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公开(公告)号：KR100864833B1
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：KR1020070041618
申请日：2007-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L49/003 , H01L29/94 , H03B17/00
Abstract: 본 발명은 MIT 소자를 이용하여 간단하면서도 매우 높은 발진 주파수를 발생시킬 수 있는 MIT 소자 기반의 발진 회로 및 그 발진 회로 구동방법을 제공한다. 그 발진 회로는 금속-절연체 전이(metal-insulator transition: MIT) 박막 및 상기 MIT 박막에 접속되는 전극 박막을 구비하고, MIT 발생 전압에서 불연속 MIT가 일어나는 MIT 소자; 상기 MIT 소자에 직렬로 연결되는 저항 소자; 상기 MIT 소자에 최대 통전 전류를 제한하면서 직류 정전압을 인가하는 전원; 및 상기 MIT 소자에 전자파를 조사하는 광원;을 포함하여, 상기 광원을 통한 전자파 조사에 의해 상기 MIT 소자에서 발진 특성을 발생시킬 수 있다. 또한, 상기 발진 회로는 금속-절연체 전이(metal-insulator transition: MIT) 박막 및 상기 MIT 박막에 접속되는 전극 박막을 구비하고, MIT 발생 전압에서 불연속 MIT가 일어나는 MIT 소자; 상기 MIT 소자에 직렬로 연결되는 저항 소자; 및 상기 MIT 소자에 단 펄스(short pulse) 전압을 인가하는 전원;을 포함하고, 상기 단 펄스 전압 인가에 의해 상기 MIT 소자에서 발진 특성을 발생시킬 수도 있다.
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公开(公告)号：KR1020080047238A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：KR1020070041618
申请日：2007-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L49/003 , H01L29/94 , H03B17/00
Abstract: An oscillation circuit based upon an MIT(metal insulator transition) device is provided to form an oscillation circuit capable of generating a very high oscillation frequency by adding only one resistance element connected in series with an MIT device. An MIT device(800) includes an MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film wherein discontinuous MIT occurs at an MIT generation voltage in the MIT device. A resistance element(700) is connected in series with the MIT device. A power source(600) applies a DC constant voltage to the MIT device, limiting maximum conduction current. A light source(900) irradiates electromagnetic wave to the MIT device. An oscillation characteristic occurs in the MIT device by the irradiation of the electromagnetic wave of the light source. The light source can be an infrared light source, and the MIT generation voltage of the MIT device decreases as the intensity of the infrared of the light source increases.
Abstract translation: 提供了一种基于MIT（金属绝缘体转换）器件的振荡电路，以形成能够通过仅添加与MIT器件串联连接的一个电阻元件而产生非常高的振荡频率的振荡电路。 MIT装置（800）包括MIT薄膜和连接到MIT薄膜的电极薄膜，其中在MIT装置中以MIT产生电压发生不连续MIT。 电阻元件（700）与MIT器件串联连接。 电源（600）向MIT装置施加直流恒定电压，限制最大传导电流。 光源（900）向MIT设备照射电磁波。 通过照射光源的电磁波，在MIT装置中产生振荡特性。 光源可以是红外光源，并且MIT装置的MIT产生电压随着光源的红外线强度的增加而减小。
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公开(公告)号：KR100825738B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060098638
申请日：2006-10-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L27/0676 , H01L28/40 , H01L49/003
Abstract: 다양한 제너 전압을 조절할 수 있고, 제조공정이 간단한 급격한 금속-절연체 전이를 이용한 전압조정 시스템을 제공한다. 그 시스템은 입력전원과 직렬로 연결된 직렬저항 R
c 과 직렬로 연결되며, 직렬저항 R
c 의 저항값에 따라 출력전압을 일정하게 유지하는 전압조정 구간의 폭이 달라지는 급격한 금속-절연체 전이를 하는 MIT 절연체를 포함한다.
급격한 금속-절연체 전이, 직렬저항, 전압조정-
公开(公告)号：KR100723872B1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：KR1020060015634
申请日：2006-02-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/10 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C13/0014 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/148
Abstract: 구조변화를 겪지 않고 균일한 박막을 유지하며, 고속 스위칭 동작이 가능한 메모리소자 및 그 동작방법을 제공한다. 그 소자 및 방법은 전자의 에너지 변화에 의해 급격하게 금속-절연체 전이를 하는 금속-절연체 전이 물질층에 콘택되고, 열에 의해 용융되어 전이 물질층에 도전성 경로를 형성하는 적어도 2개의 전극들을 포함한다.
금속-절연체 전이, 구조변화, 도전성 경로. 메모리-
公开(公告)号：KR1020060101208A
公开(公告)日：2006-09-22
申请号：KR1020060001677
申请日：2006-01-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/00
CPC classification number: H01L49/003
Abstract: 본 발명은 정격신호전압보다 낮은 잡음신호를 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로 및 그 회로를 포함한 전기전자시스템을 제공한다. 그 잡음 방지 회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 직렬 연결된 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자를 포함한다. 본 발명은 소정 전압에서 급격한 금속-절연체 전이 특성을 갖는 급격한 MIT 소자를 전기전자시스템에 직렬로 연결함으로써, 저전압 잡음을 효과적으로 제거할 수 있다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로, 노이즈 필터-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060083104A
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020050048868
申请日：2005-06-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01M2/34
CPC classification number: H01M2/34 , H01M2/348 , H01M10/052 , H01M10/443 , H01M2200/00 , H01M2200/106
Abstract: 전지가 폭발하는 것을 지연시키거나 방지할 수 있는 전하방전수단을 구비하는 리튬 2차전지에 대해 개시한다. 그 리튬 2차전지는 전지 본체와 병렬적으로 배치된 전하방전수단을 구비하며, 상기 전하방전수단은 리튬 2차전지 본체의 양극에 연결된 제1 전극과, 리튬 2차전지 본체의 음극에 연결된 제2 전극 및 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되며, 특정 온도 이상에서 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층을 포함한다. 전하방전수단을 구비한 리튬 2차전지는 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층, 예컨대 급격한 MIT 물질막을 사용하여 충전된 전하량을 갑자기 방전시켜서 전지의 폭발을 방지하거나 지연시킬 수 있다.
