2"정보의 감지를 위하여 고안 채용된 CSPU 및 CSPL 캐패시터는 워드선 구동시 SPI 신호에 의하여 셀-플레이트선(PLU, PLL)에 연결함으로써 통상적으로 불가능하게 생각되어 온 한개의 메모리 셀에 3개의 정보상태 저장을 가능하게 하여 초고집적 DRAM에서 문제시되고 있는 레이아웃(Layout)면적 문제 및 기타 문제들을 근본적으로 해결하는 새로운 어레이 구조에 관한 것으로서 본 발명의 어레이 구조에서는 한개의 메모리셀에 "1", "0" 및 "1/2"의 3가지 정보상태 저장을 가능하게 하여 40% 이상의 면적개선 효과를 얻는다.

公开(公告)号：KR1019930024013A

公开(公告)日：1993-12-21

申请号：KR1019920009264

申请日：1992-05-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김환용 ,  김대순 ,  송창영 ,  송원철

IPC: G11C11/40

Abstract: 본 발명은 대용량 DARM의 감지동작시 내부전압 변환기(internal voltage converter: 이하 'IVC'라 약칭함)에 의해 발생되는 잡음(noise)을 제거하여 정보감지(data sensign)에 소용되는 시간을 줄이는 초고집적 DRAM용 감지증폭기에 관한 것으로, 종래의 증폭기 구동 트랜지스터(MSEN, MSEP)의 폭(width)에 비해 약 1/2에 해당하는 폭을 갖는 2개의 NMOS 구동 트랜지스터(MSENI, MSEN2)중 하나는 복수의 짝수열 증폭기의 N래치와 각각 접속되고, 다른 하나는 복수의 홀수열 증폭기의 N래치와 각각 접속되며, 2개의 MOS 구동 트랜지스터(MSEPI, MESP2)중 하나는 복수의 짝수열 증폭기의 P래치와 각각 접속되고, 다른 하나는 복수의 홀수열 증폭기의 P래치와 각각 접속되며, 상기한 2개의 NMOS 구동 트랜지스터(MSEP1, MSEP2)는 선 V
SS 전원선과 접속되고, 상기한 2개의 PMOS 구동트랜지스터(MSEP1, MSEP2)는 IVC 와 전원선과 접속되도록 구성된다.