公开(公告)号：KR1019930024013A

公开(公告)日：1993-12-21

申请号：KR1019920009264

申请日：1992-05-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김환용 ,  김대순 ,  송창영 ,  송원철

IPC: G11C11/40

Abstract: 본 발명은 대용량 DARM의 감지동작시 내부전압 변환기(internal voltage converter: 이하 'IVC'라 약칭함)에 의해 발생되는 잡음(noise)을 제거하여 정보감지(data sensign)에 소용되는 시간을 줄이는 초고집적 DRAM용 감지증폭기에 관한 것으로, 종래의 증폭기 구동 트랜지스터(MSEN, MSEP)의 폭(width)에 비해 약 1/2에 해당하는 폭을 갖는 2개의 NMOS 구동 트랜지스터(MSENI, MSEN2)중 하나는 복수의 짝수열 증폭기의 N래치와 각각 접속되고, 다른 하나는 복수의 홀수열 증폭기의 N래치와 각각 접속되며, 2개의 MOS 구동 트랜지스터(MSEPI, MESP2)중 하나는 복수의 짝수열 증폭기의 P래치와 각각 접속되고, 다른 하나는 복수의 홀수열 증폭기의 P래치와 각각 접속되며, 상기한 2개의 NMOS 구동 트랜지스터(MSEP1, MSEP2)는 선 V
SS 전원선과 접속되고, 상기한 2개의 PMOS 구동트랜지스터(MSEP1, MSEP2)는 IVC 와 전원선과 접속되도록 구성된다.