리튬 2차전지, 전하방전수단, 급격한 MIT 물질막-
公开(公告)号：KR100964186B1
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：KR1020080052257
申请日：2008-06-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G05F3/24
CPC classification number: H01L25/16 , H01L23/62 , H01L2924/0002 , H02H3/085 , H02H5/047 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 퓨즈의 기능을 대체할 수 있고 또한 반영구적으로 사용할 수 있는 MIT 소자를 이용하여, 전력용 트랜지스터의 발열을 방지함으로써 전력용 트랜지스터를 보호할 수 있는 트랜지스터 발열제어 회로 및 그 발열제어 방법을 제공한다. 그 발열제어 회로는 소정 임계 온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)가 발생하는 MIT 소자; 및 구동 소자에 연결되어 상기 구동 소자로의 전력 공급을 제어하는 전력용 트랜지스터(power transistor);를 포함하고, 상기 MIT 소자가 상기 트랜지스터의 표면 혹은 발열 부분에 부착되고, 회로적으로는 상기 트랜지스터의 베이스 또는 게이트 단자에 연결되어, 상기 트랜지스터가 상기 임계온도 이상 상승 시, 상기 MIT 소자가 상기 트랜지스터의 전류를 줄이거나 차단함으로써, 상기 트랜지스터의 발열을 방지한다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 트랜지스터 발열 제어-
公开(公告)号：KR1020090035357A
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：KR1020070100602
申请日：2007-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/1464 , H01L31/113
Abstract: A photo gating switch system is provided to constitute an optic detection device and a light source separately, so integrating the light source. A metal insulator metal transition device(7) is formed as an optical detecting device on an optical transmission substrate(1). An photo gating switch system is installed on a substrate in which the metal insulator metal transition device is formed while integrating the light source(15). A metal insulator metal transition layer(3) as a photo detection layer is formed the substrate through which a light is permeated. An electrode is formed at both sides of the metal insulator metal transition layer.
Abstract translation: 提供了一种光门控开关系统，以分别构成光检测装置和光源，从而整合光源。 在光传输基板（1）上形成金属绝缘体金属过渡装置（7）作为光学检测装置。 照明门控开关系统安装在其上形成金属绝缘体金属过渡装置的基板上，同时整合光源（15）。 作为光检测层的金属绝缘体金属过渡层（3）形成有透过光的基板。 在金属绝缘体金属过渡层的两侧形成电极。
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29.发明授权
公开(公告)号：KR100842296B1
公开(公告)日：2008-06-30
申请号：KR1020070077170
申请日：2007-07-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L49/003 , H03B9/12
Abstract: An MIT element-based oscillation circuit and a method for controlling an oscillation frequency of the same are provided to control an oscillation phenomenon by adjusting an applied voltage or a resistance value to a specific condition. An MIT(Metal-Insulator Transition) element(700) has a MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film, in which discontinuous MIT occurs at MIT occurring voltage. A variable resistive element(800) is connected in series with the MIT element. A power source(600) applies a voltage or current to the MIT element. An oscillation frequency is determined in accordance with a voltage to be applied to the power source and a resistance value of the variable resistive element.
Abstract translation: 提供了一种基于MIT元件的振荡电路和用于控制其振荡频率的方法，以通过将施加的电压或电阻值调整到特定条件来控制振荡现象。 MIT（金属绝缘体转移）元件（700）具有MIT薄膜和连接到MIT薄膜的电极薄膜，其中在MIT发生电压下发生不连续的MIT。 可变电阻元件（800）与MIT元件串联连接。 电源（600）向MIT元件施加电压或电流。 根据要施加到电源的电压和可变电阻元件的电阻值来确定振荡频率。
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30.发明授权금속-절연체 전이(ＭＩＴ) 소자의 불연속 ＭＩＴ를연속적으로 측정하는 회로 및 그 회로를 이용한 ＭＩＴ센서 失效用于连续测量不连续金属 - 绝缘体转换MIT的电路和使用相同电路的MIT传感器
公开(公告)号：KR100825762B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060128928
申请日：2006-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01R19/165
CPC classification number: G01R31/2641
Abstract: 본 발명은 MIT 소자의 불연속 MIT를 연속적으로 측정할 수 있는 불연속 MIT 측정회로 및 그 측정회로를 센서에 응용하여 제작된 MIT 센서를 제공한다. 그 불연속 MIT 측정회로는 전이 전압에서 불연속 MIT를 일으키는 MIT 소자를 포함한 측정 대상부; 상기 측정 대상부로 소정 전류 또는 전압을 인가하기 위한 전원부; 상기 MIT 소자의 불연속 MIT를 측정하는 측정부; 및 상기 전원부와 상기 측정부를 제어하는 마이크로프로세서(microprocessor);를 포함하여 상기 MIT 소자의 불연속 MIT를 측정할 수 있다. 본 발명에 따른 불연속 MIT 측정회로는 MIT 소자의 불연속 MIT를 연속적으로 측정함으로써, 외부 인자의 변화를 감지할 수 있는 센서에 활용할 수 있다.
금속-절연체 전이, MIT, MIT 소자, ADC, DAC, 마이크로프로세스
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