公开(公告)号：KR100169834B1

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019950048740

申请日：1995-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오대곤 ,  김정수 ,  주흥로 ,  김홍만 ,  편광의

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 이중 산화방식의 유독가스 스크러버에 관한 것이다.
본 발명의 유독가스 스크러버는 스크러버 캐비넷 내에, 공기, 질소 및 수소의 가스 압력을 조절하기 위한 복수개의 가스압력 조절기와 유량조절을 위한 복수개의 유량조절기 및 밸브로 이루어진 가스압력 및 유량 조절수단과, 반도체 제조공정에서 배출되어 공정가스 라인을 통해 유입된 유독성 공정가스를 흡착제거시키고, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의행 유량이 조절되어 유입된 공기 및 질소를 사용하여 탈착이 이루어지는 활성탄 저장용기로 구성되어 유독성 가스를 1차 산화시키기 위한 제1산화수단과, 일단은 상기한 제1산화수단과 직렬로 연결되고 타단은 열 배기관과 연결되며, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의해 유량이 조절되어 유입된 공기 및 수소를 사용하여 점화연소시키는 연소기로 구성되어 상기한 제1산화수단을 거쳐 배출된 유독성 가스를 2차 산화시키기 위한 제2산화수단이 포함되어 구성된다.

公开(公告)号：KR1019980045897A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960064142

申请日：1996-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김정수 ,  김홍만

IPC: G02B6/13

Abstract: 본 발명은 광도파로 소자의 무반사면 형성방법에 관한 것으로, 광도파로의 빛이 방사되는 절개면 근처를 반응성 이온 식각(RIE)법등의 건식 식각방법을 이용하여 110방향에 대해 일정한 각을 갖도록 식각하므로써 광도파로의 절개면에서의 광 반사를 최대한 줄일 수 있는 광도파로 소자의 무반사면 형성방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR1019980030120A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019960049492

申请日：1996-10-29

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김정수 ,  안주헌 ,  이상민 ,  오광룡 ,  김홍만

IPC: H01L21/465

公开(公告)号：KR1019970032982A

公开(公告)日：1997-07-22

申请号：KR1019950049263

申请日：1995-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김정수 ,  이승원 ,  주흥로 ,  김홍만

IPC: B01D53/34

Abstract: 본 발명은 유기금속기상에피택시 장치의 배기가스 정화시스템에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 다량의 포스핀을 사용하는 유기금속기상에피택시 장치에서 배출되는 독성가스를 효과적으로 정화할 수 있는 동시에 진공펌프에서 발생되는 오일미스트에 의한 독성가스의 제독능력의 하락을 방지할 수 있는 배기가스 정화시스템에 관한 것이다.
본 발명의 유기금속기상에피택시 장치의 배기가스 정화시스템은, 반응실을 진공으로 유지하기 위한 로타리 배인펌프(101)와, 전기한 로타리 배인펌프(101)의 후단에 형성되어 반응실로부터 배출된 PH
3 의 분해산물인 포스포러스를 흡착시켜 오일미스트 필터(103)의 막힘을 방지하며 오일미스트를 흡착시키기 위한 주 활성탄 스크러버(102)와, 전기한 주 활성탄 스크러버(102)의 후단에 형성되어 전기한 주 활성탄 스크러버(102)에서 흡착되지 못한 오일미스트를 흡착 및 응축시키기 위한 오일미스트 필터(103)와, 오일미스트 필터(103)의 후단에 형성되어 전기한 오일미스트 필터(103)에 응축된 펌프오일로부터 발생하는 독성가스를 제독하기 위한 보조 활성탄 스크러버(104)를 포함한다.

公开(公告)号：KR100358177B1

公开(公告)日：2002-10-25

申请号：KR1019990056616

申请日：1999-12-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김형문 ,  김정수 ,  주흥로 ,  김동철

IPC: G02B6/02

Abstract: 본발명은파장다중(WDM ; wavelength division multiplexing) 광통신시스템에있어서파장다중/역다중(multiplexing/demultiplexing) 기능을갖는핵심소자중의하나인반사형 (reflective) 다중기/역다중기및 그제조방법에관한것이다. 본발명은격자도파로형성방법을절단이아닌포토리소그라피 (photolithography) 방법을이용함으로써절단에의한종래방법보다수율을훨씬좋게할 수있을뿐만아니라, 격자도파로끝단에증착방법을이용하여고반사박막을부착하므로정확하게위치를선정하여야하는브래그반사경또는회절격자모양의반사경을사용하는종래방법에비해서수율및 특성을크게향상시킬수 있는효과를갖는다.

公开(公告)号：KR1020020078189A

公开(公告)日：2002-10-18

申请号：KR1020010018215

申请日：2001-04-06

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김성복 ,  김정수

IPC: H01S5/32

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01L33/145 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2275

Abstract: PURPOSE: An optical device provided with a current protection layer with a buried ridge structure and a method for manufacturing the same are provided to realize a current protection effect with high a multi-layer waveguide. CONSTITUTION: An optical device provided with a current protection layer with a buried ridge structure includes active layers(402a,402b) formed in the form of mesa structure on an N type InP substrate(401), a first current protection layer(500) formed in the structure of PNP for covering the mesa structure and a second current protection layer(410) formed a buried ridge structure by arranging to encompass around the first current protection layer(500). The optical device basically employs a buried ridge structure as the current protection layers(410) by using a hydrogen ion implantation and further introduces the current protection layer(500) with the PNP structure for minimizing a leakage current in the region adjacent to the active layers(402a,402b).

Abstract translation: 目的：提供一种具有埋地脊结构的电流保护层的光学器件及其制造方法，以实现具有高多层波导的电流保护效果。 构成：设置有具有掩埋脊结构的电流保护层的光学器件包括在N型InP衬底（401）上形成为台面结构形式的有源层（402a，402b），形成第一电流保护层（500） 在用于覆盖台面结构的PNP的结构中，以及通过排列围绕第一电流保护层（500）形成掩埋隆起结构的第二电流保护层（410）。 该光学器件基本上采用埋置脊结构作为电流保护层（410），通过使用氢离子注入，并且进一步引入具有PNP结构的电流保护层（500），以最小化与有源层相邻的区域中的漏电流 （402A，402B）。

公开(公告)号：KR100289042B1

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：KR1019970072644

申请日：1997-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  김덕봉 ,  이승원 ,  김정수

IPC: G02B5/20

Abstract: PURPOSE: A vertically coupled wavelength variable optical fiber having double lattice structure is provided to have a double lattice structure where an interval between two lattices is spatially different at a center portion and both ends of a filter. CONSTITUTION: An n-type InP buffer layer is formed an n-type InP substrate(21), and the first waveguide layer(22) is formed on the n-type InP buffer layer. The first waveguide layer(22) is spatially limited so as to have a width of 1-3 micrometers and a length of 3-10nm. An n-type InGaAsP lattice layer(23) is formed on the first waveguide layer(22), and is spatially limited so as to have a double lattice period of 20 to 60 micrometers. A distance between two lattices forming the double lattice is limited spatially. An n-type InP(24) is deposited on the n-type InGaAsP lattice layer, and the second optical waveguide layer(25) of a p-type InGaAsP is deposited on the n-type InP(24). The second optical waveguide layer(25) is spatially limited so as to have a width of 1 to 5 micrometer and a length of 3 to 10mm. A p-type InP clad layer(26) is deposited on the second optical waveguide layer.

公开(公告)号：KR100212000B1

公开(公告)日：1999-08-02

申请号：KR1019960034662

申请日：1996-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  김덕봉 ,  오광룡 ,  김정수 ,  김홍만

IPC: H01L27/14

Abstract: 본 발명은 파장선택성을 갖는 반도체 광여과기 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술에서 두 도파로의 간격이 너무 밀집되었기 때문에 광섬유를 부착할 경우에 크로스 토크가 발생하는 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 n-형 InP 기판(1)과 그 위에 적층된 n-형 InP 완충층(2), 그 위에 출력단 근처에서 수평방향으로 휘어지도록 공간적으로 제한된 형태로 적층된 InGaAsP 제 1광도파로층(3), 그 위에 적층된 InP(4), 그 위에 적층되고 10~20 의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 InGaAsP 회절격자층(5), 그 위에 적층된 InP(6), 그 위에 적층되고 공간적으로 제한된 InGaAsP 제 2광도파로층(7), 그 위에 적층된 n-형 InP 클래드층(8), 그 위에 적층된 도핑하지 않은 InGaAs 옴 접촉층(9), 그 위에 도핑하지 않고 제 2광도파로층보다 1~10 더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 InP 표면보호층(10)으로 구성된 웨이퍼 상에 제 2광도파로 층보다 1~10

公开(公告)号：KR100198426B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960049492

申请日：1996-10-29

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김정수 ,  안주헌 ,  이상민 ,  오광룡 ,  김홍만

IPC: H01L21/465

Abstract: 본 발명은 광도파로 구조의 반도체 소자와 플랫-엔드(flat-end) 단일모드의 광섬유를 접속하는 반도체 소자의 테이퍼형(tapered) 광도파로 제작방법에 관한 것이다. 그 목적은 일반적인 광도파로 구조의 반도체 소자와 플랫-엔드(flat-end) 단일모드의 광섬유를 접속할 때에 단일모드 광섬유와 광도파로 소자 사이의 광모드 크기의 차이에 기인한 삽입손실을 줄이는 데에 있다. 그 방법은 테이퍼형 광도파로가 집적된 광소자를 제작하기 위해 광도파로층과 접속하기 위한 반도체 레이저층이 형성되고 그 위에 클래딩층과 접속하기 위한 반도체층이 형성된 반도체 기판에 반도체 기판 위에 스페이서층을 형성하고, 스페이서층 위에 절연박막을 형성하고, 절연박막 위에 습식에칭과 건식에칭을 수행하여 절연박막이 브리지 형태로 형성되도록 하여 트렌치를 형성하고, 트렌치와 절연박막으로 된 브리지를 갖는 기판을 이용하여 유기금속 기상증착법으로 광도파로층을 성장시키고, 트렌치의 밑바닥에 광도파로 방향을 따라 성장두께가 상이한 광도파로를 성장시킨다.

公开(公告)号：KR100198424B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950053687

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이승원 ,  김정수 ,  남은수 ,  박종대 ,  김홍만

IPC: H01L31/00

Abstract: 본 발명은 선택적 유기금속성장을 이용하여 테이퍼(taper) 구조의 출력단을 갖는 광결합효율이 향상된 광변조기 집적소자의 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 광변조기 집적소자에 있어서, 선택적 MOVPE 결정성장과 조절식각을 이용하여 수직형 테이퍼 광모드 변환기를 InGaAsP 광흡수층의 양쪽 광섬유가 결합되는 부위에 집적화 한 데에 있고, 그 다른 특징은 상기 광모드 변환기를 광변조기가 집적된 분포궤환(DFB) 레이저에 동시에 집적화 한 데에 있으므로, 광모드 변환기가 없는 경우에 비하여 무반사 박막 제작 조건을 상당히 완화시켜 무반사 박막 공정의 신뢰성과 재현성을 높일 뿐만 아니라 결국 광변조기 집적 DFB 레이저 소자 자체의 성능을 향상시킨다는 효과가 있다.